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公开(公告)号：CN109411358B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201810921906.5
申请日：2018-08-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 一种半导体器件包括：第一导电结构，包括具有侧壁和底面的第一部分，其中，第一导电结构嵌入在第一介电层中；以及隔离层，包括第一部分和第二部分，其中，隔离层的第一部分加衬里于第一导电结构的第一部分的侧壁，并且隔离层的第二部分加衬里于第一导电结构的第一部分的至少部分底面。本发明的实施例还提供了有隔离层衬里的互连结构。
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公开(公告)号：CN109411358A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810921906.5
申请日：2018-08-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 一种半导体器件包括：第一导电结构，包括具有侧壁和底面的第一部分，其中，第一导电结构嵌入在第一介电层中；以及隔离层，包括第一部分和第二部分，其中，隔离层的第一部分加衬里于第一导电结构的第一部分的侧壁，并且隔离层的第二部分加衬里于第一导电结构的第一部分的至少部分底面。本发明的实施例还提供了有隔离层衬里的互连结构。
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公开(公告)号：CN221057422U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202322677077.X
申请日：2023-10-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 一种半导体装置包含基板、金属‑绝缘体‑金属结构、互连结构、第一接触衬垫与第二接触衬垫。金属‑绝缘体‑金属结构位于基板内，其中金属‑绝缘体‑金属结构包含具有第一极性的多个第一电极以及具有第二极性的多个第二电极。互连结构位于基板上方，其中互连结构包含电性连接第一电极与第二电极的多个导电通道，其中导电通道在互连结构中彼此绝缘。第一接触衬垫位于互连结构上方。第二接触衬垫位于互连结构上方，其中第一接触衬垫电性连接对应第一电极的导电通道的第一部分，第二接触衬垫电性连接对应第二电极的导电通道的第二部分。
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公开(公告)号：CN220873579U
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202322607950.8
申请日：2023-09-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/528 , H01L23/525 , H01L23/544
摘要： 揭露一种用于提升被动装置裸晶的制造良率的半导体结构。半导体结构包括设置在基板上的第一组和第二组电容器、设置在第一组和第二组电容器上的互连结构、分别设置在第一及第二导电线上的第一和第二接合结构，及分别连接第一导电线和第二导电线的第一测量结构和第二测量结构，第一和第二接合结构配置以分别测量第一组及第二组电容器。互连结构包括分别连接到第一和第二组沟槽式电容器的第一和第二导电线。第一接合结构电性连接到第一组电容器，且第二接合结构与第一和第二组电容器电性隔离。第一和第二测量结构彼此电性隔离。
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公开(公告)号：CN220358069U
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202321864508.7
申请日：2023-07-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/08
摘要： 揭示了一种半导体装置。在一个态样中，揭示了至少一个主动深沟槽电容器。至少一个主动深沟槽电容器包括多个导电层和设置在这些导电层的相邻导电层之间的绝缘层。半导体装置包括设置在至少一个主动深沟槽电容器的相对侧上的多个虚拟深沟槽电容器，这些虚拟深沟槽电容器和至少一个主动深沟槽电容器以列设置。半导体装置包括连接至主动深沟槽电容器的导电层的多个导电结构。虚拟深沟槽电容器与至少一个主动深沟槽电容器绝缘。
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