公开(公告)号：CN118919519A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410971076.2

申请日：2024-07-18

申请人： 上海积塔半导体有限公司

发明人： 刘畅 ,  罗俊一

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法、半导体结构的裂片方法。所述半导体结构包括：基底，包括衬底以及沿第一方向位于衬底上方的介质层，基底包括存储单元区域以及位于存储单元区域外部的切割道区域；关键尺寸监测结构，位于切割道区域，关键尺寸监测结构包括至少沿第一方向贯穿介质层的多个孔，且多个孔至少沿第二方向间隔排布；引导结构，位于切割道区域且分布于关键尺寸监测结构的外围，引导结构包括至少贯穿介质层第一引导结构，第一引导结构包括第一引导槽，且第一引导槽在衬底的顶面上的正投影与孔在衬底的顶面上的正投影的中心对齐。本发明提高了裂片制样的效率以及裂片机制样的成功率。

公开(公告)号：CN114496888B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202111634433.9

申请日：2021-12-29

申请人： 全讯射频科技(无锡)有限公司

发明人： 张健

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种滤波器芯片晶圆的等离子切割方法，其晶圆的电极侧的保护膜分布均匀，有效保护了电极，同时其与晶圆的粘贴后的贴合的密封性好，有效避免了刻蚀气体或其他异物进入，保证了切割效果。其包括S1、滤波器芯片晶圆使用电镀的方法在正面的相应区域内电镀电极的铜柱，并在铜柱表面电镀电极的锡层，经过氮气回流焊接炉对锡层回流焊处理；S2、滤波器芯片晶圆的正面采用覆膜工艺粘贴复合高分子薄膜，在真空对合腔中进行对位覆膜，其中复合高分子薄膜包括包裹滤波器芯片晶圆的正面电极的第一基材层，第一基材层外部设有相匹配的、起支撑作用的第二基材层，第一基材层的内部设有一圈与滤波器芯片晶圆的边缘相匹配的环状粘贴层。

公开(公告)号：CN110797290B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201911157159.3

申请日：2019-11-22

申请人： 无锡奥特维科技股份有限公司

发明人： 李文 ,  沈庆丰 ,  徐庆东

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种电池片处理设备、电池组件生产设备及电池片生产方法，电池片处理设备包括：电池片掰片输送装置，其包括形成夹角的第一平台、第二平台和贴合在第一平台和第二平台的表面上输送电池片的掰片输送带，掰片输送带上设置有吸附孔，第一平台上设置有为吸附孔提供吸附力的第一吸附机构，第二平台上设置有为吸附孔提供吸附力的第二吸附机构；规整装置，设置为能够规整至少两片电池片之间的相互位置；出料搬运装置，将电池片掰片输送装置所掰断的至少两个电池片搬运到规整装置上进行规整；下料搬运装置，从规整装置上同时拾取规整过的至少两个电池片并放置到料盒的各个隔室内。本发明提供的技术方案可以大大提高电池片的处理效率。

公开(公告)号：CN118866816A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311443911.7

申请日：2023-11-01

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金乾熙 ,  朴亨镇 ,  李承原

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304

摘要： 本发明涉及一种具有多个沟槽的改进的晶片和制造半导体装置的方法。所述晶片包括芯片区域和设置在芯片区域之间的第一划线道，以及设置在第一划线道中的第一沟槽图案。第一划线道在第一方向上延伸。第一沟槽图案包括在第一方向上彼此间隔开的多个第一沟槽组。

公开(公告)号：CN118825056A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467940.5

申请日：2024-04-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 尹俊浩 ,  权俊润 ,  朴海珉 ,  李光镕 ,  金帝成 ,  赵多莹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

摘要： 半导体芯片包括有源层，其在下面的基底衬底的顶表面上。有源层具有：(i)接合表面，在有源层中，接合表面界定底部有源层与在底部有源层上延伸的顶部有源层之间的界面，以及(ii)倒角边缘，其完全延伸穿过顶部有源层以完全暴露其侧壁，但仅部分地穿过底部有源层，使得倒角边缘的竖直高度大于顶部有源层的厚度但小于顶部有源层和底部有源层的组合厚度。还提供保护层，其覆盖有源层的顶表面的至少一部分。倒角边缘的底部的竖直高度可以高于基底衬底的顶表面的竖直高度。

