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公开(公告)号：CN119212540A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411320287.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种倒装式片上微波功率传感器及制备方法，包括传输基板和微波功率传感器，所述传输基板和微波功率传感器通过金属凸点进行倒装焊的形式进行封装；所述微波功率传感器的芯片上设置有金属凸点，所述传输基板设置有与所述金属凸点匹配的金属引脚或焊盘，通过加热和压力使得微波功率传感器芯片上的所述金属凸点与基板上的所述金属引脚或焊盘粘接。本发明测试频率范围为1‑50GHz范围，测试灵敏度高，且封装体积小，集成化程度高，便于封装测试。
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公开(公告)号：CN119156109A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411278644.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 陈昱衡
Abstract: 本发明涉及热电器件技术领域，提供了一种半导体温差发电片的制作方法，包括以下步骤：S1、准备；S2、烧结绝缘层：对铝合金均温板1的一面进行烧结使之形成绝缘物质，构成绝缘层2；S3、烧结铜片层：将铜片贴在绝缘层上进行烧结固定构成导电铜片3；S4、焊接发电堆：在铜片上焊接NP电堆，每对铝合金均温板1分别焊接A板电路和B板电路；S5、粘贴气凝胶：在铜片上P粒籽和N粒籽之间空隙处覆盖粘贴气凝胶4；S6、合模。本发明通过铝合金均温板和气凝胶的设置，使得温差发电片的热量利用率大幅提升，并且基于烧结绝缘层的操作确保了对外绝缘的基本要求，使得铝合金均温板能够用于温差发电片的制作。
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公开(公告)号：CN119012892A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411175414.8
申请日：2024-08-26
Applicant: 深圳市大兆芯能科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种温差发电芯片及制备方法，所述芯片包括：第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元；第一基板和第二基板相对设置；其中，第一电极位于第一基板的下表面，第二电极位于第二基板的上表面；第一电极和第二电极之间设置有干个热电臂单元；其中，热电臂单元包括一个由P型热电材料制成的热电臂和一个由N型热电材料制成的热电臂；第一基板在每个热电臂相对的位置开设有槽孔；其中，第一基板朝向热端；太阳能吸收层位于第一基板和每个槽孔的上表面。本发明可以提高温差发电芯片在冷端和热端两端的温差，进而增强芯片发电效率。
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公开(公告)号：CN118922046A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410986976.4
申请日：2024-07-23
Applicant: 厦门烨映电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种热电堆和透镜的封装方法，包括以下步骤提供热电堆，所述热电堆的连接面上设置有芯片区域、金属区域和打线区域，所述芯片区域、所述金属区域和所述打线区域从内至外排列；将焊料固定在透镜以形成整体结构；将所述整体结构的焊料与所述热电堆的金属区域对齐，并在压力作用下使所述整体结构的焊料和金属区域连接，以得到所述热电堆和所述透镜的封装结构，无需设计专门的治具来放置焊接片，同时避免手动放置焊接片而造成的位置偏移，制作方便，且有效提升制作效率。
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公开(公告)号：CN118647250B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411104425.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 珠海硅芯科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有温差发电结构的三维集成电路及其工作方法，三维集成电路包括基材，基材上方形成有堆叠结构，堆叠结构包含有二层以上的功能芯片，在至少一层功能芯片的外侧设置有至少一个外围硅通孔结构，堆叠结构的上方设置有散热结构；基材与散热结构之间形成有至少一个沿堆叠结构的堆叠方向延伸的通孔，通孔穿过功能芯片和/或外围硅通孔结构，堆叠结构内设置有至少一个发电芯片，发电芯片与通孔连接；功能芯片工作所产生的热量通过通孔传导至发电芯片，发电芯片利用热端点与冷端点之间的温度差形成电流。本发明还提供上述三维集成电路的工作方法。本发明在三维集成电路内设置发电芯片，提升三维集成电路的散热效率，降低设计、生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118742179A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411223702.6
