光伏组件的制作方法及光伏组件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119967926A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202311473466.9

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种光伏组件的制作方法及光伏组件,光伏组件的制作方法步骤:在焊接机台上铺设第一盖板;在第一盖板上铺设第一胶膜;在第一胶膜上排布第一电池串和第二电池串;通过焊接机的拾取部拾取提升第一电池串和第二电池串,并传输至焊接工位,在焊接工位焊接汇流条,将第一电池串和第二电池串的端部电连接形成电池串组,其中,提升过程包括连续的第一阶段和第二阶段,第一阶段的提升速度包括第一峰值,第二阶段的提升速度包括第二峰值,第一峰值小于第二峰值,本发明能够防止拾取部提升第一电池串和第二电池串时与第一胶膜粘片,提高产品良率。

    半导体承载系统及半导体设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119965145A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202311493276.3

    申请日:2023-11-09

    Inventor: 李华

    Abstract: 本发明提供了一种半导体承载系统及半导体设备,涉及半导体设备技术领域,为解决相关技术提供的半导体设备中,晶圆的温度均匀性差的问题而设计。该半导体承载系统包括承载装置和能够向承载装置的承载面与晶圆之间形成的导热空间供气的气路系统,该气路系统包括至少两路进气管路、排气管路和动力元件,每路进气管路均可通断地连接至导热空间,用于向导热空间输运热导率不同的导热气体;排气管路的一端可通断地连接至导热空间,用于将导热空间的气体排出,排气管路的另一端用于与动力元件连接,动力元件用于为排气管路以及每路进气管路提供气体流动动力。本发明不易将静电卡盘的不均匀性反映到晶圆上,提高了晶圆的温度均匀性。

    晶圆垫片抽出机构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119965138A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510442672.6

    申请日:2025-04-10

    Abstract: 本发明涉及晶圆键合技术领域,具体涉及一种晶圆垫片抽出机构,主要解决现有技术中缺乏既能满足空间需要又能避让机械手的抽出机构的技术问题。本机构包括固定框、活动块、升降驱动件、摆动驱动件、伸缩弹簧和执行杆组,通过升降驱动件带动按压杆升降能够为拨块提供竖直方向的按压动力,从而实现垫片的抽出,通过摆动驱动件能够带动活动块绕支撑杆的轴线转动,从而使得执行杆组倾斜,进而使得按压杆脱离晶圆键合卡盘的拨块上方,然后配合升降驱动件能够带动执行杆组下移至脱离晶圆键合卡盘所在区域,最终实现对机械手取放工作的避让。本机构能够满足安装空间需要,也能够实现对机械手取放动作的避让,设计巧妙,具有较好的应用前景。

    晶圆的自动化测试方法、装置和电子设备

    公开(公告)号:CN119965135A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510406578.5

    申请日:2025-04-02

    Abstract: 本发明提供了一种晶圆的自动化测试方法、装置和电子设备。其中,该方法包括:生成测试计划,并自动获取用户生成测试计划所填写的晶圆的参数信息,基于参数信息自动确定晶圆的边缘切割结果,将边缘切割结果与测试计划进行关联;其中,边缘切割结果包括待测裸片的边缘结果及待测裸片上各个测试结构是否被切割的完整结果;获取测试计划,遍历测试计划中需测试的待测裸片,基于测试计划关联的边缘切割结果判断待测裸片的测试结构是否可测试,对待测裸片进行自动测试。该方式中,可以自动计算出整张晶圆上可以测试的范围并进行晶圆的自动化测试,不需要依赖人工筛选,可以提高测试效率,也不会出现失误的情况。

    一种纳米气泡结合超声清洗晶圆表面纳米颗粒的系统及方法

    公开(公告)号:CN119965132A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510219851.3

    申请日:2025-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种纳米气泡结合超声清洗晶圆表面纳米颗粒的系统及方法,该系统包括:液体管道;气体管道;纳米气泡发生装置,利用超纯水和气体产生纳米气泡,制备纳米气泡溶液;溶液储存罐,用于储存纳米气泡溶液;超声波清洗机;干燥装置;以及水过滤系统;其中,纳米气泡在超声波作用下生长破裂,产生微射流和自由基,实现对晶圆表面的清洁。根据本发明提供的这种纳米气泡结合超声清洗晶圆的系统及方法,减少了化学清洗剂的使用,降低了清洗过程中表面图案的损伤,减少了清洗过程中超纯水的使用,增加了水资源的利用效率,提高了晶圆表面去除纳米颗粒的效率,在晶圆清洗和半导体制造清洗中具有良好的应用前景。