公开(公告)号：CN117913017B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410081501.0

申请日：2024-01-19

申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司

发明人： 陈亮 ,  王伟明 ,  李华

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78

摘要： 本申请公开了一种薄膜半导体芯片制备方法和相应的制备结构。所述方法包括：在第一临时衬底上外延生长半导体芯片外延片；在半导体芯片外延片上制备复合金属衬底；通过第一腐蚀液腐蚀牺牲层，将半导体芯片外延片从第一临时衬底剥离；以复合金属衬底作为支撑，在半导体芯片外延片上进行后续芯片加工；以及去除第二临时衬底，获得薄膜半导体芯片。根据本申请的薄膜半导体芯片制备方法和相应的制备结构，设置了复合金属衬底，所述复合金属衬底包括薄膜金属层、截止层和第二临时衬底，因此，在芯片加工过程中，复合金属衬底具有足够的厚度和支撑能力，在芯片加工完毕后，通过去除第二临时衬底，可满足芯片薄膜化的要求；工艺简单，易于实施。

公开(公告)号：CN114603961B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202210379648.9

申请日：2022-04-12

申请人： 芊惠半导体科技(苏州)有限公司

发明人： 李丹丹

IPC分类号： B32B27/32 ,  B32B27/08 ,  B32B27/18 ,  C08L23/06 ,  C08K3/22 ,  C08L23/08 ,  C08J5/18 ,  C09J7/29 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种用于集成电路封装基板切割的保护膜基材，涉及半导体的技术领域，本发明的保护膜基材聚烯烃薄膜包括外表层、中间层以及内表层；其中，中间层是设置在外表层和内表层之间的，外表层和内表层均独立地主要由以下组分制备而成：纳米氧化锌、偶联剂、稀释剂以及低密度聚乙烯；中间层主要由以下组分制备而成：茂金属线性低密度聚乙烯、乙烯‑醋酸乙烯共聚物和/或聚乙烯弹性体以及抗氧化剂。本发明解决了聚烯烃薄膜容易产生静电电荷聚集的技术问题，达到了聚烯烃薄膜的表面电阻低、抗静电性能出色以及抗拉强度较佳的技术效果。

公开(公告)号：CN118782532A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202310341516.1

申请日：2023-03-31

申请人： 武汉新芯集成电路股份有限公司

发明人： 叶国梁 ,  胡胜 ,  占琼 ,  周俊 ,  孙鹏

IPC分类号： H01L21/71 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种切割方法、键合方法及芯片，通过形成保护结构，所述保护结构至少覆盖功能层的顶面，接着沿着所述切割道的厚度方向切割基板，通过所述保护结构保护所述功能层的顶面，由此在切割所述基板时，能够减少/避免产生的碎屑沾染到键合界面上，从而提高了键合界面的质量与可靠性。

公开(公告)号：CN118782481A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411232417.0

申请日：2024-09-04

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 郑芳 ,  陈飞洋 ,  林煜斌 ,  孙群峰 ,  周美根 ,  吕忠宏 ,  兰林林 ,  李国栋

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种塑封片的返工方法，涉及封装技术领域，该返工方法将待返工塑封片进行分割处理，形成了多个第一芯片。然后将第一芯片按照预设位置贴装在提供的载板的第一侧。由于重新利用了待返工塑封片上的第一芯片，并重新按照预设位置进行了贴装与封装，所以减少了由于待返工芯片报废导致的第一芯片浪费的问题。

公开(公告)号：CN118737855A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410078145.7

申请日：2024-01-19

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： 黄舜伟 ,  良仁勇

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488

摘要： 形成半导体封装件的方法的具体实施可包括：将多个管芯耦接到焊盘载体，该焊盘载体包括载体和多个焊盘；将该多个管芯引线键合到该多个焊盘；在该多个管芯上施加模制化合物；移除该载体；以及将多个半导体封装件切单。