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公开(公告)号：CN119581460A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411783408.0
申请日：2024-12-05
Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种测试结构及测试方法，其中测试结构包括：测试有源区，包括第一部、第二部和连接部，连接部连接第一部的一端和第二部的一端；测试栅极结构，包括第一部、第二部和连接部，连接部连接第一部的一端和第二部的一端；测试共享导电插塞，测试共享导电插塞与测试栅极结构的连接部和测试有源区的连接部均电连接；第一测试衬垫；第二测试衬垫；第三测试衬垫；第四测试衬垫；第五测试衬垫。所述测试结构减小了测试结构的寄生电阻，提升了测试结构的测试精度；并且，测试结构还适于量测测试有源区的方块电阻以及测试栅极结构的方块电阻，节省测试面积的同时实现对测试结构更精准的监控。
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公开(公告)号：CN119581358A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411182977.X
申请日：2024-08-27
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 一种半导体封装切割系统，包括切割装置，用于对包括多个半导体封装的条带的至少一部分进行部分切割，检查装置，安装在所述切割装置后面，用于将待切割的第一条带供给所述切割装置并接收和检查所述切割装置切割的第二条带，以及存储装置，安装在所述检查装置后面，用于将存储于所述存储装置的第一条带供给所述检查装置并接收和存储所述检查装置检查的第二条带。所述检查装置包括检查台，用于将所述第一条带或所述第二条带放置在所述检查台上并沿第一方向移动所述第一条带。
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公开(公告)号：CN119581355A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411815428.1
申请日：2024-12-11
Applicant: 深圳市三维机电设备有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/687 , H01L21/68 , B08B5/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体加工用晶圆自动检测设备，涉及晶圆激光检测领域，包括底座以及底座上端固定安装的顶板，且顶板的右侧上端固定安装有驱动电机，并且驱动电机的输出端固定安装有螺纹杆，所述底座的上端放置有晶圆检测板，所述螺纹杆的表面螺纹安装有活动块，且所述顶板的上端开设有限位槽。该一种半导体加工用晶圆自动检测设备，设置有能够进行多位置调节激光检测的组件，在需要对晶圆检测板进行检测时，将其放置在底座上，活动块的左右移动带动后端的电动伸缩杆在滑动件的限位下，移动角杆前后移动带动其右侧固定安装的激光检测仪，激光检测仪的移动能够通过其本身来进行扫描监测晶圆的尺寸，可多位置便捷调节，便于工作人员使用。
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公开(公告)号：CN119581354A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411664259.6
申请日：2024-11-20
Applicant: 广东工贸职业技术学院
Inventor： 吴倩
IPC: H01L21/66 , G06F30/20 , G01R31/26 , H10D30/47 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种用于含黑磷的场效应晶体管的性能评价方法及装置，方法具体包括如下步骤：制备含黑磷的场效应晶体管；通过在第一可控环境变量的电学特性测量，给出场效应晶体管的传输模型；获取偏压温度不稳定性数据，分析失效行为；结合沟道缺陷及表面电势的表征，优化场效应晶体管的传输模型、以及对失效行为的分析；结合优化后的传输模型及对失效行为的分析，实现针对含黑磷的场效应晶体管的性能评价。本发明将电学特性测量、偏压温度不稳定性数据的失效分析以及缺陷与表面电势的表征进行融合，给出优化后的传输模型及失效行为分析，能够更有效的指导含黑磷的场效应晶体管中异质结材料选取、场效应晶体管器件结构设计及制备工艺的优化。
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公开(公告)号：CN119581339A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411784858.1
申请日：2024-12-05
Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面；在所述功能面表面形成功能层结构；获取所述晶圆的翘曲情况；根据所述翘曲情况，对所述非功能面表面进行至少一次应力中和处理，形成应力中和结构，所述应力中和结构包括至少一层应力层，所述应力中和处理包括：在所述非功能面表面形成初始应力层；对所述初始应力层进行应力增强处理，形成所述应力层。所述晶圆的翘曲情况得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119576686A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411561239.6
