公开(公告)号：CN108987476A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710403508.X

申请日：2017-06-01

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 周飞

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一隔离层；在所述第一隔离层内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁形成第二隔离层；对所述第一隔离层的侧壁进行刻蚀，形成第二开口；在所述第一开口和所述第二开口内形成第二鳍部。所述形成方法增加了第二鳍部与所述第一隔离层的接触面积，改善自热效应，由此提高了半导体结构的电学稳定性和可靠性；同时通过第二隔离层厚度调节第二鳍部的第三宽度，提高了器件集成度。

公开(公告)号：CN105280547B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410445247.4

申请日：2014-09-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  林正堂 ,  彭治棠 ,  王建勋 ,  陈炳宏 ,  林焕哲 ,  卢永诚

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/762 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

摘要： 根据示例性实施例，提供了形成隔离层的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供具有第一层的垂直结构；在第一层上方提供第一层间电介质；对第一层间电介质实施CMP；以及回蚀刻第一层间电介质和第一层以形成与垂直结构的源极对应的隔离层。本发明还涉及形成隔离层的方法。

公开(公告)号：CN108140569A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057157.5

申请日：2016-09-21

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 佐藤刚树 ,  吉崎幸信 ,  大西正悟

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC分类号： B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明的目的在于，提供能以更高速度对研磨对象物进行研磨的研磨用组合物。提供一种研磨用组合物，所述研磨用组合物用于对研磨对象物进行研磨，该研磨用组合物包含：在磨粒的表面直接修饰有离子性分散剂的表面修饰磨粒、和分散介质，在前述分散介质中，前述磨粒的聚集被抑制。

公开(公告)号：CN104916583B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410239159.9

申请日：2014-05-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘文贵 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  李胜男 ,  周有伟 ,  连国成 ,  林长生 ,  洪志昌 ,  卢永诚

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： 一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括：形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。

公开(公告)号：CN107738177A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201711136690.3

申请日：2006-08-21

申请人： 应用材料公司

发明人： D·J·本韦格努 ,  J·D·戴维 ,  B·斯韦德克 ,  H·Q·李 ,  L·卡鲁皮亚

IPC分类号： B24B37/013 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34

CPC分类号： H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B37/205 ,  B24B49/08 ,  B24B49/12 ,  B24D7/14 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  B24B37/34

摘要： 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。

公开(公告)号：CN104471684B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201380037343.9

申请日：2013-05-27

申请人： 可乐丽股份有限公司

发明人： 加藤充 ,  冈本知大 ,  加藤晋哉

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC分类号： H01L21/31055 ,  B24B37/24 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明提供用于化学机械抛光的浆料，其包含：研磨剂颗粒(a)；具有pKa值大于9的氨基和不少于3个羟基的化合物(b)；和水。

公开(公告)号：CN104835743B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410332368.8

申请日：2014-07-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林健智 ,  洪隆杰 ,  王智麟 ,  张嘉德

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成两个隔离结构以在衬底中限定位于两个隔离结构之间的鳍结构。形成桥接上述两个隔离结构并位于鳍结构上方的伪栅极和间隔件。利用伪栅极和间隔件作为掩膜来蚀刻上述两个隔离结构，以在上述两个隔离结构中形成在间隔件下面的多个斜坡。形成覆在上述多个斜坡上的栅极蚀刻停止层。去除伪栅极和伪栅极下面的两个隔离结构以产生由间隔件和栅极蚀刻停止层所界定的空腔。然后在空腔中形成栅极。本发明还公开一种半导体器件。

公开(公告)号：CN107359114A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710564652.1

申请日：2017-07-12

申请人： 程志勇

发明人： 程志勇

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/31055

摘要： 本发明提供了一种光刻胶回刻平坦化方法。所述光刻胶回刻平坦化方法，包括：在具有电路结构的硅片表面形成介质层；在所述硅片表面涂覆光刻胶，其中所述光刻胶覆盖所述介质层；在室温下逐渐释放所述光刻胶的溶剂；对所述光刻胶和所述介质层进行回刻处理，来使所述硅片表面平坦化。本发明提供的方法可以避免在光刻胶平坦化刻蚀过程中出现过量刻蚀甚至破坏其他膜层，有效保证光刻胶回刻的平坦化程度。

公开(公告)号：CN104285284B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201380025124.9

申请日：2013-04-04

申请人： 福吉米株式会社

发明人： 大和泰之 ,  赤塚朝彦

IPC分类号： H01L21/3105 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明的研磨用组合物含有水溶性聚合物和磨粒。水溶性聚合物为具有3以下的酸离解常数pKa的阴离子性的化合物。作为这样的化合物的具体例子，可列举出：聚乙烯基磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚丙烯酸乙基磺酸、聚丙烯酸丁基磺酸、聚(2‑丙烯酰胺‑2‑甲基丙磺酸)、聚异戊二烯磺酸。磨粒在pH3.5以下显示负的Zeta电位。作为这样的磨粒的具体例子，可列举出胶体二氧化硅。

公开(公告)号：CN106661430A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580046079.4

申请日：2015-06-25

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： 富琳 ,  S.格拉宾 ,  J.戴萨德 ,  李常怡

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212

摘要： 化学机械抛光组合物，其包含具有结合到其中的化学化合物的胶态氧化硅研磨剂颗粒。所述化学化合物可包括：含氮的化合物，例如氨基硅烷；或者，含磷的化合物。用于采用这样的组合物的方法包括将所述组合物施加至半导体基板以移除至少一部分层。