公开(公告)号：CN120018572A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411902178.5

申请日：2024-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蓝伯威 ,  廖志腾 ,  林侑立 ,  廖亚威

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 半导体装置结构的形成方法包括自含有交错堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层的半导体层堆叠形成鳍状结构；以蚀刻制程移除第二半导体层的边缘部分；在蚀刻制程之后，对第二半导体层的露出表面进行后处理制程，以自第二半导体层的露出表面移除残留物。方法亦包括在后处理制程之后，对第二半导体层的处理后表面进行预清洁制程。方法亦包括形成内侧间隔物以接触第二半导体层的处理后表面。

公开(公告)号：CN119133215A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411098085.1

申请日：2024-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  吴中书 ,  廖亚威

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体制造方法，包含：在基板上形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包含至少一个牺牲磊晶层及至少一个通道磊晶层；在磊晶堆叠中形成鳍片；在鳍片的多个通道区上形成牺牲栅极堆叠；在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成多个栅极侧壁间隔物；进行多个前处理操作以从至少一牺牲磊晶层移除多个杂质；凹陷至少一牺牲磊晶层以形成空腔；在空腔中形成内部间隔材料；形成多个源极/栅极特征；移除鳍片中的牺牲栅极堆叠及至少一牺牲磊晶层；以及形成金属栅极以取代牺牲栅极堆叠及至少一牺牲磊晶层，其中内部间隔材料具有足够抵抗磊晶损伤的厚度。