全自动单晶圆清洗机及单晶圆清洗方法

    公开(公告)号:CN116936409B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202310885966.7

    申请日:2023-07-18

    Inventor: 江永 顾华平 熊伟

    Abstract: 本发明涉及晶圆清洗机领域的全自动单晶圆清洗机及单晶圆清洗方法,包括机架、电控箱和装载机构,机架与装载机构之间设置有上下料机械手,清洗区内由靠近上下料机械手的一端至远离上下料机械手的一端依次设置有中转校正机构、正面清洗机构、背面清洗机构和翻转机构,中转校正机构与翻转机构之间还设置有搬运机械手,通过装载机构、上下料机械手、中转校正机构、搬运机械手、翻转机构、背面清洗机构和正面清洗机构共同组成用于进行全自动高效清洗的自动化设备,整体自动化程度高,分别对晶圆的背面和正面进行三种组合式清洗,确保晶圆的背面和正面均能够被高效清洗且符合清洗要求,全自动工作可提高整体清洗效率。

    RCA槽式清洗设备药液浓度自动补偿系统及补偿方法

    公开(公告)号:CN117711986A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311802990.6

    申请日:2023-12-25

    Inventor: 江永 顾华平 熊伟

    Abstract: 本发明公开了RCA槽式清洗设备技术领域的RCA槽式清洗设备药液浓度自动补偿系统及补偿方法,药液浓度自动补偿系统包括补液箱、供液柜、药液槽、浓度机及控制器,补液箱与供液柜之间设有进液管与进液气动阀,补液箱与药液槽之间设有补液管与补液阀,一种补偿方法,步骤S1:待药液槽换液稳定25‑35分钟,药液于补液箱内部的液位高度达到第二配液液位后等待补液动作,步骤S2:设定药液补液时间间隔与补液时间,步骤S3:通过第二液位感应器实时检测药液于补液箱内部的液位高度是否到达第二配液液位;步骤S4:通过浓度机实时检测药液槽的浓度变化,若药液浓度缓慢升高或保持不变则进行下一周期补液,实现药液浓度自动补偿及自动补液。

    一种智能化晶圆刻蚀工艺
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119786396A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411991561.2

    申请日:2024-12-31

    Inventor: 江永 熊伟

    Abstract: 本发明涉及信息技术领域的一种智能化晶圆刻蚀工艺,包括:获取不同材料在各种药液配方下的刻蚀速率,构建覆盖多种材料体系的刻蚀速率数据库,通过比较数据库中的刻蚀速率差异,筛选出刻蚀选择性高的材料组合,确定针对性的药液配方优化方向;在刻蚀设备中安装多参数在线监测单元,采用光纤光谱仪实时测量药液浓度,采用热电偶和PH电极实时测量药液温度和酸碱度,当监测参数超出设定范围,启动药液配比调节程序,通过控制进液量和排液量,实现药液性质的动态调控,确保刻蚀工艺的稳定性和一致性。

    一种晶圆干燥装置及晶圆干燥方法

    公开(公告)号:CN118763019A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410738628.5

    申请日:2024-06-07

    Inventor: 江永 顾华平 熊伟

    Abstract: 本发明公开了晶圆干燥技术领域的一种晶圆干燥装置及晶圆干燥方法,包括清洗箱及排废箱,安装架设有横移组件,清洗箱内部设有喷杆组件,清洗箱设有排风管、第二排液管及第一排液管,清洗箱底部设有快排管及快排阀,洗箱内部设有花篮,安装架设有摆臂机构,安装架的另外一端设有起泡器组件、加热器及排风管组件,排风管设置于第二排液管的上端,在液位降低过程中,喷杆喷射低表面张力的液体和气体,在晶圆表面形成表面张力梯度,激活马兰戈尼效应,从而有效地去除污染物,干燥方法包括以下步骤:步骤S1,晶圆装载,步骤S2,预清洗,步骤S3,晶圆清洗,步骤S4,晶圆干燥,步骤S5,晶圆卸载,该步骤能更进一步地提高晶圆清洗的洁净度。

    一种智能半导体晶圆喷淋控制方法及系统

    公开(公告)号:CN119650470A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411781552.0

    申请日:2024-12-05

    Inventor: 江永 熊伟

    Abstract: 本发明提供一种智能半导体晶圆喷淋控制方法及系统,包括:根据所述晶圆的材质和表面粗糙度,从预设的喷淋时间‑晶圆属性关联数据库中获取该晶圆的推荐清洗时间范围;将前三步得到的所述子区域喷淋参数进行整合,形成晶圆表面清洗方案,所述清洗方案包括各所述子区域的喷嘴布局、喷嘴数量、喷淋液成分和温度,将所述清洗方案传输给喷淋控制单元;清洗完成后,将所述晶圆表面图像与预设的标准图像进行比对,计算两者的相似度,若所述相似度低于预设阈值,则将该晶圆的编号和清洗参数记入异常清洗日志,同时将该晶圆传送至不合格品缓存区,本发明的喷淋控制提高了清洗效率和质量,减少了资源浪费,为半导体制造提供了先进的清洗解决方案。

