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公开(公告)号：CN111496668B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201911345425.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明为研磨装置及研磨部件的修整方法，修整器能够在沿着摆动方向而设定于研磨部件上的多个扫描区域中调整摆动速度，具备以下步骤：在沿着修整器的摆动方向预先设定于研磨部件上的多个监控区域中测定研磨部件的表面高度；创建由监控区域、扫描区域和修整模型定义的修整模型矩阵；使用修整模型和各扫描区域中的摆动速度或停留时间来计算高度轮廓预测值；根据与研磨部件的高度轮廓的目标值的差值来设定评价指标；以及根据评价指标来设定修整器的各扫描区域中的摆动速度，使用于确定高度轮廓的目标值或评价指标的参数中的至少一方自动地变化。
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公开(公告)号：CN114986383A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210182363.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/005 , B24B49/00 , B24B53/017 , B24B27/00 , B24B7/22 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种可获得所需的膜厚轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨单元(14a)；测量基板(W)的膜厚轮廓的膜厚测量器(8)；及至少控制研磨单元和膜厚测量器的动作的控制装置(30)。控制装置预先存储有考虑随着各压力室(7a～7h)内的压力变化而基板的多个监视区域相互间产生的研磨量的变化制作而成的反应模型。再者，控制装置使用膜厚测量器取得基板研磨前的膜厚轮廓，并以依据研磨前的基板的膜厚轮廓与基板的目标膜厚的差值及反应模型制作而成的最佳研磨方案来研磨基板。下一个基板则以依据下一个基板的目标研磨量与使用最佳研磨方案及前一个基板在研磨前后的膜厚轮廓而修正的反应模型制作而成的新的最佳研磨方案来研磨。
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公开(公告)号：CN112692717A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011061881.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是基板研磨装置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法。使研磨处理中的膜厚测定高效化。基板研磨装置具备：研磨台，该研磨台构成为能够旋转，且设置有输出与膜厚相关的信号的传感器；研磨头，该研磨头与所述研磨台相对并构成为能够旋转，且能够在与所述研磨台相对的面安装基板；以及控制部，在所述传感器通过所述基板的被研磨面上时，所述控制部从所述传感器取得信号，基于所述信号的分布曲线来确定所述传感器相对于所述基板的轨道，基于所述信号来计算所述轨道上的各点处的所述基板的膜厚，基于针对所述传感器的多个轨道而计算出的各点的膜厚来制作膜厚映射。
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公开(公告)号：CN108818295B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810707673.9
申请日：2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号：CN106256016B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201580020452.9
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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公开(公告)号：CN119526257A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411212017.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 本发明提供一种改善了测定范围内的膜厚分布的精度的膜厚信号处理装置、研磨装置及膜厚信号处理方法。膜厚信号处理装置具有接收部和校正部。接收部接收从电涡流传感器输出的传感器数据来生成第一膜厚数据(168)和第二膜厚数据(172)。校正部校正由接收部生成的第一膜厚数据和第二膜厚数据。校正部基于在电涡流传感器的一次测定中作为测定对象的研磨对象物上的测定范围(174、176)的尺寸、在研磨对象物上的第一测定点(146)测定出的第一膜厚数据和在研磨对象物上的第二测定点(148)测定出的第二膜厚数据来求出校正后的膜厚数据(166)。第一测定点和第二测定点之间的距离为测定范围的尺寸以下。
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公开(公告)号：CN112692717B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011061881.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是基板研磨装置、膜厚映射制作方法及基板的研磨方法。使研磨处理中的膜厚测定高效化。基板研磨装置具备：研磨台，该研磨台构成为能够旋转，且设置有输出与膜厚相关的信号的传感器；研磨头，该研磨头与所述研磨台相对并构成为能够旋转，且能够在与所述研磨台相对的面安装基板；以及控制部，在所述传感器通过所述基板的被研磨面上时，所述控制部从所述传感器取得信号，基于所述信号的分布曲线来确定所述传感器相对于所述基板的轨道，基于所述信号来计算所述轨道上的各点处的所述基板的膜厚，基于针对所述传感器的多个轨道而计算出的各点的膜厚来制作膜厚映射。
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公开(公告)号：CN118254109A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311818664.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/00 , B24B37/10 , B24B7/22 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种能够更适当地计算出研磨部件的切削速率的基板研磨装置、基板处理装置、校正方法及存储介质。基板研磨装置具备：高度检测部，该高度检测部测定研磨部件的表面高度；以及切削速率计算部，该切削速率计算部基于表面高度来计算研磨部件的切削速率，在计算出的本次的切削速率在搜索范围外的情况下，切削速率计算部基于过去计算出的切削速率来校正本次的切削速率。
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公开(公告)号：CN114074288A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110914910.0
申请日：2021-08-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B53/017 , B24B53/12 , B24B49/00
Abstract: 使基板滑动接触在研磨部件上来研磨该基板的基板处理装置具备：修整器，该修整器通过在研磨部件上摆动来修整该研磨部件，并且该修整器在沿着径向在研磨部件上设定的多个扫描区域中能够调整摆动速度；高度检测部，该高度检测部通过沿着研磨部件的径向测定研磨部件的表面高度来生成垫轮廓；修整器负荷设定部，该修整器负荷设定部设定修整器对研磨部件施加的修整器负荷；垫高度校正部，该垫高度校正部遍及径向地计算出与修整器负荷相对于基准负荷的变动量对应的研磨部件的表面高度的校正量，并用校正量校正表面高度的测定值，由此校正垫轮廓；以及移动速度计算部，该移动速度计算部基于校正后的垫轮廓来进行修整器在各扫描区域中的摆动速度的调整。
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公开(公告)号：CN112936090A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011422501.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。
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