公开(公告)号：CN115881766A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210638146.3

申请日：2022-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林建智 ,  潘韵如 ,  杨思齐 ,  颜智洋 ,  林士豪 ,  吴中书 ,  宇德安 ,  陈世强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧壁部分在纳米结构的第一侧壁上方。半导体器件结构包括在侧壁部分的相对侧上的第一内间隔件和第二内间隔件。第一内间隔件的第一宽度和第二内间隔件的第二宽度之和大于侧壁部分的沿鳍结构的纵向轴线测量的第三宽度。本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN110875250B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201910599513.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世强 ,  李俊鸿 ,  陈嘉仁 ,  林泓纬 ,  毛隆凯

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体工艺的方法及半导体结构。一般地，本公开提供了与调整电介质材料的刻蚀速率有关的示例。在实施例中，在衬底中的第一和第二沟槽中共形地沉积第一电介质材料。第一沟槽中的第一电介质材料的合并横向生长前沿在第一沟槽中形成接缝。处理电介质材料。处理使得物质分别在第一和第二沟槽中的电介质材料的第一和第二上表面上、在接缝中，并扩散到第一和第二沟槽中的相应电介质材料中。在处理之后，刻蚀相应的电介质材料。在刻蚀期间，第二沟槽中的电介质材料的刻蚀速率与第一沟槽中的电介质材料的刻蚀速率的比率通过电介质材料中的物质的存在而被改变。

公开(公告)号：CN113113359A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110179221.X

申请日：2021-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世强 ,  李威养 ,  林家彬 ,  彭远清

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括提供具有基板与鳍片的结构。鳍片具有不同第一半导体材料与第二半导体材料的第一层与第二层。第一层与第二层交替堆叠于基板之上。上述结构还具有齿合鳍片通道区的栅极堆叠以及位于牺牲栅极堆叠侧壁上的栅极间隔物。半导体装置的制造方法还包括：蚀刻鳍片的源极/漏极(S/D)区以产生源极/漏极沟槽；部分地凹蚀于源极/漏极沟槽中露出的第二层，以于第一层的两邻近膜层之间产生间隙；以及于栅极间隔物、第一层与第二层的表面上沉积介电层。介电层部分地填充间隙而保留孔隙，孔隙夹设于第一层的两邻近膜层上的介电层之间。

公开(公告)号：CN110875250A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910599513.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世强 ,  李俊鸿 ,  陈嘉仁 ,  林泓纬 ,  毛隆凯

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体工艺的方法及半导体结构。一般地，本公开提供了与调整电介质材料的刻蚀速率有关的示例。在实施例中，在衬底中的第一和第二沟槽中共形地沉积第一电介质材料。第一沟槽中的第一电介质材料的合并横向生长前沿在第一沟槽中形成接缝。处理电介质材料。处理使得物质分别在第一和第二沟槽中的电介质材料的第一和第二上表面上、在接缝中，并扩散到第一和第二沟槽中的相应电介质材料中。在处理之后，刻蚀相应的电介质材料。在刻蚀期间，第二沟槽中的电介质材料的刻蚀速率与第一沟槽中的电介质材料的刻蚀速率的比率通过电介质材料中的物质的存在而被改变。

公开(公告)号：CN107026087A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610971700.4

申请日：2016-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋青宏 ,  王立廷 ,  蔡腾群 ,  陈世强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/31155 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/66409

Abstract: 一种垂直型环绕式栅极晶体管的制造方法包括形成从衬底向上延伸的纳米线，其中纳米线包括底部半导体区域、位于底部半导体区域上方的中间半导体区域以及位于中间半导体区域上方的顶部半导体区域。形成围绕纳米线并于纳米线上方延伸的介电层。并通过注入工艺，在介电层内部形成化学机械研磨停止层。形成化学机械研磨停止层后，平坦化介电层。