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公开(公告)号：CN118883988A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410904700.7
申请日：2024-07-08
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种干涉型FP腔光机加速度传感器，包括依次键合在一起的顶盖层、功能层以及底盖层晶圆；所述顶盖层内表面以及底盖层上表面均开设有相同形状的凹槽，且顶盖层凹槽与底盖层凹槽接合，形成一个具有一定体积的空腔；所述功能层放置在所述空腔内，所述功能层包括悬臂梁以及与悬臂梁连接的质量块；所述顶盖层的内表面以及所述质量块的上表面均设置有分布布拉格式高反膜。本发明还提供了一种干涉型FP腔光机加速度传感器的制造方法，通过分别制作顶盖层、功能层以及底盖层，且完成顶盖层、功能层以及底盖层的制作后，将三片晶圆顺序键合，垂直集成在一起形成一个加速度传感器。本发明提供的加速度传感器，具有制造方便制程简易的优点。
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公开(公告)号：CN118742179A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411223702.6
申请日：2024-09-03
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种热电膜的制备方法、热电膜及热电器件，制备方法包括提供衬底和热电材料，所述热电材料为碲化锑粉末或碲化铋粉末，所述热电材料中碲的原子百分比在62%‑67%之间；采用近空间升华工艺，在所述衬底上沉积所述热电材料，形成热电膜。本发明采用近空间升华工艺取代常见的磁控溅射工艺，显著提高了热电材料的沉积效率，降低生产成本；通过对近空间升华所用的源材料的组分进行预先调整，增加碲元素的含量，有效降低了沉积时碲元素挥发造成的损失，避免热电膜出现大的组分偏差，从而保证了热电膜的性能。
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公开(公告)号：CN118671890A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310258944.8
申请日：2023-03-16
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种非对称定向耦合器及制备方法，通过两个对称耦合直波导、两个具有不同宽度的相位控制直波导、四个锥形波导和四个弯曲波导构建非对称定向耦合器的主体结构，来自输出端的TE模式光源或TM模式光源进入波导后，在对称耦合直波导传播时，光将从一个波导耦合到另一个波导，在经过非对称的相位控制波导部分时，限制在每个波导中的光在没有耦合的情况下传播产生光波相移，之后再耦合，并最终从两个输出端输出，通过使用不对称波导可在两个对称的耦合直波导之间引入小的相移，以补偿对称耦合器的波长相关耦合比，本发明在解决偏振依赖性的基础上，可进一步构成宽带低损耗的非对称定向耦合器，且整体器件尺寸较小。
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公开(公告)号：CN118579722A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410667950.3
申请日：2024-05-28
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供的一种非制冷红外探测器制造工艺，包括如下步骤：步骤一：在沉积非制冷红外探测器桥腿薄膜的晶圆上进行BARC涂布，在BARC涂布层上方涂覆一层光阻层；步骤二：对包含BARC涂布层以及光阻层的晶圆进行光刻，光刻区域为桥腿非保留区域，光刻后进行显影去除桥腿非保留区域的光阻层；步骤三：对桥腿非保留区域的BARC涂布层以及所述薄膜进行刻蚀，得到含有光阻层以及BARC涂布层的桥腿区域；步骤四：去除桥腿区域上的光阻层以及BARC涂布层。本发明在保证桥腿刻蚀后，桥腿结构完整的同时，还能够有效的去除在桥腿结构加工过程中残留的光阻层以及BARC涂布层。
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公开(公告)号：CN110416406B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910746121.3
申请日：2019-08-13
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明涉及磁存储器领域，尤其涉及一种磁存储器件，包括固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；所述自由层具有相对的第一面和第二面，所述第二面较所述第一面远离所述通道隔离层，所述第一面与所述第二面不平行。本发明能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流，减小磁存储器件体积。
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公开(公告)号：CN118507344A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310126833.1
申请日：2023-02-16
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/768 , G03F7/32 , G03F7/36
摘要： 本发明提供一种金属电极及其制备方法，该金属电极的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，并形成覆盖衬底上表面的隔离介质层；图案化隔离介质层，以形成贯穿隔离介质层的开口；形成填充开口并覆盖隔离介质层上表面的黏附层，并于黏附层上表面形成阻挡层及导电层，以得到金属电极膜层结构；提供一包括前置反应剂、缓冲剂及至少两种主刻蚀剂的电极刻蚀剂，于导电层的上表面形成图案化的光刻胶层；基于图案化的光刻胶层刻蚀金属电极膜层结构，且仅采用电极刻蚀剂对金属电极膜层结构进行刻蚀。本发明通过对电极刻蚀剂的改进，使改进后的电极刻蚀剂中包括多种主刻蚀剂，利用前置反应剂与每种主刻蚀剂的结合同步刻蚀金属电极膜层结构，简化了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN118416969A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310095232.9
申请日：2023-01-31
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本申请提供一种一体化微流控装置，所述装置包括：液滴发生模块，其产生液滴；加热模块，其通过第一连接部件接收由所述液滴发生模块产生的液滴，并对液滴进行加热；以及检测对象接收模块，其通过第二连接部件接收由所述加热模块加热后的液滴。本申请能够避免外部设备进行样品的转移时导致的样品污染等问题。
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公开(公告)号：CN118231316A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211642631.4
申请日：2022-12-20
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
发明人： 王诗男
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/46 , H01L21/30
摘要： 本发明提供一种支撑基板及其制备方法、以及半导体基板的加工方法，该支撑基板中的凹坑结构形成一种挖空设计，使得在键合半导体基板时，只有半导体基板的边缘与支撑基板环形的外围部贴合，不会对半导体基板尤其是制作器件的中心区域造成损伤。由于缩小了接触面，从而减少对半导体基板表面造成损伤。进一步地，通过在外围部设置沟槽可以使得键合时界面处产生的气体可以更好的扩散至外界环境，避免产生气泡等缺陷，另外沟槽也有利于释放键合时产生的应力，提升键合强度。同时，在去除键合层解键合的过程中，因为沟槽的存在，腐蚀液体、气体或等离子体比较容易接近半导体基板与支撑基板的键合界面，从而能更加有效地将键合层去除。
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公开(公告)号：CN118050852A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211429315.9
申请日：2022-11-15
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种具有通孔的硅光芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层，半导体包括基底层及位于基底层上的波导层，波导层包括在水平方向上依次排列且间隔设置的第一波导、第二波导及第三波导；形成包层于基底层上，包层覆盖波导层；形成间隔设置的第一通孔及第二通孔于包层中，第一通孔显露第一波导的一侧面，第二通孔显露第二波导的顶面与两侧面，并显露第三波导的顶面及两侧面。本发明采用光刻刻蚀、干法刻蚀及湿法刻蚀的组合刻蚀方法去除第一波导、第二波导及第三波导周围的预设区域的包层介质以形成通孔，在刻蚀过程中能够避免增大波导的表面粗糙度，降低波导的传输损耗，从而提高器件的性能。
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