公开(公告)号：CN112210305B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202010647825.8

申请日：2020-07-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  畠山义治 ,  吉田直子 ,  木村雄大

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜，本发明的芯片接合薄膜的120℃下的剪切损耗模量为0.03MPa以上且0.09MPa以下。

公开(公告)号：CN115612419A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210793685.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  木村雄大 ,  高本尚英

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  C09J133/10 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供热固化型树脂片及切割芯片接合薄膜。提供热固化型树脂片及具备该热固化型树脂片的切割芯片接合薄膜等，所述热固化型树脂片包含交联性丙烯酸类聚合物，所述交联性丙烯酸类聚合物在分子中具有通过热固化处理引起交联反应的交联性基团，所述热固化型树脂片的热固化处理前的140℃下的剪切损耗模量G”为1kPa以上且20kPa以下，并且在150℃下进行1小时热固化处理后的150℃下的拉伸模量为0.5MPa以上且7.0MPa以下。

公开(公告)号：CN115368842A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534982.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。

公开(公告)号：CN108727999B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201810339937.X

申请日：2018-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。

公开(公告)号：CN108728000B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201810345577.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/38 ,  C09J133/20 ,  C09J175/04 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C08G18/62 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20

Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。

公开(公告)号：CN113801602A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110649433.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  木村雄大 ,  宍户雄一郎 ,  高本尚英

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J11/04 ,  C09J133/08

Abstract: 本发明为粘接片，其具备具有有机成分的树脂组合物，前述有机成分具有热固化性树脂，前述热固化性树脂包含具有环氧基的丙烯酸类树脂，该有机成分包含前述丙烯酸类树脂90～100质量％。

公开(公告)号：CN113539926A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110382887.5

申请日：2021-04-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  田中俊平

IPC: H01L21/683 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和在前述切割带的粘合剂层上层叠的芯片接合层，前述粘合剂层包含光聚合引发剂，在对固化前的前述粘合剂层进行GPC测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量Mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量Mn的比、即多分散度Mw/Mn为1.3以上。

公开(公告)号：CN106916558B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201611063420.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  菅生悠树 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04 ,  C09J7/30 ,  C09K5/14 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及粘接片、切割带一体型粘接片及半导体装置的制造方法。本发明提供具有高的导热性、并且粘接后的剥离得到抑制的粘接片。一种粘接片，其含有银被覆铜系填料和银填料，银被覆铜系填料为薄片状，并且平均长径为0.7μm以上，银填料的一次粒径为500nm以下。

公开(公告)号：CN111690350A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010174273.3

申请日：2020-03-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  高本尚英

IPC: C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J11/04 ,  C09J7/20 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，其适合于使紫外线固化性的切割带粘合剂层即使经过紫外线照射也确保环框保持力。本发明的带粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)及粘接薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)具有包含基材(11)和紫外线固化性的粘合剂层(12)的层叠结构。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)的粘合剂层(12)。切割带(10)在经过其粘合剂层(12)侧对SUS平面的贴合和之后对粘合剂层(12)的200mJ/cm2的紫外线照射之后在23℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件的剥离试验中，对SUS平面显示出0.03～0.2N/20mm的剥离粘合力。

公开(公告)号：CN111662646A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010149735.6

申请日：2020-03-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: [课题]提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。[解决方案]本发明的切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。本发明的带有粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)和粘接薄膜(20)的层叠结构。粘接薄膜(20)以能剥离的方式与切割带(10)的粘合剂层(12)密合。粘合剂层(12)含有玻璃化转变温度为-43℃以下的基础聚合物。