Patent search cpc:"H01L2924/01082" Page 1

1.

发明授权
Cu芯球的制造方法有权

公开(公告)号：CN107097014B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610835984.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 川崎浩由 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇

IPC: B23K35/26 , B23K35/30 , B22F9/08 , B22F1/02 , B23K35/02 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01B1/02 , H01L23/00 , H05K3/34

CPC classification number: C25D3/60 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K2101/40 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/20 , F16B5/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/12042 , H01L2924/15321 , H05K3/3436 , H05K2201/0218 , H05K2201/10734 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及Cu芯球的制造方法。本发明的Cu芯球的制造方法具备：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm2以下的Cu球；提供覆盖所述Cu球的表面的焊料镀覆膜的阶段，所述焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，对Cu芯球进行平滑化处理的阶段，该阶段中，通过在将Cu芯球浸渍于镀液的状态下照射超声波来对Cu芯球进行平滑化处理，使所述Cu芯球的算术平均表面粗糙度为0.3μm以下。

2.

发明授权
底部填充材料以及采用底部填充材料的半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN105283948B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201480002131.1

申请日：2014-09-10

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 小山太一

IPC: H01L23/488 , H01L23/29 , H01L25/065 , H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/60 , C09J7/40 , C09J11/06 , C09J133/16 , C09J163/02

CPC classification number: C09J163/00 , C08G59/4215 , C08L63/00 , C09D133/066 , C09J133/20 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/186 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2924/0549 , H01L2924/0532 , H01L2924/0102 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L21/78 , C08L33/16

Abstract: 提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料，其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。由此，能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。

3.

发明公开
半导体芯片有权

公开(公告)号：CN109148409A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810684173.8

申请日：2018-06-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柴田雅博 , 德田大辅 , 黑川敦 , 德矢浩章 , 梅本康成

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/034 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05084 , H01L2224/05086 , H01L2224/05547 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/0603 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L23/49816 , H01L23/49838

Abstract: 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。

4.

发明授权
半导体组件及制造半导体组件的方法有权

公开(公告)号：CN104269390B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟诚 , 侯上勇 , 郑心圃 , 刘醇鸿 , 邱志威 , 史朝文

IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

5.

发明授权
Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏有权复审申请

公开(公告)号：CN104816104B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510059764.2

申请日：2015-02-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 赤川隆 , 川崎浩由 , 松井和彦 , 小池田佑一 , 佐佐木优 , 山崎裕之 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇

IPC: B23K35/14 , B23K35/30 , B22F1/02

CPC classification number: B23K35/025 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/00 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C19/03 , C22C19/07 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13139 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065

Abstract: 本发明涉及Ag球、Ag芯球、助焊剂涂布Ag球、助焊剂涂布Ag芯球、焊料接头、成形焊料、焊膏、Ag糊剂以及Ag芯糊剂。提供即使含有一定量以上的Ag以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ag球。为了抑制软错误并减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.9995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。

6.

发明公开
多芯片封装有权转让

公开(公告)号：CN108133897A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810095305.3

申请日：2010-01-05

Applicant: 伊姆贝拉电子有限公司

Inventor： 安蒂·伊霍拉 , 图奥马斯·瓦里斯

IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L25/00 , H05K1/02 , H05K3/00

CPC classification number: H05K1/028 , H01L21/568 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2924/01002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H05K1/115 , H05K1/182 , H05K1/188 , H05K1/189 , H05K3/4691 , H05K2201/0187 , H05K2201/0355 , H05K2201/09127 , H05K2203/308 , H01L2924/0665 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及多芯片封装，其包括借助于至少一个柔性区(13)彼此连接的至少两个刚性区，至少一个柔性区(13)包括柔性膜和导体，所述导体在由柔性膜支撑的柔性区(13)上伸展，至少两个刚性区均包括绝缘体层以及在绝缘体层的第一表面上的导体的层，至少两个刚性区还均包括至少一个芯片(6)，所述芯片嵌入在绝缘体层中并且具有面向绝缘体层的第一表面上的导体的接触端，接触端中的至少一些经由接触元件电连接到导体，至少一个柔性区(13)被折叠以形成多层封装，至少两个刚性区的绝缘体层的第一表面上的导体的层通过至少一个柔性区(13)的导体彼此电连接。