    一种晶圆上料贴膜装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119965125A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510069216.1

    申请日:2025-01-16

    Abstract: 本发明涉及一种晶圆上料贴膜装置,包括上抓取贴膜组件,用于对中并抓取晶圆,至少具有上切割筒及位于上切割筒内的真空碗;下切割贴膜组件,用于配合上抓取贴膜组件对膜进行裁切,并配合上抓取贴膜组件将裁切后的膜挤压贴附于晶圆上,至少具有下切割筒及安装于下切割筒内的挤压盘;以及驱动组件,用于驱动上抓取贴膜组件上料或下料;当真空碗吸附晶圆后上切割筒下行并使晶圆抵接于挤压盘上,上切割筒继续下行并使挤压盘退入下切割筒中,上切割筒与上切割筒合围并裁切膜后使膜在挤压作用下贴附于晶圆上。本发明提供的晶圆上料贴膜装置可在整个晶圆的上料、居中、贴膜、切割及下料过程均实现自动化操作,大大减少了人工干预的需求,提高了工作效率。

    半导体晶圆清洗效果的实时检测与监控方法

    公开(公告)号:CN119965108A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510039399.2

    申请日:2025-01-10

    Inventor: 江永 熊伟

    Abstract: 本发明涉及信息技术领域,具体涉及半导体晶圆制造技术领域的半导体晶圆清洗效果的实时检测与监控方法,包括:引入快速化学分析技术,结合电化学传感器和光谱分析,实时监测晶圆表面的金属离子残留,缩短检测周期,实现生产线上的即时反馈;构建实时反馈控制系统,根据综合评估模型的输出,自动调整清洗设备的工作参数,优化清洗过程,减少清洗液的使用量和环境影响;集成边缘计算技术,将数据处理和分析任务下沉到清洗设备端,减少数据传输延迟,提高实时监控和反馈控制的响应速度;开发可视化监控平台,将清洗过程的关键参数、检测结果和预测趋势以图形化方式展示,便于操作人员实时掌握清洗状态,快速响应异常情况。

    一种电子元器件树脂封装装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119965102A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510177017.2

    申请日:2025-02-18

    Inventor: 刘志国

    Abstract: 本发明公开了一种电子元器件树脂封装装置,涉及电子元器件树脂封装技术领域,包括装置主体,所述装置主体的上端设置有封装装置,所述封装装置的内部设置有辅助机构,所述装置主体包括清洁辊、传动轴、传送带,所述装置主体的底端固定连接有支撑腿,所述装置主体的一端顶部固定连接有立柱,所述传送带的内部设置有传送辊,所述传送辊的两端与装置主体轴连接。本发明通过设置传送带方便了元器件的连续封装,使元器件能够自动前进至注射头的底部,便于封装,通过第一电机驱动第三锥齿轮转动,带动传送辊转动,使传送带运转,通过第三锥齿轮带动传动轴转动,传动轴带动清洁辊转动,通过清洁辊对传送带的表面进行清洁处理,增加了装置使用的适用性。

    一种半导体晶圆预冷装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119958223A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411954500.9

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆预冷装置,包括:真空腔室、冷却组件、升降组件和靶送气组件,所述真空腔室用于提供晶圆预冷所需的真空环境,所述冷却组件密封贯穿在真空腔室内,以用于承载待冷却的晶圆,且冷却组件与外部冷源连接,以实现晶圆预冷却;所述靶送气组件用于输送惰性气体至真空腔室内;所述升降组件密封贯穿在真空腔室内,以用于带动晶圆在传输机械手与冷却组件之间传送。本发明具有结构紧凑、稳定性高且冷却效果显著等特点,晶圆在传输到靶盘前,通过预冷装置将晶圆冷却到80%的工艺温度,然后传输到靶盘上冷却至工艺温度后掺杂,避免了因晶圆与靶台温差较大,而影响晶圆的离子注入效率和品质。

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