知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

38897 条记录 (耗时 0.02 秒)

    一种半导体器件中双沟槽制备方法
    1.
    发明公开
    一种半导体器件中双沟槽制备方法

    公开(公告)号：CN118983340A

    公开(公告)日：2024-11-19

    申请号：CN202411096046.8

    申请日：2024-08-09

    申请人： 上海鼎泰匠芯科技有限公司

    发明人： 王石阁 ,  陈正嵘

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

    摘要： 本发明公开了一种半导体器件中双沟槽制备方法，应用于半导体制备领域，本发明利用一张光罩制备图形化第一掩膜层，且仅在对应主沟槽待刻蚀区域保留第一掩膜层，并在保留的第一掩膜层侧部制备第二掩膜层侧墙，且在两主沟槽待刻蚀区域之间，相对应的两个第二掩膜层侧墙之间形成暴露出衬底的子沟槽待刻蚀区域，而后去除主沟槽待刻蚀区域处剩余的第一掩膜层，并基于第二掩膜层侧墙未遮挡的区域刻蚀衬底，以通过一张光罩完成对双沟槽的制备，无需利用两张光罩分次制备两种线宽的沟槽，缩减了工艺步骤，降低了制备成本，提高了生产效率。

    锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品
    2.
    发明公开
    锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品

    公开(公告)号：CN118979304A

    公开(公告)日：2024-11-19

    申请号：CN202411461160.6

    申请日：2024-10-18

    申请人： 深圳平湖实验室

    发明人： 崔新春 ,  张道华 ,  胡浩林 ,  万玉喜

    IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C30B33/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

    摘要： 本公开实施例提供了一种锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品，生长的金刚石单晶外延层在降温过程中会出现应力不均匀而实现自剥离，因此可以省去金刚石单晶外延层的传统切割研磨工艺。并且，剥离的金刚石单晶外延层的第一表面直接含有第一锡终端区域，无需单独的第一锡终端区域的制备工艺流程，简化锡终端区域的制备流程。另外，本公开的制备方法可以一次获得2片单面锡终端金刚石，降低了金刚石单晶的加工制备成本与时间，提高了成品率，与现有的工艺兼容。并且，第一非锡终端区域和第二非锡终端区域可以作为后续制作的器件间的隔离区，因此本公开实施例在后续制备锡终端金刚石器件时，不需要做器件隔离，简化了工艺步骤。

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置

    公开(公告)号：CN118974946A

    公开(公告)日：2024-11-15

    申请号：CN202380032549.6

    申请日：2023-03-17

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 青野正规 ,  后田敦史

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    摘要： 一种半导体装置，包含：芯片，其具有一侧的第一面以及另一侧的第二面；多个IGBT区，其隔开间隔地设置于所述芯片；边界区，其在所述芯片设置于多个所述IGBT区之间的区域；第一导电型的阴极区，其在所述边界区形成于所述第二面的表层部；第二导电型的阱区，其在所述边界区形成于所述第一面的表层部。