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公开(公告)号：CN120035162A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510130316.0
申请日：2025-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D30/01 , C09G1/02 , H10D30/62 , H01L21/321
Abstract: 在实施例中，方法包括：在介电层中形成开口；用导电材料填充开口；以及对导电材料和介电层实施化学机械抛光工艺，化学机械抛光工艺包括浆料，浆料包括：磨料，磨料包括二氧化钛‑二氧化硅混合颗粒；以及氧化剂。本申请的实施例还涉及化学机械抛光浆料及其形成方法。
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