一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118979220A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411076802.0

    申请日:2024-08-07

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/35 C23C14/02

    摘要: 本发明公开了一种硅掺杂类金刚石复合润滑涂层及其制备方法与应用,属于耐磨涂层技术领域。该硅掺杂类金刚石复合润滑涂层包括用于在基底表面依次设置的SiC打底层和Si‑DLC功能层;其中,SiC打底层具有柱状结构,SiC打底层的厚度为0.3μm~0.4μm;Si‑DLC功能层具有致密的无特征结构,Si‑DLC功能层的厚度为2.0μm~5.0μm。该涂层能够同时具有低摩擦、高硬度、高韧性、高耐磨以及抗开裂性能。其制备方法简单,易操作,具有沉积温度低、成膜均匀、重复性好以及实用性广等特点。所得的涂层既可用于硬质基底,也可用于柔性基底,极大拓宽了类金刚石薄膜的应用范围。

    一种具有双重复合纳米微结构的金属陶瓷光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN118957496A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411048644.8

    申请日:2024-08-01

    申请人: 晋中学院

    发明人: 王晓波

    摘要: 本发明公开了一种具有双重复合纳米微结构的金属陶瓷光谱选择性吸收涂层及其制备方法,属于材料制备技术领域,该金属陶瓷光谱选择性吸收涂层,自基体向外依次包括金属铬红外反射层、AlCrNbSiTiON吸收层和AlCrO减反射层,所述AlCrNbSiTiON吸收层由双重层状复合纳米微结构构成;所述层状复合纳米微结构由FCC结构的高熵氮氧化物纳米粒子和非晶陶瓷电介质组成。该涂层兼具良好的光谱选择吸收性能和热稳定性,其吸收率高于0.91,发射率低于0.15,并可在500℃、大气条件下稳定400h以上。

    一种基于Al材的PVD镀膜方法

    公开(公告)号:CN118957493A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411073413.2

    申请日:2024-08-06

    发明人: 汪达文 李振

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/34 C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种基于Al材的PVD镀膜方法,属于PVD镀膜领域。包括步骤:S1:基底Al材进行清洗;S2:对镀膜室进行加热及抽真空;S3:通入氩气,使气压达到预定值,设置偏压,进行阳极清洗;S4:设置偏压,开启中频镀膜电源,同时开启Al、Ti靶材,沉积AlTi层;S5:通入C2H2气体,并同时保持Al、Ti靶开启,沉积AlTiC层;S6:关闭C2H2气体,关闭中频Al靶电源,保持Ti靶开启,沉积纯Ti层;S7:打开C2H2气体,同时开启Al、Si、Ti靶,沉积TiAlSiC层,结束镀膜。与现有技术相比,本申请通过对打底层、过渡层、面层的元素的选择,实现各层之间的硬度过渡和电位过渡,既能够保证膜层具有优异的耐腐蚀性能;又能够合理的实现硬度梯度过度,有效提升膜层表面的抗加载性能。

    一种复合多层结构的TiAlN/AlTiN/ZrN涂层刀具及制备方法

    公开(公告)号:CN118957492A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411040436.3

    申请日:2024-07-30

    IPC分类号: C23C14/06 C23C14/32 C23C14/54

    摘要: 本发明涉及金属切削刀具技术领域,尤其涉及一种复合多层结构的TiAlN/AlTiN/ZrN涂层刀具及制备方法。本发明的复合多层结构的TiAlN/AlTiN/ZrN涂层刀具,包括基体材料以及通过PVD工艺镀在基体材料表面的多层材料层,所述第一材料层为TiAlN层;所述第二材料层为AlTiN层;所述第三材料层为ZrN层;所述第四材料层为AlTiN层;所述第五材料层为ZrN层;所述第六材料层为AlTiN层;所述第七材料层为ZrN层,其涂层结合力为108N,纳米硬度为33.43GPa,切削力为73N,后刀面磨损量为0.12mm,具有高强度以及高韧性,且结合力高,其涂层刀具切削寿命远高于传统AlTiN涂层刀具的寿命。

    一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN118946237A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410845420.3

    申请日:2024-06-27

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: H10N15/10 C23C14/06 C23C14/48

    摘要: 本发明涉及一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法,本发明的单畴化纳米级热释电单晶薄膜在绝缘的热释电薄膜层与隔离层之间增加一层较薄的热释电消除层,其材质与热释电薄膜层材料一致,但面法线方向的极性反向,既达到了改善热释电晶体薄膜电荷积累的效果,同时其材料与热释电薄膜层材料同材质,具有相同的物理性质,对薄膜压电、热释电、电光系数等无影响,本发明结构中热释电薄膜层具备高极化强度特点。与现有技术中在复合薄膜正反两面做电极的方式相比,不引入额外的电极等与薄膜异质的材料,工艺相对简单,成本低,应力小,避免了由于热释电薄膜层与电极之间的薄膜脱落问题等。