Patent search cpc:"H01L24/27" Page 1

1.

发明授权
通过压力烧结接合元件的方法有权转让

公开(公告)号：CN106536096B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580040062.8

申请日：2015-03-18

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： M.舍费尔 , W.施密特

IPC: B22F5/00 , B22F7/04 , H05K3/32

CPC classification number: B22F5/006 , B22F3/1003 , B22F3/24 , B22F7/04 , B22F2003/242 , B22F2301/255 , B22F2302/25 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , C25D11/34 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05186 , H01L2224/27003 , H01L2224/27505 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29164 , H01L2224/29186 , H01L2224/2957 , H01L2224/29686 , H01L2224/32221 , H01L2224/83005 , H01L2224/8302 , H01L2224/83055 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/32 , H05K2203/1131 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/053

Abstract: 用于接合元件的方法，其中提供由至少两个各含金属接触表面的元件和布置在所述元件之间的具有金属氧化物表面的金属固体形式的金属烧结件形成的布置，并压力烧结所述布置，其中所述金属烧结件的金属氧化物表面和所述元件的金属接触表面各自形成共同接触面，且其中(I)在含有至少一种可氧化化合物的气氛中进行所述压力烧结和/或(II)在形成相应的共同接触面之前为所述金属氧化物表面配备至少一种可氧化有机化合物。

2.

发明公开
切割带和切割芯片接合薄膜无效

公开(公告)号：CN109207078A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810726582.X

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三木香 , 小坂尚史 , 靏泽俊浩 , 木村雄大 , 高本尚英 , 大西谦司 , 杉村敏正 , 赤泽光治

IPC: C09J7/24 , C09J7/29 , H01L21/52 , H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L24/27 , C09J7/245 , C09J7/29 , C09J2201/122 , C09J2423/046 , C09J2423/106 , C09J2427/006 , C09J2433/00 , H01L21/52

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有DAF的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性的切割带和DDAF。对于本发明的切割带(10)，在以拉伸速度1000mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力相对于在以拉伸速度10mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力的比值为1.4以上。本发明的DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。

3.

发明授权
各向异性导电粘接剂、连接体的制造方法及电子部件的连接方法有权

公开(公告)号：CN106062118B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201580013038.5

申请日：2015-02-03

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 稻濑圭亮

IPC: C09J201/00 , C09J4/00 , C09J5/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , H01B1/20

CPC classification number: C09J11/06 , C08K5/005 , C09J5/00 , C09J9/02 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , G02F1/13452 , G02F2202/28 , H01B1/22 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2223/54426 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13644 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/2732 , H01L2224/27334 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/2936 , H01L2224/29371 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/294 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75251 , H01L2224/75301 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81903 , H01L2224/8313 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/83488 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/83874 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2924/0549 , H01L2924/0543 , H01L2924/01049 , H01L2924/0544 , H01L2924/0105 , H01L2924/07811 , H01L2924/0665 , H01L2924/066 , H01L2924/069 , H01L2924/01006 , H01L2924/0635 , H01L2924/0615 , H01L2924/07001 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/07802

Abstract: 通过使用光固化型粘接剂，可在低温下进行电子部件的连接，同时改善电子部件的连接不良。具有在剥离基体材料上支撑的粘合剂树脂层，粘合剂树脂层含有光聚合性化合物、光聚合引发剂、光吸收剂和导电性粒子，光吸收剂的光吸收峰值波长比光聚合引发剂的光吸收峰值波长长，且相隔20nm以上。

4.

发明公开
扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置有权

公开(公告)号：CN108807253A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810579807.3

申请日：2013-12-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩永有辉启 , 铃村浩二 , 作田竜弥

IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/68 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48225 , H01L2224/48245 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/94 , H01L2924/181 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。

5.

发明公开
使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置有权

公开(公告)号：CN108807194A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810722489.1

申请日：2014-10-31

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 拉克希米纳拉扬.维斯瓦纳坦

IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/057 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/367

CPC classification number: H01L23/047 , H01L21/288 , H01L21/486 , H01L21/4867 , H01L21/50 , H01L23/057 , H01L23/142 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/4924 , H01L23/49861 , H01L23/49866 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L2224/2731 , H01L2224/29139 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0461 , H01L2924/0469 , H01L2924/1421 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/15763 , H01L2924/16152 , H01L2924/16598 , H01L2924/171 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012

Abstract: 一种使用低温过程的高温半导体器件封装和结构的方法及装置。提供了包含陶瓷、有机和金属材料的组合的半导体器件封装，其中这些材料通过使用银而耦合。在压力和低温下，银以细颗粒的形式被应用。应用之后，银形成了具有银的典型熔点的固体，因此，成品封装能承受比制造温度显著高的温度。此外，因为银是各种组合材料之间的接口材料，由于接合的低温度和银的延展性，陶瓷、有机和金属组件之间的不同材料特性的效果例如热膨胀系数被降低。

6.

发明公开
烧结材料及使用该材料的附着方法有权

公开(公告)号：CN108766891A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810330471.7

申请日：2011-11-02

Applicant: 阿尔发装配解决方案有限公司

Inventor： O·卡萨列夫 , B·思恩赫 , 莫斌 , M·T·玛克兹 , M·鲍瑞赫达

IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/488 , H05K1/09 , H05K3/34

CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/2732 , H01L2224/27436 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29399 , H01L2224/32245 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83205 , H01L2224/83222 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/157 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H05K1/097 , H05K3/3436 , Y10T156/1062 , Y10T428/26 , H01L2924/01046 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014

Abstract: 适用于多片和单片部件的芯片附着的方法可以包括将烧结印制在基片上或者印制在芯片的背面上。印制可以包括模板印制，丝网印制或者分配印制。在被切割成小方块之前，焊膏可以被印制到整个晶片的背面上，或者可以被印制到单个的芯片的背面上。烧结的薄层也可以是焊接或者传输到晶片、芯片或者基片上的。后烧结步骤可以提高生产量。

7.

发明公开
具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块有权

公开(公告)号：CN108538806A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810180876.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： 林承园 , 郑万教 , 李秉玉 , 孙焌瑞 , 全五燮

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3114 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L23/645 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L25/074 , H01L29/7393 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/48095 , H01L2224/48484 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83815 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L23/50

Abstract: 本发明涉及具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块。在一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括与第二衬底操作地耦合的第一衬底。所述装置还可包括电源端子组件，所述电源端子组件包括沿着第一平面对准的第一电源端子，所述第一电源端子与所述第一衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括沿着第二平面对准的第二电源端子，所述第二电源端子与所述第二衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括电源端子框架，所述电源端子框架具有设置在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间的隔离部分，以及设置在所述第一电源端子的一部分周围并且设置在所述第二电源端子的一部分周围的保持部分。

8.

发明公开
加热接合用片材及带有切割带的加热接合用片材有权

公开(公告)号：CN108174618A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201680058289.X

申请日：2016-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 , 镰仓菜穗

IPC: H01L21/52 , H01L21/60 , C09J1/00 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/301

CPC classification number: C09J1/00 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L24/27 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 一种加热接合用片材，其具有在10MPa的加压下、以升温速度1.5℃/秒从80℃升温至300℃后在300℃下保持2.5分钟后的截面的气孔部分的平均面积在0.005μm2～0.5μm2的范围内的层。