公开(公告)号：CN120009702A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510124508.0

申请日：2025-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴存晏 ,  江幸达 ,  刘士玮 ,  言玮 ,  何军

IPC: G01R31/28 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种半导体器件的测试方法和系统。该方法包括将封装半导体器件放置在测试器上，并将热管理组件与所述封装半导体器件的上表面接合。使用所述测试器测试所述封装半导体器件，并在测试期间向所述热管理组件的第一区域传递第一热条件，同时向所述热管理组件的第二区域传递第二热条件。所述第一热条件不同于所述第二热条件。本申请的实施例还提供了一种调节半导体结构的热环境的方法。

公开(公告)号：CN118645485A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410640612.0

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江幸达 ,  林柏尧 ,  吴存晏 ,  刘士玮 ,  言玮 ,  何军

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体器件封装件通过提供热模块来提供半导体管芯的热考虑。包括设置在衬底上的IC管芯的衬底定位在热模块的上板和下板之间。热管连接上板和下板。热模块允许从下板以及上板的散热路径。在一些实施方式中，液体冷却板定位在衬底和热模块的上板之间。根据本申请的实施例，还提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119965166A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510071537.5

申请日：2025-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘士玮 ,  江幸达 ,  吴存晏 ,  言玮

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/427 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开的各个实施例针对半导体封装结构，该半导体封装结构包括支撑结构，支撑结构具有与第二表面相对的第一表面。第一集成电路(IC)芯片位于支撑结构的第一表面上。盖结构位于支撑结构的第二表面上。蒸汽室设置在支撑结构中并且置于第一IC芯片的至少部分上方。本公开的实施例还提供了形成半导体封装结构的方法。

公开(公告)号：CN119812136A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411883248.7

申请日：2024-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘士玮 ,  江幸达 ,  吴存晏 ,  言玮

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/427

Abstract: 提供了半导体封装件及其形成方法。半导体封装件包括具有上表面和下表面的衬底、安装在上表面上的第一集成电路器件以及安装在下表面上的第二集成电路器件。蒸汽室(VC)形式的第一热扩散器位于第一集成电路器件上方。蒸汽室形式的第二热扩散器位于第二集成电路器件上方。传热构件在衬底的两侧上热耦合第一热扩散器和第二热扩散器。本申请的实施例还涉及半导体封装件和从半导体封装件散热的方法。

公开(公告)号：CN118645479A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410654558.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏尧 ,  江幸达 ,  吴存晏 ,  刘士玮 ,  言玮 ,  何军

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 集成电路(IC)结构包括底部层级IC管芯以及一个或多个顶部层级IC管芯。一个或多个顶部层级IC管芯的第一侧接合至底部IC管芯。支撑衬底耦合至一个或多个顶部层级IC管芯的第二侧。多个导电衬底通孔(TSV)每个垂直延伸穿过支撑衬底。金属盖结构设置在支撑衬底上方。金属盖结构热耦合至导电TSV。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。