-
公开(公告)号：CN118254109A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311818664.4
申请日：2023-12-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/00 , B24B37/10 , B24B7/22 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种能够更适当地计算出研磨部件的切削速率的基板研磨装置、基板处理装置、校正方法及存储介质。基板研磨装置具备：高度检测部，该高度检测部测定研磨部件的表面高度；以及切削速率计算部，该切削速率计算部基于表面高度来计算研磨部件的切削速率，在计算出的本次的切削速率在搜索范围外的情况下，切削速率计算部基于过去计算出的切削速率来校正本次的切削速率。
-
公开(公告)号：CN118254110A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311818669.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/00 , B24B37/10 , B24B7/22 , B24B37/005
Abstract: 本发明提供一种更适当地控制修整器的移动速度的基板研磨装置、基板处理装置、修整器的移动方法及存储介质。基板研磨装置具备：修整器，该修整器在设定于研磨部件上的多个扫描区域中移动；以及移动速度计算部，该移动速度计算部基于评价指标来计算各扫描区域的修整器的移动速度，该评价指标包含与基于上一次制程的修整器的各扫描区域中的停留时间的偏差。
-
公开(公告)号：CN118848807A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410499816.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明是研磨方法、储存有使计算机动作用的程序的计算机可读取的记录介质及研磨装置，提出一种不需要事先对参照晶片进行研磨，能够一边研磨工件一边获取该工件的相对膜厚轮廓的技术。本研磨方法在工件(W)的研磨过程中，通过在工件(W)上的两点(R、M)反复生成参照光谱和监视光谱来制作参照光谱历史和监视光谱历史，计算作为最近的监视光谱与参照光谱历史内的多个参照光谱的差的多个参照历史差，计算作为最近的参照光谱与监视光谱历史内的多个监视光谱的差的多个监视历史差，基于参照历史差或监视历史差的最小点，计算监视点(M)与参照点(R)之间的膜厚差。
-
公开(公告)号：CN117177839A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029035.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015
Abstract: 本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.021 seconds)
