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11.

发明公开
晶圆与晶圆接合的工艺及结构有权

公开(公告)号：CN105742193A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510971451.4

申请日：2015-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 , 陈明发 , 蔡文景

IPC分类号： H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/538

CPC分类号： H01L24/81 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/031 , B81C2203/035 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03602 , H01L2224/03614 , H01L2224/03616 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05149 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/08225 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/119 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/16014 , H01L2224/16147 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/279 , H01L2224/27912 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29149 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/32014 , H01L2224/32147 , H01L2224/32225 , H01L2224/73103 , H01L2224/80805 , H01L2224/80893 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/10158 , H01L2924/1461 , H01L2924/163 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/0347 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/114 , H01L2224/1146 , H01L2224/1161 , H01L2224/274 , H01L2224/2746 , H01L2224/2761 , H01L21/302 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/80 , H01L21/561 , H01L23/538 , H01L23/5389 , H01L25/071

摘要： 本发明的实施例提供了一种接合结构及其形成方法。在接合结构的第一表面上形成导电层，接合结构包括接合至第二衬底的第一衬底，接合结构的第一表面是第一衬底的暴露的表面。在导电层上形成具有第一开口和第二开口的图案化的掩模，第一开口和第二开口暴露导电层的一部分。在第一开口中形成第一接合连接件的第一部分，并且在第二开口中形成第二接合连接件的第一部分。图案化导电层以形成第一接合连接件的第二部分和第二接合连接件的第二部分。使用第一接合连接件和第二接合连接件将接合结构接合至第三衬底。

12.

发明公开
布线基板失效

公开(公告)号：CN103907180A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201380003704.8

申请日：2013-08-05

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 西田智弘 , 森圣二 , 若园诚

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H05K3/3452 , H01L2224/814 , H01L2924/15156 , H05K3/28 , H05K2201/10977 , H05K2203/0594 , H01L23/12 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/1161 , H01L2224/131 , H01L2224/13113 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81385 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83385 , H01L2224/8385 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H05K1/111 , H05K3/3436 , H05K2203/0597 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

摘要： 布线基板包括绝缘性的基层、层叠于基层的绝缘层和导电性的连接端子。绝缘层具有：第1表面，其形成有开口部；第2表面，其在该开口部的内侧相对于第1表面向基层侧凹陷；以及壁面，其在开口部的内侧沿绝缘层相对于基层的层叠方向将第1表面与第2表面之间连接起来。连接端子自第2表面露出。第2表面具有最底部，该最底部在第2表面中位于最靠基层侧的位置，第2表面向基层侧呈凸状弯曲地将壁面与连接端子之间连接起来。长度L1与长度L2之间的关系满足L1>L2，该长度L1为壁面与最底部之间的沿与层叠方向正交的层叠面方向的长度，该长度L2为最底部与连接端子之间的沿层叠面方向的长度。

13.

发明公开
半导体装置及其制造方法无效复审申请

公开(公告)号：CN102244019A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201010266857.X

申请日：2010-08-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐君蕾 , 何明哲 , 郑明达 , 刘重希

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485

CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/03424 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05559 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1148 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11831 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/206 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括在一封盖(encapsulating)层上方形成一凸块下金属(under-bump metallurgy，UBM)层，接着在封盖层的开口内的凸块下金属层上形成一凸块(bump)层。在从封盖层的上表面去除多余的凸块层材料之后，去除封盖层直至凸块层的一顶部突出于封盖层的上表面。本发明可避免UBM底切问题。

14.

发明授权
半导体衬底及具有半导体衬底的半导体封装结构有权

公开(公告)号：CN106033752B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510120701.3

申请日：2015-03-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 廖国成 , 陈家庆 , 丁一权

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 , H01L21/486 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/08238 , H01L2224/10175 , H01L2224/11436 , H01L2224/11462 , H01L2224/1161 , H01L2224/13008 , H01L2224/13021 , H01L2224/13026 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13647 , H01L2224/16012 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2224/16235 , H01L2224/16503 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/3841 , H05K3/007 , H05K3/205 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2201/10378 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种半导体封装结构，其包含半导体衬底、半导体芯片及导电材料。所述半导体衬底包含绝缘层、导电电路层及导电凸块。所述导电电路层从所述绝缘层的顶表面凹入，且包含至少一个衬垫。所述导电凸块安置在所述至少一个衬垫上。所述导电凸块的侧表面、所述至少一个衬垫的顶表面及所述绝缘层的侧表面一起界定容置空间。所述导电材料电连接所述导电凸块与所述半导体芯片，且所述导电材料的一部分安置在所述容置空间中。

15.

发明公开
制造具有凸起接触的半导体器件的方法有权

公开(公告)号：CN105980840A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007271.2

申请日：2015-01-14

申请人： ams有限公司

发明人： 约亨·克拉夫特 , 卡尔·罗拉赫尔 , 马丁·施雷姆斯

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： H01L24/02 , G01N27/12 , G01N27/128 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/114 , H01L2224/1148 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/13013 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

摘要： 在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。

16.

发明公开
封装结构及其制法无效复审申请

公开(公告)号：CN105720036A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410727443.0

申请日：2014-12-03

申请人： 恒劲科技股份有限公司

发明人： 许诗滨 , 吴唐仪

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/4821 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/4951 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0557 , H01L2224/1161 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/16238 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2924/3511 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 一种封装结构及其制法，先形成多个导电柱于一导体层上，再形成一绝缘层于该导体层与所述多个导电柱上，接着，移除该导体层的部分材质，使该导体层作为线路层，之后于该线路层上设置一电子元件，最后形成一包覆层以包覆该电子元件，所以通过单一线路层的设计，使该线路层结合电子元件，而该导电柱能结合焊球，以缩短信号传递路径。