    半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统

    公开(公告)号:CN119650411A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411781558.8

    申请日:2024-12-05

    Inventor: 江永 熊伟

    Abstract: 本发明公开了信息技术领域的半导体晶圆清洗系统的清洗方法和控制系统,半导体晶圆清洗系统的控制方法,包括以下步骤:获取晶圆表面图像,采用图像分割算法处理所述晶圆表面图像,识别所述晶圆表面图像中的污染区域和非污染区域,根据所述污染区域的面积、形态和灰度特征,判断所述晶圆表面的污染程度和污染类型;记录每批次晶圆的清洗过程数据,所述清洗过程数据包括清洗配方、清洗参数、清洗时间、清洗剂用量、污染去除率和表面损伤情况,应用大数据分析技术,挖掘不同型号晶圆的最优清洗工艺,动态更新优化所述清洗配方数据库,以提高清洗效率和良率。

    一种玻璃基板表面粗糙化的方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119409424A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411569026.8

    申请日:2024-11-05

    Inventor: 江永 熊伟

    Abstract: 本发明及玻璃基板领域的一种玻璃基板表面粗糙化的方法,通过将冲洗后的玻璃基板浸泡于第一浸泡KOH溶液池中进行预粗糙化处理,可初步调整玻璃基板表面的粗糙度,使其更易于接受后续的二次粗糙化处理,将第一次浸泡粗糙化的玻璃基板放置入第二浸泡KOH溶液池内进行二次粗糙化处理,并采用超声波发生器对第二浸泡KOH溶液池中的KOH溶液进行均匀扩散处理,同时,通过搅拌装置对KOH溶液进行搅拌,使第二浸泡KOH溶液池中的KOH溶液可对玻璃基板进行均匀的刻蚀,提高对玻璃基板粗糙化的刻蚀效率和质量,以及通过实时监测第二浸泡KOH溶液池的KOH溶液中空化气泡尺寸分布和硅离子浓度以调整超声波发生器,优化处理过程,增强粗糙化的效率和质量。

    一种用于晶圆清洗的加热装置及加热方法

    公开(公告)号:CN118782500A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410838025.2

    申请日:2024-06-26

    Inventor: 江永 顾华平 熊伟

    Abstract: 本发明涉及加热装置领域的一种用于晶圆清洗的加热装置及加热方法,包括机体,机体内设置有加热腔和电控腔,加热腔内设置有用于加热清洗液的加热组件,电控腔内设置有用于控制加热组件工作的电控组件,所述加热组件包括加热罐、进液控制阀和出液控制阀,加热罐设置有六个以上,六个以上的加热罐之间通过管道进行依次连通,六个以上依次连通的加热罐中的首个加热罐和末尾加热罐分别与进液控制阀和出液控制阀连通,清洗液按顺序依次流经六个以上的石英罐体,提高加热效率,加热效果更加均匀,实现快速升温,温感探头和发热管不与加热室内的清洗液接触,避免高温使金属部分稀释出的金属离子与清洗液混合,有效地防止清洗液被污染。

    半导体晶圆清洗效果的实时检测与监控方法

    公开(公告)号:CN119965108A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510039399.2

    申请日:2025-01-10

    Inventor: 江永 熊伟

    Abstract: 本发明涉及信息技术领域,具体涉及半导体晶圆制造技术领域的半导体晶圆清洗效果的实时检测与监控方法,包括:引入快速化学分析技术,结合电化学传感器和光谱分析,实时监测晶圆表面的金属离子残留,缩短检测周期,实现生产线上的即时反馈;构建实时反馈控制系统,根据综合评估模型的输出,自动调整清洗设备的工作参数,优化清洗过程,减少清洗液的使用量和环境影响;集成边缘计算技术,将数据处理和分析任务下沉到清洗设备端,减少数据传输延迟,提高实时监控和反馈控制的响应速度;开发可视化监控平台,将清洗过程的关键参数、检测结果和预测趋势以图形化方式展示,便于操作人员实时掌握清洗状态,快速响应异常情况。

    一种晶圆干燥装置及晶圆干燥方法

    公开(公告)号:CN118763019B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202410738628.5

    申请日:2024-06-07

    Inventor: 江永 顾华平 熊伟

    Abstract: 本发明公开了晶圆干燥技术领域的一种晶圆干燥装置及晶圆干燥方法,包括清洗箱及排废箱,安装架设有横移组件,清洗箱内部设有喷杆组件,清洗箱设有排风管、第二排液管及第一排液管,清洗箱底部设有快排管及快排阀,洗箱内部设有花篮,安装架设有摆臂机构,安装架的另外一端设有起泡器组件、加热器及排风管组件,排风管设置于第二排液管的上端,在液位降低过程中,喷杆喷射低表面张力的液体和气体,在晶圆表面形成表面张力梯度,激活马兰戈尼效应,从而有效地去除污染物,干燥方法包括以下步骤:步骤S1,晶圆装载,步骤S2,预清洗,步骤S3,晶圆清洗,步骤S4,晶圆干燥,步骤S5,晶圆卸载,该步骤能更进一步地提高晶圆清洗的洁净度。

Patent Agency Ranking