申请日：2024-11-04
Applicant: 苏州威达数据科技有限公司
Inventor： 王洲
Abstract: 本申请提供了一种晶圆的芯粒测试数据监控方法、装置、电子设备及存储介质，包括：芯粒接受测试等待站点接收芯粒接受测试站点发送的目标批次下待检测晶圆的芯粒测试数据文件，并对芯粒测试数据文件进行文件解析确定出目标批次下待检测晶圆的多个芯粒测试数据；在芯粒接受测试等待站点处基于预设的默认配置规则组、客制化规则组以及配置产品参数列表中的至少一种对多个芯粒测试数据进行规则判断，确定出目标批次下待检测晶圆的多个判断结果；若目标批次下待检测晶圆的任一判断结果为失败，则基于的默认配置规则组以及客制化规则组所对应的决策信息确定出所述目标批次下所述待检测晶圆的下一步执行动作，从而提高晶圆的芯粒测试数据的管控精度。
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公开(公告)号：CN119400742B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510012675.6
申请日：2025-01-06
Applicant: 粤芯半导体技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种快速热处理机台的温度确定方法，包括：获取通过在硅衬底上生成氮化硅层而得到的初始检测衬底；确定用于描述快速热处理机台的机台温度与氮化硅层的蚀刻速率之间的关系表达式；将初始检测衬底运送至显示温度为预设机台温度的待测快速热处理机台，按照预设热处理条件对初始检测衬底进行快速热处理，并测量快速热处理后得到的第一检测衬底的第一检测厚度值；对第一检测衬底进行预设时间段的氢氟酸蚀刻，并测量蚀刻后得到的第二检测衬底的第二检测厚度值；依据第一检测厚度值、第二检测厚度值和预设时间段，确定出针对初始检测衬底的氮化硅层的实际蚀刻速率；依据实际蚀刻速率和关系表达式，确定出实际蚀刻速率对应的实际机台温度。
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公开(公告)号：CN119275164B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411799986.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 迈为技术(珠海)有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开一种晶圆承载装置及晶圆加工设备，承载装置包括：平移机构、升降机构、旋转机构以及承载平台，承载平台与旋转机构连接，旋转机构连接于升降机构，平移机构内形成有平移空间，升降机构设置于平移空间内；旋转机构包括第一壳体、第一驱动组件以及旋转轴，承载平台安装于旋转轴的一端；升降机构包括第二壳体和第二驱动组件，第二壳体与平移机构连接，第二驱动组件与第一壳体连接，第二壳体内形成有升降腔体，升降腔体的内壁面设有节流组件，第一壳体能够在升降腔体内无接触地实现上下升降。本装置实现三个机构接近共面，降低了系统工作重心，缩减了系统竖直方向尺寸，缩减运动部件质量，提高了整个系统的运行精度及定位精度。
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公开(公告)号：CN111029330B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201911338331.5
申请日：2019-12-23
Applicant: 杭州广立微电子股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G01B7/16
Abstract: 本发明提供应用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构，并基于该测试结构提供一种测试方法，用于检测FinFET工艺特点所导致边缘鳍的弯曲问题；用于FinFET工艺中探测边缘鳍形变的测试结构，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围在3－1000根之间，鳍的宽度在1－50nm之间，鳍长度在0.1－1000um之间，相邻鳍之间的距离在1－100nm之间。
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公开(公告)号：CN119560446A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411775155.2
申请日：2024-12-05
Applicant: 深圳市鸿源欣材料有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及选片机构技术领域，具体为集成电路封装过程中的选片机构，包括检测筛选台，所述检测筛选台的的下方四个角处分别固定设置有支撑台柱，检测筛选台上开设有检测通孔，所述检测通孔两侧的检测筛选台上对称固定设置有支撑安装板，所述支撑安装板上开设有活动安装孔，且支撑安装板一旁的检测筛选台上开设有移动通道，所述移动通道中固定设置有支撑载杆，本发明还涉及一种驱动组件，包括电动伸缩杆，所述电动伸缩杆上固定安装有驱动载板，所述驱动载板上安装有检测器，且驱动载板上固定设置有定位配合块，所述定位配合块插接在定位配合孔中，驱动载板上对称开设有配合通道，且驱动载板的下方对称固定设置有导向插接杆。
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