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公开(公告)号：CN120046678A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510119115.0
申请日：2025-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各项实施例是关于一种用于向量矩阵运算的光子电路。源像素被配置为产生光束。光学扇出结构被配置为产生该光束的多个副本。多个调制器像素被配置为分别以个体透射率透射该多个副本以产生多个透射光束。多个检测器像素被配置为分别响应于该多个透射光束而累积电荷。控制器被配置为控制该源像素及多个调制器像素以调制该光束的强度及这些个体透射率以执行向量矩阵乘法运算。调制强度以对输入行向量进行时间编码，且调制这些个别透射率以对权重矩阵的对应列向量进行时间编码。本公开的实施例还提供了一种执行乘积累加(MAC)运算的方法。
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公开(公告)号：CN120035193A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510108976.9
申请日：2025-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种包括用于源极/漏极(S/D)及/或散热器的高卡帕(high‑κ)材料的半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、堆叠在衬底之上的多个沟道层、包覆多个沟道层的栅极结构以及配置在栅极结构的相对侧处的衬底之上并连接多个沟道层的S/D区。S/D区的材料包括具有单晶结构的高导热材料，例如热导率大于1000W/mK的砷化硼(BAs)。在此情况下，高导热材料可有效发散半导体结构所产生的热量，从而提高半导体结构的良率与可靠性。
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公开(公告)号：CN120035162A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510130316.0
申请日：2025-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D30/01 , C09G1/02 , H10D30/62 , H01L21/321
Abstract: 在实施例中，方法包括：在介电层中形成开口；用导电材料填充开口；以及对导电材料和介电层实施化学机械抛光工艺，化学机械抛光工艺包括浆料，浆料包括：磨料，磨料包括二氧化钛‑二氧化硅混合颗粒；以及氧化剂。本申请的实施例还涉及化学机械抛光浆料及其形成方法。
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公开(公告)号：CN120033160A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510130325.X
申请日：2025-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/427 , H01L21/52
Abstract: 示例性散热盖包括：导热外壳，具有上部板和下部板；第一虹吸芯结构，设置在下部板上并且跨越下部板的开口；以及中空内部区域，设置在上部板和下部板之间以及上部板和第一虹吸芯结构之间的导热外壳内。下部板的开口配置为接收设置在集成电路(IC)管芯上的第二虹吸芯结构。在一些实施例中，散热盖还包括设置在中空内部区域中以及上部板和下部板之间的导热柱。在一些实施例中，开口是第一开口，导热外壳还具有从下部板延伸的安装法兰，并且安装法兰限定用于接收IC管芯的第二开口。本申请的实施例还涉及散热盖、封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN120033093A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510130317.5
申请日：2025-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/263 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/306
Abstract: 用于接合晶圆的方法包括对第一晶圆的第一表面执行清洁工艺，以及对第一表面执行表面活化工艺。表面活化工艺选自以下构成的组：等离子体表面活化工艺，包括从工艺气体生成等离子体，其中使用过滤器来去除等离子体中的离子，并且其中使用等离子体的剩余未带电部分来处理第一表面；激光表面活化工艺，使用激光束；酸表面活化工艺，使用酸；和碱表面活化工艺，使用碱。在表面活化工艺之后，对第一表面执行冲洗工艺。将第一晶圆的第一表面接合到第二晶圆的第二表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120018572A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411902178.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体装置结构的形成方法包括自含有交错堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层的半导体层堆叠形成鳍状结构；以蚀刻制程移除第二半导体层的边缘部分；在蚀刻制程之后，对第二半导体层的露出表面进行后处理制程，以自第二半导体层的露出表面移除残留物。方法亦包括在后处理制程之后，对第二半导体层的处理后表面进行预清洁制程。方法亦包括形成内侧间隔物以接触第二半导体层的处理后表面。
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公开(公告)号：CN120018571A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411636392.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文公开了用于堆叠器件结构(如互补场效应晶体管(CFET))的栅极介电材料和相关方法。一种示例性方法包括在半导体沟道层上方形成二维(2D)介电材料。在一些实施例中，该方法还包括在2D介电材料上方沉积栅极介电层。在一些示例中，该方法还包括在栅极介电层上方形成金属栅电极。在各种实施例中，偶极子基本上形成在2D介电材料内，其中偶极子被配置为调制半导体器件的阈值电压(Vt)。本申请的实施例还公开一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN120015715A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510119105.7
申请日：2025-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56
Abstract: 提供了封装结构。封装结构包括：衬底；封装组件，接合至衬底；盖，设置在封装组件和衬底上方；以及界面结构，夹置在封装组件之间。封装组件包括：第一管芯；第二管芯，通过底部填充物与第一管芯横向间隔开；以及模塑料，邻近第一管芯和第二管芯。界面结构包括：粘合层，设置在底部填充物和模塑料上方；以及热界面材料(TIM)层，位于粘合层、第一管芯和第二管芯上方。本申请的实施例还涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN120009702A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510124508.0
申请日：2025-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体器件的测试方法和系统。该方法包括将封装半导体器件放置在测试器上，并将热管理组件与所述封装半导体器件的上表面接合。使用所述测试器测试所述封装半导体器件，并在测试期间向所述热管理组件的第一区域传递第一热条件，同时向所述热管理组件的第二区域传递第二热条件。所述第一热条件不同于所述第二热条件。本申请的实施例还提供了一种调节半导体结构的热环境的方法。
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公开(公告)号：CN119993905A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411914699.2
申请日：2024-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 根据本揭露的一些实施例，揭露制造半导体组件结构的方法以及半导体组件结构。所述方法包括通过依序形成彼此堆栈的传热层以及夹在传热层之间的背侧金属化结构来形成背侧连接结构。至少一个传热层的形成包括执行退火工艺，以将绝缘材料层转变为具有纳米晶粒和沿纳米晶粒的晶界分布的掺杂剂的绝缘纳米结构材料层。
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