-
公开(公告)号：CN118800848A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411177679.1
申请日：2024-08-26
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/06 , H01L21/683
摘要： 本申请公开了一种Micro LED芯片的制备方法，包括：在第一基板上外延生长LED外延片；以第一基板为支撑基板，在LED外延片上进行LED芯片加工，制成阵列排布的LED芯片；在带有LED芯片的第一基板上涂布粘合剂，形成粘合剂层，通过粘合剂层将LED芯片粘合至第二基板；将LED芯片从第一基板分离；解除粘合剂的粘合作用，将LED芯片从第二基板批量释放，得到阵列排布的LED芯片。根据本申请的Micro LED芯片的制备方法，芯片结构基本上在第一基板上加工完成，在将芯片转移至第二基板时，芯片和第二基板之间采用粘合剂弱键合即可，不必采用金属键合或氧化物键合等复杂的键合工艺，键合工艺简单，芯片结构不易损坏，更有利于后续芯片的剥离和转移,特别适合红光Micro LED。
-
公开(公告)号：CN117747586B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311789887.2
申请日：2023-12-25
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/488 , H01L21/603 , H01L21/60
摘要： 本申请公开了一种柔性薄膜型芯片封装结构和封装方法，所述柔性薄膜型芯片封装结构包括：封装基板，所述封装基板具有相对的第一侧面和第二侧面，在第一侧面上具有贴片Pad、焊线pad,第二侧面上具有电极Pad,第一侧面和第二侧面之间具有贯穿的导电孔；在贴片pad上设置有对应待贴片的芯片外周尺寸的闭环阻挡层，导电胶填充在所述闭环阻挡层中；所述芯片设置在所述闭环阻挡层上，通过导电胶紧密贴合在封装基板的贴片Pad上。本申请的柔性薄膜型芯片封装结构和方法，解决了柔性超薄型光电芯片在贴片、焊线、封装过程中出现的贴片后芯片脱落、芯片位移、溢胶短路及焊线后金线脱落、虚焊等异常问题，提高了芯片封装良品率及产品的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117810334B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311853361.6
申请日：2023-12-29
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
摘要： 本申请提供一种LED芯片及其制作方法，LED芯片包括层叠设置的金属导电支撑层、P型窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型粗化层，其中，N型粗化层朝向限制层面包括限制层接触区以及N电极接触区，以及设置在所述N型粗化层背离所述N型限制层面的透明导电膜层。本申请LED芯片结构，避免金属电极遮挡LED出光，同时N型粗化层设计进一步增加出光，提高光提取效率，进而提高发光效率。
-
公开(公告)号：CN118136704A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410241465.X
申请日：2024-03-04
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0465 , H10K39/18 , H10K30/40 , H10K30/50
摘要： 本公开提供了一种柔性薄膜电池、CIC结构电池以及CIC组件。柔性薄膜电池在其厚度方向上设置有正电极、功能层和背电极，所述该柔性薄膜电池包括第一焊接区域和第二焊接区域，第一焊接区域位于所述正电极顶面，第二焊接区域位于所述背电极的底面，所述功能层包括工作区，所述工作区和第二焊接区域在垂直于柔性薄膜电池的厚度方向的平面上的投影互不重叠。CIC结构电池包括上述柔性薄膜电池、盖片、互连片，所述柔性薄膜电池通过粘接剂与盖片进行封装。
-
公开(公告)号：CN115928022B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211627809.8
申请日：2022-12-12
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
摘要： 本申请提供一种蒸镀设备、镀锅装置以及镀膜方法。所述蒸镀设备包括：镀锅装置和设置于镀锅装置上方的传动机构，所述镀锅装置包括多个间隔排列的环状固定架；可转动地承载于多个环状固定架上的多个环状转动部件，在所述环状转动部件的承载区域上承载待镀膜的工件；以及位于镀锅装置的转动轴线上的蒸发源。所述传动机构与各个环状转动部件相连，以驱动各个环状转动部件分别以不同的角速度围绕镀锅装置的转动轴线转动。根据本申请的蒸镀设备、镀锅装置以及镀膜方法，可以实现对具有不同旋转半径的环状转动部件的独立控制，因而便于调节镀锅上不同旋转半径处的蒸镀量，易于获得均匀的镀膜。
-
公开(公告)号：CN117766608A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311799725.7
申请日：2023-12-25
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本申请公开了一种柔性薄膜太阳能电池组件封装结构，顺序包括：前膜；前膜上的胶膜；胶膜上的太阳能电池组件，其中，太阳能电池组件嵌入胶膜中，在太阳能电池组件周围的胶膜中设置有增强纤维；以及太阳能电池组件和胶膜上的背面涂层。本申请通过优化电池背面支撑结构和优化组件封装工艺，降低了太阳能电池组件面密度，有利于提高搭载该组件的设备的续航能力。
-
公开(公告)号：CN115841969B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211597471.6
申请日：2022-12-12
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法。所述半导体器件激光钝化设备包括：载物台，用于承载半导体器件；第一定位组件，用于确定半导体器件上的异常部位的位置；激光发射系统，用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理；以及控制装置，用于控制半导体器件移动到载物台上的相对于激光束照射的目标位置。利用本申请的半导体器件激光钝化设备和钝化方法可实现对半导体器件上的异常部位的精准钝化。
-
公开(公告)号：CN115841969A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211597471.6
申请日：2022-12-12
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体器件激光钝化设备及钝化方法。所述半导体器件激光钝化设备包括：载物台，用于承载半导体器件；第一定位组件，用于确定半导体器件上的异常部位的位置；激光发射系统，用于根据所述异常部位的位置发射激光以对异常部位进行钝化处理；以及控制装置，用于控制半导体器件移动到载物台上的相对于激光束照射的目标位置。利用本申请的半导体器件激光钝化设备和钝化方法可实现对半导体器件上的异常部位的精准钝化。
-
公开(公告)号：CN115719786A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110976180.7
申请日：2021-08-24
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种二极管器件结构及其制备方法，所述二极管器件结构包括：PN结层，所述PN结层包括P型半导体层、N型半导体层和位于P型半导体层、N型半导体层之间的耗尽区；其中，在所述耗尽区内具有多量子阱结构，所述多量子阱结构包括周期性排列的多个量子阱单元，每个量子阱单元包括阱层和垒层；并且所述多量子阱结构中的各个阱层材料的禁带宽度小于所述P型半导体层和N型半导体层材料的禁带宽度。本申请的二极管器件结构及其制备方法，通过在PN结中引入抑制反向漏电流的多量子阱结构，能够在PN结材料的禁带宽度相对较低的情况下实现高的反向击穿电压，同时具有较低的正向导通电压。
-
公开(公告)号：CN111006768A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911124525.5
申请日：2019-11-15
申请人： 江苏宜兴德融科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种利用合金相变校准MOCVD设备温度的装置，包括：校温片，所述校温片包括相变材料层，所述相变材料层具有预定的相变温度点，所述校温片设置于MOCVD设备的样品处，通过相变材料层发生相变反应时校温片表面激光反射率突变来获得样品处的真实温度。本公开可在没有黑体炉及被测材料发射率参数未知情况下，对红外测温曲线进行校正，解决了MOCVD系统中红外测温曲线偏离真实样品温度的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
82 条记录 (耗时 0.05 秒)
