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公开(公告)号：CN107359149A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610547564.6
申请日：2016-07-12
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/1111 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/16012 , H01L2224/16057 , H01L2224/16104 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/81359 , H01L2224/81379 , H01L2924/18161 , H01L23/485 , H01L24/27
摘要： 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种半导体装置及一种其制造方法，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。
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公开(公告)号：CN117810206A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311700335.X
申请日：2018-01-03
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/56
摘要： 具有电磁干扰屏蔽的半导体装置及其制造方法。一种半导体封装包含：一个或多个半导体装置；电磁干扰屏蔽，在所述半导体封装的所有外表面上；以及开口，在所述开口中放置有电性互连以形成与衬垫的电性接触。在一个实施例中，所述半导体装置包含在所述半导体装置的所有六个表面上的电磁干扰屏蔽而没有使用分离的电磁干扰盖。
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公开(公告)号：CN116779592A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310856539.6
申请日：2017-01-25
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
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公开(公告)号：CN107275229B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710056209.3
申请日：2017-01-25
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/52 , H01L23/528
摘要： 本发明提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
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公开(公告)号：CN108305868B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810003422.2
申请日：2018-01-03
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L21/50
摘要： 具有电磁干扰屏蔽的半导体装置及其制造方法。一种半导体封装包含：一个或多个半导体装置；电磁干扰屏蔽，在所述半导体封装的所有外表面上；以及开口，在所述开口中放置有电性互连以形成与衬垫的电性接触。在一个实施例中，所述半导体装置包含在所述半导体装置的所有六个表面上的电磁干扰屏蔽而没有使用分离的电磁干扰盖。
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公开(公告)号：CN108305868A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810003422.2
申请日：2018-01-03
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L21/50
摘要： 具有电磁干扰屏蔽的半导体装置及其制造方法。一种半导体封装包含：一个或多个半导体装置；电磁干扰屏蔽，在所述半导体封装的所有外表面上；以及开口，在所述开口中放置有电性互连以形成与衬垫的电性接触。在一个实施例中，所述半导体装置包含在所述半导体装置的所有六个表面上的电磁干扰屏蔽而没有使用分离的电磁干扰盖。
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公开(公告)号：CN107275229A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710056209.3
申请日：2017-01-25
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/52 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L23/15 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/48227 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/561 , H01L23/5221 , H01L23/5226 , H01L23/5283
摘要： 本发明提供一种半导体封装及其制造方法，制造所述半导体封装的所述方法包括：通过蚀刻金属板形成导电柱，其中在所述蚀刻之后，所述导电柱连接到所述金属板的剩余的平面部分；在所述导电柱之间用填充物进行填充；移除所述金属板的所述剩余的平面部分；并且将至少一个半导体裸片电连接到所述导电柱。本发明提供的所述半导体封装及所述方法是用于确保安装半导体装置的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
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公开(公告)号：CN206505907U
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201720098027.8
申请日：2017-01-25
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 本实用新型提供一种半导体封装，其包括:衬底，其包括：介电层；第一导电图案，其在所述介电层的底部表面处至少部分嵌入在所述介电层中；第二导电图案，其位于所述介电层的顶部表面上；导电通孔，以电连接所述第一导电图案和所述第二导电图案；以及导电柱，其从所述第一导电图案的底部表面向下突出；至少一个半导体装置，其安装在所述衬底的顶部表面和底部表面中的一个或多个上；以及囊封物，其在所述衬底上以完全覆盖所述至少一个半导体装置。本实用新型提供的半导体封装是用于确保安装半导体装置的空间，其通过蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
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公开(公告)号：CN205944071U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620733042.0
申请日：2016-07-12
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/1111 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/16012 , H01L2224/16057 , H01L2224/16104 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/81359 , H01L2224/81379 , H01L2924/18161
摘要： 半导体装置。作为非限制性实例，本实用新型的各种方面提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。
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