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公开(公告)号：CN221994452U
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202323575020.5
申请日：2023-12-26
申请人： 杰平方半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/538
摘要： 本实用新型公开了一种芯片及数字隔离器，属于集成电路技术领域，该芯片，包括衬底、介质层、绝缘材料层、上极板、下极板和互连柱，衬底中具有传输电路，介质层位于衬底和绝缘材料层之间，第一金属互连结构的底部与传输电路相连，顶部与下极板相连，第二金属互连结构的顶部与互连柱相连，互连柱远离第二金属互连结构的一端露出绝缘材料层，上极板位于绝缘材料层顶部，并与下极板之间具有所需厚度的绝缘材料层。能够使用常规工艺预先制作介质层等结构，通过设置绝缘材料层，并在绝缘材料层上形成上极板，不仅可以根据需求设置厚度，还能够选取制造成本较低的材料，减少了工艺流程，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN221041122U
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202321366756.9
申请日：2023-05-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
摘要： 本实用新型实施例涉及一种半导体结构，其特征在于其包括：晶体管结构；互连结构，其耦合到所述晶体管结构，所述互连结构包括石墨烯复合金属线；层间电介质层，其位于所述石墨烯复合金属线上；及石墨烯复合通路，其位于所述层间电介质层中，耦合到所述石墨烯复合金属线。
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公开(公告)号：CN220627803U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202321834754.8
申请日：2023-07-12
申请人： 摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/768
摘要： 本公开涉及半导体封装结构以及包括其的芯片。一种半导体封装结构包括：多层基板核，所述多层基板核是通过减小单层基板核的厚度并在所述单层基板核上施加积层而形成的；以及嵌入在所述多层基板核中的Si电容。根据本公开的半导体封装结构，能够显著降低嵌入式电容的ESL和ESR，提高电容的性能，同时还能保证基板核的机械强度，并减少ABF层的层数。本公开还涉及包括这样的半导体封装结构的芯片。
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公开(公告)号：CN220543910U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202321902585.7
申请日：2023-07-18
申请人： 江苏帝奥微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开了一种降低高速开关通道金属寄生电容金属结构，其中结构包括：包括一开关MOS管、衬底层、第一钝化层、顶层金属层及高分子介质层；所述衬底层上依次设置有所述第一钝化层及所述高分子介质层，所述顶层金属层设置在所述第一钝化层上，且所述开关MOS管设置在所述衬底层上；本实用新型通过设置增加一层重布线金属层就相当于在现有硅工艺金属中增加了多层金属介质层的效果，可以低成本高效地降低寄生电容，提升高速开关的带宽。
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公开(公告)号：CN220456415U
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202321891790.8
申请日：2023-07-18
申请人： 江苏帝奥微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开了一种高速开关通道结构，包括：开关MOS管、顶层金属层、P阱层、深N阱层及衬底；所述衬底上依次设置有所述深N阱层及所述P阱层，所述顶层金属层设置在所述P阱层远离所述深N阱层的一侧，且所述开关MOS管设置在所述衬底上；本实用新型通过在高速电路的通道金属下方的衬底地上，形成多个PN结，通过反向偏置各个PN结，形成串联PN结电容，实现降低高速通道金属对地寄生电容的效果。
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公开(公告)号：CN220358069U
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202321864508.7
申请日：2023-07-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/08
摘要： 揭示了一种半导体装置。在一个态样中，揭示了至少一个主动深沟槽电容器。至少一个主动深沟槽电容器包括多个导电层和设置在这些导电层的相邻导电层之间的绝缘层。半导体装置包括设置在至少一个主动深沟槽电容器的相对侧上的多个虚拟深沟槽电容器，这些虚拟深沟槽电容器和至少一个主动深沟槽电容器以列设置。半导体装置包括连接至主动深沟槽电容器的导电层的多个导电结构。虚拟深沟槽电容器与至少一个主动深沟槽电容器绝缘。
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公开(公告)号：CN219873523U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202320491042.4
申请日：2023-03-15
申请人： 福建省晋华集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 本实用新型公开了一种半导体元件，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本实用新型的半导体元件可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
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公开(公告)号：CN219861639U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202223131662.1
申请日：2022-11-24
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C25D17/00 , H01L21/768 , C25D17/12 , C25D21/14 , C25D21/12
摘要： 本申请涉及一种电镀系统。所述电镀系统包括：可操作以容纳阴极电解液的第一隔室和可操作以容纳阳极电解液的第二隔室，其中，所述第一隔室和所述第二隔室由离子选择性隔膜隔开；所述第一隔室中的传感器，所述第一隔室中的所述传感器可操作以测量阴极电解液pH和阴极电解液金属离子浓度中的至少一个；和在所述第一隔室与所述第二隔室之间的导管，所述导管可操作以将所述阳极电解液的一部分输送到所述阴极电解液，而不使所述阳极电解液的所述一部分通过所述离子选择性隔膜。
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公开(公告)号：CN219534469U
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202223534382.5
申请日：2022-12-28
申请人： 泉州市三安集成电路有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L25/16 , H01L25/18
摘要： 本实用新型公开了一种晶圆级器件封装结构及封装体结构，该晶圆级器件封装结构包括若干个第一器件、围挡层、封盖层、塑封层和引出部，第一器件包括声表面波滤波器，声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘，塑封层包覆若干第一器件，并使塑封层的正面与第一器件的正面平齐，围挡层设于塑封层和第一器件的正面，并具有裸露焊盘的第一通孔和裸露功能区的第二通孔，封盖层设于围挡层上，并具有与第一通孔配合相通的第三通孔，封盖层与第二通孔围合形成空腔，第一通孔和第三通孔内填充金属构成与焊盘相接的导电结构，引出部与导电结构连接，实现轻薄化和高度集成化的封装。
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公开(公告)号：CN219513091U
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202223364715.4
申请日：2022-12-14
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/522 , H01L21/56 , H01L21/768
摘要： 本公开的实施例涉及用于集成电路的再分布层以及集成电路。一种用于集成电路的再分布层，包括：导电互连层；导电体部，与所述导电互连层电接触；绝缘区域，围绕所述导电体部，所述绝缘区域在所述导电体部的表面处具有孔；绝缘介电保护层，其在所述绝缘区域上、并且部分地在所述导电体部的所述表面上延伸，所述绝缘介电保护层具有小于100nm的厚度，并且所述绝缘介电保护层被配置为对所述导电体部提供针对氧化和/或腐蚀的保护。利用本公开的实施例有利地允许实现电晶片分选测试，而不需要预蚀刻步骤，从而保持了热机械稳定性。
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