公开(公告)号：CN109817581B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201811251062.4

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  曾建华 ,  吴中书 ,  蔡雅怡 ,  陈嘉仁 ,  魏安祺

IPC: H10D84/03 ,  H01L21/762

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)材料上方形成多个金属栅极堆叠；形成围绕金属栅极堆叠的栅极间隔件；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层与栅极间隔件至低于金属栅极堆叠的顶表面的一高度处；在已凹陷的层间介电层与该栅极间隔件上方形成多个护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。

公开(公告)号：CN112309868A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010317194.3

申请日：2020-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴中书 ,  胥颖亚 ,  潘擎宇 ,  曹修豪 ,  魏安祺 ,  邱远鸿

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置形成方法，包括在基底上形成鳍片，在基底上形成绝缘材料，凹蚀绝缘材料以形成环绕鳍片的隔离区，其中鳍片的上部于隔离区的上方突出，执行修整工艺以减少鳍片的上部的宽度，以及形成延伸至隔离区上方与鳍片的上部的上方的栅极结构。

公开(公告)号：CN115881766A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210638146.3

申请日：2022-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建智 ,  潘韵如 ,  杨思齐 ,  颜智洋 ,  林士豪 ,  吴中书 ,  宇德安 ,  陈世强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧壁部分在纳米结构的第一侧壁上方。半导体器件结构包括在侧壁部分的相对侧上的第一内间隔件和第二内间隔件。第一内间隔件的第一宽度和第二内间隔件的第二宽度之和大于侧壁部分的沿鳍结构的纵向轴线测量的第三宽度。本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119133215A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411098085.1

申请日：2024-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  吴中书 ,  廖亚威

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体制造方法，包含：在基板上形成磊晶堆叠，磊晶堆叠包含至少一个牺牲磊晶层及至少一个通道磊晶层；在磊晶堆叠中形成鳍片；在鳍片的多个通道区上形成牺牲栅极堆叠；在牺牲栅极堆叠的多个侧壁上形成多个栅极侧壁间隔物；进行多个前处理操作以从至少一牺牲磊晶层移除多个杂质；凹陷至少一牺牲磊晶层以形成空腔；在空腔中形成内部间隔材料；形成多个源极/栅极特征；移除鳍片中的牺牲栅极堆叠及至少一牺牲磊晶层；以及形成金属栅极以取代牺牲栅极堆叠及至少一牺牲磊晶层，其中内部间隔材料具有足够抵抗磊晶损伤的厚度。

公开(公告)号：CN109817581A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811251062.4

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  曾建华 ,  吴中书 ,  蔡雅怡 ,  陈嘉仁 ,  魏安祺

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/762

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)材料上方形成金属栅极堆叠；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层至低于金属栅极堆叠的顶表面的一高度处；在已凹陷的层间介电层上方形成护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。