申请日：2024-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种热电膜的制备方法、热电膜及热电器件，制备方法包括提供衬底和热电材料，所述热电材料为碲化锑粉末或碲化铋粉末，所述热电材料中碲的原子百分比在62%‑67%之间；采用近空间升华工艺，在所述衬底上沉积所述热电材料，形成热电膜。本发明采用近空间升华工艺取代常见的磁控溅射工艺，显著提高了热电材料的沉积效率，降低生产成本；通过对近空间升华所用的源材料的组分进行预先调整，增加碲元素的含量，有效降低了沉积时碲元素挥发造成的损失，避免热电膜出现大的组分偏差，从而保证了热电膜的性能。
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公开(公告)号：CN118591249A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410682488.4
申请日：2024-05-29
Applicant: 湖北冰芯半导体科技有限公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , H10N10/855
Abstract: 本发明公开了一种TiO2基柔性热电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1.将高纯TiO2粉末与高纯Ti粉混合后进行球磨，得热电粉末；S2.将粘结剂溶解于溶剂中，加入热电粉末，超声分散，搅拌均匀，得热电浆料；S3.采用丝网印刷工艺将热电浆料刷制到柔性基底上，干燥，冷压，即得所述TiO2基柔性热电薄膜。本发明的制备方法具有无需高精密设备、操作简单、制膜速度快、成本低、适宜于工业化大规模生产等优势，制得的薄膜厚度可控，具有较高的Seebeck系数和ZT值，热电性能优异。
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公开(公告)号：CN118510365A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410564064.8
申请日：2024-05-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于热电转换技术领域，尤其涉及一种具有无机硒化银‑银交替结构的热电棉线及其制备方法。热电棉线包括P型银棉线段、N型硒化银棉线段、银导电层和聚二甲基硅氧烷封装层，其中，P型银棉线段和N型硒化银棉线段分别作为棉线的一段以交替出现的形式构成交替结构；其制备方法为：1、棉线预处理；2、原位生长银纳米颗粒；3、N型硒化银棉线段的制备；4、刮除覆盖层并涂覆导电银浆形成银导电层；5、聚合物封装。本发明的热电棉线的制备方法简单、成本低，易于大规模生产；将热电棉线通过纺织、缝纫、编织等工艺结合在一起，具有良好的柔性、透气性和可穿戴性，具有更加广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118302024A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410385762.1
申请日：2019-01-22
Applicant: LG伊诺特有限公司
IPC: H10N10/17 , H10N10/82 , H10N10/80 , H10N10/855 , H10N10/856
Abstract: 根据本发明的一个实施例的热电元件包括：第一金属基板；第一树脂层，设置在所述第一金属基板上；第二树脂层，设置在所述第一树脂层上；第一电极，设置在所述第二树脂层上；半导体结构，设置在所述第一电极上；以及第二金属基板，设置在所述半导体结构上，其中所述第二树脂层包括所述第一电极与所述第一树脂层之间的第一区域以及所述第一区域之外的第二区域，其中，所述第二区域包括沿平行于所述第一金属基板的水平方向厚度减小的区域，并且其中所述第二区域的最大厚度大于所述第一树脂层的最大厚度。
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公开(公告)号：CN109962152B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201711418759.1
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都万应微电子有限公司
Inventor： 黄玲玲
Abstract: 本发明公开了一种热电冷却基板及封装方法、集成电路芯片及封装方法，该热电冷却基板封装方法包括在承载板上制作至少一个与热电耦合器件相对应的器件通孔组，并将热电耦合器件嵌入器件通孔组内；在热电耦合器件对应的位置开孔，并裸露出热电耦合器件上的管脚；在承载板上制作穿透承载板的穿模通孔；在穿模通孔内填镀通孔金属；在承载板的底部和顶部分别制作与通孔金属和管脚电连接的内层布线层；制作覆盖内层布线层的外层介质层；在穿模通孔对应的位置去除外层介质层形成盲孔；制作通过盲孔与管脚电连接的外层布线层，外层布线层覆盖外层介质层；制作覆盖外层布线层的阻焊层。实施本发明，提高集成电路芯片的散热功能，实现小型化。
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