公开(公告)号：CN101391397A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810175050.8

申请日：2006-08-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： D·J·本韦格努 ,  J·D·戴维 ,  B·斯韦德克 ,  H·Q·李 ,  L·卡鲁皮亚

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304 ,  B24B55/00 ,  B08B5/02

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B37/205 ,  B24B49/08 ,  B24B49/12 ,  B24D7/14 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。

公开(公告)号：CN101242931A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680030404.9

申请日：2006-08-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： D·J·本韦格努 ,  J·D·戴维 ,  B·斯韦德克 ,  H·Q·李 ,  L·卡鲁皮亚

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B37/205 ,  B24B49/08 ,  B24B49/12 ,  B24D7/14 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。