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发明公开
对其中具有半导体芯片阵列的晶片切割的方法以及由此形成的半导体芯片审中-公开

公开(公告)号：CN118825056A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467940.5

申请日：2024-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹俊浩 , 权俊润 , 朴海珉 , 李光镕 , 金帝成 , 赵多莹

IPC: H01L29/06 , H01L23/31 , H01L21/78 , B23K26/38 , B23K101/40

Abstract: 半导体芯片包括有源层，其在下面的基底衬底的顶表面上。有源层具有：(i)接合表面，在有源层中，接合表面界定底部有源层与在底部有源层上延伸的顶部有源层之间的界面，以及(ii)倒角边缘，其完全延伸穿过顶部有源层以完全暴露其侧壁，但仅部分地穿过底部有源层，使得倒角边缘的竖直高度大于顶部有源层的厚度但小于顶部有源层和底部有源层的组合厚度。还提供保护层，其覆盖有源层的顶表面的至少一部分。倒角边缘的底部的竖直高度可以高于基底衬底的顶表面的竖直高度。

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