公开(公告)号：CN106233430B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201580020267.X

申请日：2015-04-16

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 升本恵子

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24529

Abstract: 本发明的课题在于提供一种碳化硅外延晶片，其对于低偏离角的碳化硅外延晶片，即使在高C/Si比下的生长中也会抑制异质多型的混入，并且能够形成可靠性高的高耐压碳化硅半导体元件。本发明的外延晶片，其特征在于，其是在具有α型的晶体结构且使(0001)Si面或(000－1)C面倾斜大于0°且不足4°的碳化硅基板上配设有外延生长层的碳化硅外延晶片，在碳化硅基板表面，5个以上且10个以下的高度1nm的台阶统合成的台阶聚束所占的比例为90％以上。

公开(公告)号：CN104889879B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510095290.7

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/12

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/005 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力，将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数，为了根据指数对残存膜厚分布进行控制，对压力进行操纵，利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。

公开(公告)号：CN109420938A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810953311.8

申请日：2018-08-21

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 歳川清彦 ,  马场裕之

IPC: B24B1/00 ,  B24B55/00

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/30 ,  B24B49/16 ,  B24B1/00 ,  B24B55/00

Abstract: 本发明涉及半导体制造装置，防止由形成于研磨垫的表面的槽的深度的变动引起的问题的产生。半导体制造装置包含：研磨头，能够保持半导体基板；研磨垫，在与被研磨头保持的半导体基板相接触的处理面具有槽；台板，能够以保持着研磨垫的状态以沿着与处理面交叉的方向的轴为旋转轴旋转；测量部，输出表示处理面的规定部位的高度位置的测量值；以及导出部，根据测量部的测量值导出上述槽的深度。

公开(公告)号：CN108962740A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710372700.7

申请日：2017-05-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 蒋莉

IPC: H01L21/306 ,  B24B37/11 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/0056 ,  B24B37/11

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成钴层；采用化学机械研磨工艺对所述钴层进行平坦化处理，所述化学机械研磨工艺所采用的研磨液为弱碱性研磨液；其中，所述化学机械研磨工艺中的清洗操作和传送操作所采用的溶液均为弱碱性溶液。本发明采用弱碱性研磨液，且所述化学机械研磨工艺中的清洗操作和传送操作所采用的溶液均为弱碱性溶液，相比采用酸性研磨液、采用去离子水进行所述清洗操作和传送操作的方案，本发明可以改善所述钴层发生腐蚀的问题，从而提高所述钴层的研磨质量，进而提高半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN108701616A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011851.8

申请日：2017-02-15

Applicant: 嘉柏微电子材料股份公司

Inventor： B.佩特罗 ,  G.怀特纳 ,  W.沃德

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/20

Abstract: 公开了化学‑机械地抛光基板的方法。该方法包括以下步骤、由以下步骤组成、或基本上由以下步骤组成：(a)使含有至少一种III‑V族材料的基板与抛光垫及化学‑机械抛光组合物接触，该化学‑机械抛光组合物包括水、具有负表面电荷的研磨剂颗粒、以及约0.01wt.％至约5wt.％的量的用于氧化该III‑V族材料的氧化剂，其中该抛光组合物具有约2至约5的pH；(b)相对于该基板移动该抛光垫及该化学‑机械抛光组合物；及(c)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。在一些实施方式中，该III‑V族材料是包含至少一种来自元素周期表第III族的元素及至少一种来自元素周期表第V族的元素的半导体。

公开(公告)号：CN108475646A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680073092.3

申请日：2016-12-05

Applicant: 英帆萨斯公司

Inventor： 沈虹 ,  王亮 ,  高桂莲

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/18 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1436

Abstract: 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式装置，或者，所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

公开(公告)号：CN108352357A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680052233.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 埃莉卡·陈 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·D·涅曼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76828

Abstract: 本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。

公开(公告)号：CN108250972A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611231351.9

申请日：2016-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 蔡鑫元 ,  姚颖 ,  荆建芬 ,  潘依君 ,  杜玲曦 ,  宋凯 ,  张建 ,  杨俊雅 ,  王雨春

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  C23F3/04

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明公开了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含二氧化硅颗粒、唑类化合物、络合剂、硅氧烷类表面活性剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比要求，对半导体器件表面的缺陷具有强的矫正能力，能够快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN108231615A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710831980.3

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  江典蔚 ,  游文俊

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明实施例涉及一种确定集成芯片上的受监测层的特性的方法。在一些实施例中，可通过在衬底上方形成集成芯片结构而执行所述方法。所述方法进一步包含在所述集成芯片结构上方形成监测层。所述监测层包含多个监测垫。所述方法还包含测量所述多个监测垫的一组监测垫之间的电性质。所述一组监测垫横向间隔达监测垫距离。基于所述经测量电性质确定所述组监测垫之间的所述监测垫距离下方的所述集成芯片结构的区域的特性。

公开(公告)号：CN104942701B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201510145314.5

申请日：2015-03-30

Applicant: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 ,  陶氏环球技术有限公司

Inventor： 钱百年 ,  M·德格鲁特

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/24 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  G02B1/12 ,  H01F41/00 ,  H01L21/30625 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光垫，其包括：具有抛光表面的抛光层；以及终点检测窗口；其中所述终点检测窗口包括以下组分的反应产物，所述组分包括：具有2‑6.5重量％的未反应的NCO基团的异氰酸酯封端的氨基甲酸酯预聚物以及固化剂体系，所述固化剂体系包括：至少5重量的双官能的固化剂、至少5重量％的胺引发的多元醇固化剂以及25‑90重量％的高分子量多元醇固化剂，所述胺引发的多元醇固化剂每个分子具有至少一个氮原子并且每个分子平均具有至少三个羟基；所述高分子量多元醇固化剂的数均分子量MN为2,000‑100,000，并且每个分子平均具有3‑10个羟基。本发明还提供了制备和使用所述化学机械抛光垫的方法。