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公开(公告)号:CN107738177A
公开(公告)日:2018-02-27
申请号:CN201711136690.3
申请日:2006-08-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/08 , B24B49/12 , B24D7/14 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67075 , H01L21/67092 , H01L21/67253 , B24B37/34
Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法,包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱,因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时,即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号:CN107199503A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201710154731.5
申请日:2017-03-15
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor: 镰田修一
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/32 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/0053 , B24B37/107 , B24B37/20 , B24B37/30 , B24B37/345 , B24B49/08 , B24B37/105 , B24B37/32 , B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨装置,能够使用户了解再次执行基板脱离动作的重试动作的频率、倾向。研磨装置具有:基板保持部(1),该基板保持部(1)将基板(W)按压于研磨垫(20);流体喷射系统(93),为了使基板(W)从基板保持面(4b)脱离,该流体喷射系统(93)向基板(W)与弹性膜(4)之间的间隙喷射流体(95);动作控制部(51),在基板(W)的脱离失败的情况下,该动作控制部(51)使流体喷射系统(93)执行再次喷射流体(95)的重试动作;以及监视装置(52),该监视装置(52)存储重试动作的历史信息。
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公开(公告)号:CN106363475A
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:CN201611021268.9
申请日:2016-11-15
Applicant: 佛山泰冈数控精密机床有限公司
IPC: B24B7/17 , B24B41/00 , B24B47/20 , B24B41/02 , B24B53/06 , B24B27/00 , B24B41/06 , B24B7/02 , B24B49/08
CPC classification number: B24B7/17 , B24B7/02 , B24B27/0076 , B24B41/005 , B24B41/02 , B24B41/06 , B24B47/20 , B24B49/08 , B24B53/06
Abstract: 本发明涉及一种高效双端面磨床及其控制方法,包括床身、进刀装置、接触式测量装置和送料装置,所述进刀装置包括主轴、砂轮、主轴电机和进刀电机,所述主轴电机驱动所述主轴带动所述砂轮进行旋转运动,所述进刀电机驱动所述主轴进行左右移动;所述接触式测量装置包括测量头上下移动气缸和接触式测量头,所述测量头上下移动气缸驱动所述接触式测量头进行上下移动;所述送料装置包括磁力往复工作台和送料电机;本发明的双端面磨床采用了五轴控制系统,实现了双端面自动磨削、自动补偿和自动测量,能对陶瓷模芯在一次装夹中,高效率地完成模芯周边粗、精加工及自动测量,提高其生产效率、精度和光洁度。
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公开(公告)号:CN106272069A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201510319154.1
申请日:2015-06-11
Applicant: 徐工集团工程机械股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种外圆柱面磨削的圆度与直线度检测装置及检测方法,检测装置包括:与磨床的机身固定的底座(1)、安装在底座(1)上的支架部件,回转杆(8)的一端与支架(2)远离底座(1)的一端形成转动连接,回转杆(8)的另一端安装有位移检测传感器(9),位移检测传感器(9)能够在检测位置对工件(11)的外圆柱面的位置参数进行检测;信号处理部件能够接收位移检测传感器(9)检测的位置参数,并转换为工件(11)的圆度与直线度数据。此种实施例的检测装置能够对外圆柱面磨削的圆度与直线度实现自动检测,并提高检测精度,从而提高加工精度。(2)、回转杆(8)、位移检测传感器(9)和信号处理
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公开(公告)号:CN104149027A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201410361680.X
申请日:2014-07-28
Applicant: 新昌县南明街道锦泰机械厂
Inventor: 刘立军
IPC: B24B49/00
CPC classification number: B24B49/08
Abstract: 本发明涉及一种方向机轴承加工检测方法。其特征在于包括如下工序:加工开始前,由气动检测装置对标准规格的轴承进行检测,检测后得到一个标准值;由气动检测装置将标准值转化成压力信号;将压力信号传输到PLC编程控制器,PLC编程控制器对这个值进行记忆;加工时,检测到加工中的轴承出现尺寸偏差,气动检测装置测出的气流信号将会改变,以此产生的压力信号将会传输到PLC编程控制器中;PLC编程控制器经过判断后向磨床发出脉冲信号,磨床进行尺寸偏差修正。本发明实现了对工件尺寸的实时监控,对加工过程中出现的异常进行及时停机、报警、自动修正,提高加工质量,减少了劳动强度。
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公开(公告)号:CN103962937A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410043701.3
申请日:2014-01-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor: 河原俊一
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/345 , B24B37/005 , B24B37/105 , B24B49/08
Abstract: 一种研磨装置(100),具有:研磨台(110),其贴附有用于研磨基板(102)的研磨垫(108);液体供给部,其将液体供给到研磨垫(108)的研磨面;顶环(116),对夹着由液体供给部供给的液体而接触于研磨面的基板(102)进行吸附并从研磨面输送该基板;以及控制部,其在输送基板(102)时,使流体(N2)注入基板(102)与研磨垫(108)之间夹有液体(109)的内部区域(109a)。采用本发明,能够在维持基板的研磨性能的状态下提高基板的提起性。
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公开(公告)号:CN103567890A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310318332.X
申请日:2013-07-26
Applicant: EMAG控股有限公司
Inventor: R·施密茨
IPC: B24D5/00
Abstract: 本发明公开了一种砂轮和机床。砂轮包括基板(1),该基板具有设于周边侧的磨料层(2)和至少一个柔性区域(4),磨料层(2)上的磨削面(3)能够在柔性区域(4)处的激活装置的作用下按照预定的方式变形。
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公开(公告)号:CN101242931A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200680030404.9
申请日:2006-08-21
Applicant: 应用材料股份有限公司
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/08 , B24B49/12 , B24D7/14 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67075 , H01L21/67092 , H01L21/67253
Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法,包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱,因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时,即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号:CN107538338A
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201710498753.3
申请日:2017-06-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor: 中村显
IPC: B24B37/005 , B24B37/34 , H01L21/304 , B24B49/04
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/02 , B24B49/08 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明提供研磨装置、研磨方法、及研磨控制程序,能够修正因处理系统等的延迟时间导致的测定误差,并推定与当前膜厚相当的数据。研磨部(30)进行半导体晶片(18)的研磨。涡电流传感器(50)在多个测定时刻测定能够根据半导体晶片(18)的膜厚的变化而变化的涡电流。传感器处理部(28)根据涡电流传感器(50)所测定出的涡电流,算出测定时刻下的半导体晶片(18)的膜厚。膜厚预测部(32)使用被算出的膜厚,预测从测定时刻经过处理延迟时间之后的膜厚。
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