公开(公告)号：CN106847784B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201710061288.7

申请日：2012-06-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 绀野顺平 ,  西田隆文 ,  木下顺弘 ,  长谷川和功 ,  杉山道昭

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/14153 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。

公开(公告)号：CN108695264A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810312732.2

申请日：2018-04-09

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂田贤治 ,  秋叶俊彦 ,  船矢琢央 ,  土屋秀昭 ,  吉田裕一

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/47 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

摘要： 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。

公开(公告)号：CN108242437A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711404290.6

申请日：2017-12-22

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 进藤正典

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/10 ,  H01L24/17

摘要： 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。在具备外部连接端子的半导体装置中，确保离子迁移耐性并谋求长期可靠性的提高。半导体装置包含：半导体基板；导电体，被设置于半导体基板的主面上；绝缘体层，覆盖导电体的表面并且具有使导电体部分地露出的开口部；以及外部连接端子，连接于导电体的在所述开口部露出的部分。绝缘体层在表面具有朝向导电体侧凹下的凹部，开口部被设置于凹部的底部，外部连接端子的与半导体基板的主面平行的平面方向上的端部被配置在凹部的壁面上。

公开(公告)号：CN105374775B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410443164.1

申请日：2014-09-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 金晨 ,  乔中辰

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083

摘要： 本申请提供了一种焊盘、半导体器件和半导体器件的制造工艺。焊盘包括：金属柱，金属柱的第一端具有凹部；焊料凸块，焊料凸块设置在金属柱的凹部处；焊垫，焊垫与金属柱的第二端连接。由于金属柱的第一端具有凹部，且焊料凸块设置在金属柱的凹部处，因而有效防止焊料凸块在回流工艺时顺着金属柱的边缘流下形成介金属化合物，从而有效避免焊料凸块过多消耗和金属柱机械强度变弱，进而提高了半导体器件的封装可靠性。同时，本申请中的焊盘具有结构简单、制造成本低的特点。

公开(公告)号：CN107818956A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710800845.2

申请日：2017-09-07

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 于达人 ,  洪佑昇 ,  许文松

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/49827

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体封装、封装上封装及其制造方法。其中该制造方法包括：提供载体基板；在该载体基板上形成重分布层结构，其中该重分布层结构包括：至少一凸块垫；在该重分布层结构上安装半导体晶粒；在该半导体晶粒以及该重分布层结构上形成模塑料；移除该载体基板，以露出该重分布层结构的多个焊球垫；以及于该多个焊球垫上形成多个导电结构。本发明实施例，可以提高产品的良品率。

公开(公告)号：CN105047619B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN103748679B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201280041062.6

申请日：2012-07-20

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 鲍中平 ,  詹姆斯·D·伯勒尔 ,  时群·顾

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/14142 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 具有定向顺应性几何形状的支柱(300、306、502)经布置以将半导体裸片(400、500)耦合到衬底。每一支柱(300、306、502)的最大顺应性方向可与由所述半导体裸片(400、500)和所述衬底的不相等热膨胀和收缩引起的最大应力的方向对准。支柱(300、306、502)可以用各种形状进行设计和构造，所述形状具有特定的顺应性特征和特定的最大顺应性方向(302、304、308、310、504)。所述支柱(300、306、502)的形状和定向可随着其在裸片(400、500)上的位置而变来选择，以适应在其位置处的应力的方向和量值。支柱(610)还可以如下方式用特定的形状来制造：在裸片(600)上的垫片上图案化例如钝化材料等材料(604)以增加所述支柱(610)电镀或沉积在其上的表面区域。

公开(公告)号：CN107359149A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201610547564.6

申请日：2016-07-12

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 李琼延 ,  李泰勇 ,  新闵哲 ,  欧瑟门

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/16012 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2924/18161 ,  H01L23/485 ,  H01L24/27

摘要： 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。

公开(公告)号：CN102347253B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201110255476.6

申请日：2011-07-26

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 林耀剑 ,  陈康 ,  方建敏 ,  冯霞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及在接触焊盘上形成再分布层的方法和半导体器件。一种半导体器件包括具有有源表面的半导体管芯。第一导电层形成在该有源表面上。第一绝缘层形成在有源表面上。第二绝缘层形成在该第一绝缘层和第一导电层上。在该第一导电层上去除第二绝缘层的一部分以使第二绝缘层没有任何部分覆盖在该第一导电层上。第二导电层形成在该第一导电层和第一和第二绝缘层上。该第二导电层在该第一导电层上延伸上至该第一绝缘层。备选地，该第二导电层横跨该第一导电层延伸上至该第一导电层相对侧上的该第一绝缘层。在该第二导电层和第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层。

公开(公告)号：CN103918354B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380002511.0

申请日：2013-05-27

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 林贵广 ,  永井诚 ,  伊藤达也 ,  森圣二 ,  若园诚 ,  西田智弘

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/18

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/28 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/4661 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种配线基板，其中形成于层叠体的最外层的精确和刚性的坝部牢固地保护配线导体，且配线基板与半导体芯片的连接可靠性优异。构成该配线基板（10）的层叠体（31）包括作为最外层的导体层（24）的多个连接端子部（41）和配线导体（62）。配线导体（62）配置在通过用于倒装芯片地安装半导体芯片（51）的多个连接端子部（41）之间的预定位置。层叠体的最外层的树脂绝缘层（23）具有坝部（63）和增强部（64）。坝部（63）覆盖配线导体（62）。增强部（64）形成在配线导体（62）和邻近配线导体（62）的连接端子部（41）之间，且小于坝部（63）的高度（H3）。增强部（64）与坝部（63）的侧面连接。