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公开(公告)号：CN119581394A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311145914.2
申请日：2023-09-06
Applicant: 深圳市矩阵多元科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种真空镀膜和刻蚀设备中翘曲基片的支撑方法，支撑方法包括以下步骤：将附带有传感器的多个顶针放置于基片的下方；多个顶针同时准备上升，去承接安置在机械手或者基片台上的基片；顶针下部的传感器在顶针上升过程中进行顶针是否接触基片，并传递信号给控制器；传感器或者控制器传递“顶针还没有接触基片”信号给执行器，执行器驱动顶针继续上升；执行器收到“顶针已经接触基片”信号时立刻停止顶针，如此运作直到所有顶针都接触基片。本发明的真空镀膜和刻蚀设备中翘曲基片的支撑方法能够精准地托举不同的基片，并确保基片在升降过程中不会在顶针上产生滑移。
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公开(公告)号：CN119560423A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411552202.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 楚赟精工科技(上海)有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/54 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/54
Abstract: 本申请提供一种承载基座传送方法及半导体加工系统。半导体加工系统包括转运装置、中转室、主控装置和至少二个工艺室。中转室内设有可调节承载区域尺寸的缓存装置。承载基座传送方法中，主控装置获取并通过接收到的至少一工艺室的信息判断需要执行承载基座转出步骤的工艺室；主控装置控制转运装置将工艺室中的承载基座向中转室转运，主控装置获取并根据接收到的承载基座的尺寸信息控制缓存装置调节承载区域尺寸以与承载基座尺寸相适配；主控装置控制转运装置将承载基座放置在已调整好承载区域尺寸的缓存装置上，使不同尺寸承载基座转运集中在一条产线进行，且同一缓存装置可以容纳不同尺寸承载基座，提高各缓存装置的存储灵活性及利用率。
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公开(公告)号：CN119530769A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411910489.6
申请日：2024-12-24
Applicant: 嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于前驱体源源瓶加热技术领域，涉及一种用于原子层沉积设备的源瓶加热装置，包括：外壳组件，用于装载源瓶；所述外壳组件内设置有密闭空间，所述密闭空间用于装载所述源瓶；加热组件，用于加热所述源瓶；所述加热组件设置于所述密闭空间内，且至少部分包裹所述源瓶；所述加热组件至少部分伸出所述外壳组件。本申请提供的一种用于原子层沉积设备的源瓶加热装置可以使前驱体受热均匀，具有控温精度高、易拆卸、保温性能好、耐用性佳的优良特性。
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公开(公告)号：CN119530752A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411669496.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 江苏费曼半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳‑金属复合薄膜及其制备方法、应用，属于碳纳米材料技术领域，用于解决现有技术中碳‑金属复合薄膜制备成本较高、效率不高和电磁屏蔽性能有待进一步提升的问题，其中碳‑金属复合薄膜的制备方法包括采用化学气相沉积方法制备出了金属薄膜I；经刻蚀，得到金属薄膜II；金属薄膜II加入酸性溶液中，加入苯胺和APS，反应，得到碳‑金属复合薄膜；由本发明提供的制备方法降低了成本、效率更高，且制备得到的碳‑金属复合薄膜不仅提高了稳定性，具有良好的电测屏蔽性能，更适用于电子领域。
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公开(公告)号：CN119530744A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411156687.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C14/54
Abstract: 本申请涉及沉积设备及操作沉积设备的方法。沉积设备包括：基础衬底；静电吸盘，在基础衬底上；以及板，在静电吸盘上。板具有其中布置第一磁体单元的第一区域和其中布置第二磁体单元的第二区域。第一磁体单元以第一距离彼此间隔开，并且第二磁体单元以第二距离彼此间隔开。第二距离大于第一距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119506853A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411690042.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 云厚勤
Abstract: 本发明提供一种改善非晶硅膜厚均一性的方法，包括：提供初始非晶硅膜层，并记录形成初始非晶硅膜层的初始工艺数据，初始工艺数据包括初始沉积压强和初始载气流量；检测初始非晶硅膜层的厚度，获取初始非晶硅膜层中心区域与边缘区域的厚度差异；基于厚度差异改变初始沉积压强和初始载气流量，以得到目标工艺数据。本发明中基于非晶硅膜层中心区域与边缘区域的厚度差异调试沉积压强和载气流量，非晶硅膜层呈“凹”型均一性较差时降低沉积压强和载气流量，非晶硅膜层呈“凸”型均一性较差时增加沉积压强和载气流量，通过改变沉积压强和载气流量平衡反应气体在中心区域与边缘区域的反应速率，极大程度改善厚度均一性，可将厚度均一性调至3％以内。
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公开(公告)号：CN119506844A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411702875.6
申请日：2024-11-26
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体设备技术领域，特别是涉及加热装置、镀膜设备及镀膜设备的使用方法。在本申请实施例中，通过将加热主体分为中间区域和边缘区域，将中间区域分为多个中间分区，并将位于加热主体的中心的中间分区设置为第一中间分区，位于第一中间分区的两侧的中间分区设置为第二中间分区，使得加热主体位于第一中间分区的部分、位于第二中间分区的部分以及位于边缘区域的部分被配置为独立控制，从而使得加热主体的各部分区域可分别进行控温，进而可根据镀膜情况来调控不同区域的温度，有利于提升镀膜质量。
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公开(公告)号：CN119506826A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411650665.7
申请日：2024-11-18
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线及其制备方法。该纳米线结构特征为从内到外依次是Bi丝/Bi2Se3壳层/Se量子点。本发明提供了一种Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线的制备方法，利用简单的化学气相沉积方法，通过以Bi和Bi2Se3粉末作为生长源，以镀有金(Au)膜的硅片(Si)作为生长衬底，在惰性气体作为载气的条件下，加热到一定温度后经反应制备而成。同时，所制备的Bi/Bi2Se3/Se核壳结构纳米线不仅具有独特的异质结构，而且形态规整，呈现出典型的一维特征。复合结构中的核壳层和纳米线/量子点异质结构所形成的特殊界面，赋予其独特的功能特性。此外，本发明提出的制备方法步骤简便，能够实现快速且大量的合成，同时对环境污染较小，操作简便，具有较强的可推广性。因此，本发明具有重要的研究价值和广阔的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116180038B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211452024.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 佳能特机株式会社
IPC: C23C14/56 , C23C16/54 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , H10K71/16 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、膜厚测量方法以及电子器件的制造方法，在进行基板的膜厚测量的装置中抑制装置的大型化。成膜装置对基板进行成膜。测量头测量形成于基板的膜的厚度。移动部件使测量头移动。
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公开(公告)号：CN119491207A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411126787.6
申请日：2024-08-16
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 公开了使用多室反应器沉积硅的方法和系统。示例性方法包括执行一个或多个沉积循环以及执行处理、蚀刻和/或固化过程。
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