公开(公告)号：CN109686706A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810026310.9

申请日：2018-01-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈信良 ,  颜振轩 ,  罗汉棠

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L23/538

摘要： 本揭露提供一种半导体结构。在一实施方式中，半导体结构包含：元件区域、虚拟区域以及至少一热导体。元件区域具有至少一半导体元件。虚拟区域与元件区域接触。此至少一热导体嵌入虚拟区域。

公开(公告)号：CN109411358B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201810921906.5

申请日：2018-08-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈信良 ,  叶俊彥 ,  方郁歆 ,  罗汉棠

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 一种半导体器件包括：第一导电结构，包括具有侧壁和底面的第一部分，其中，第一导电结构嵌入在第一介电层中；以及隔离层，包括第一部分和第二部分，其中，隔离层的第一部分加衬里于第一导电结构的第一部分的侧壁，并且隔离层的第二部分加衬里于第一导电结构的第一部分的至少部分底面。本发明的实施例还提供了有隔离层衬里的互连结构。

公开(公告)号：CN109411358A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810921906.5

申请日：2018-08-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈信良 ,  叶俊彥 ,  方郁歆 ,  罗汉棠

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 一种半导体器件包括：第一导电结构，包括具有侧壁和底面的第一部分，其中，第一导电结构嵌入在第一介电层中；以及隔离层，包括第一部分和第二部分，其中，隔离层的第一部分加衬里于第一导电结构的第一部分的侧壁，并且隔离层的第二部分加衬里于第一导电结构的第一部分的至少部分底面。本发明的实施例还提供了有隔离层衬里的互连结构。