公开(公告)号：CN112936090A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011422501.0

申请日：2020-12-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  盐川阳一 ,  佐佐木俊光 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B37/10 ,  B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  H01L21/66 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN113927374A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110717711.0

申请日：2021-06-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  八木圭太 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B37/20 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种能够以高的精度来测定在表面具有各种构造要素的半导体晶片等基板的膜厚的研磨方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质。研磨方法生成来自基板(W)上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状将多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，并且通过多个一次光谱来确定基板(W)的多个膜厚，使用一次光谱或者多个膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。

公开(公告)号：CN112936090B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202011422501.0

申请日：2020-12-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 八木圭太 ,  盐川阳一 ,  佐佐木俊光 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B37/10 ,  B24B49/12 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  H01L21/66 ,  G06F18/23 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/088 ,  G06V10/762

Abstract: 提供一种基板的研磨方法及研磨装置，其能够降低来自晶片等基板的反射光的光谱的波动的影响，决定正确的膜厚。研磨装置包括：将基板按压于进行旋转的研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，每当所述研磨台旋转一圈，生成来自所述基板的表面的反射光的光谱，编制由沿研磨时间排列的多个光谱构成的三维数据，根据所述三维数据决定所述基板的膜厚的工序。

公开(公告)号：CN117337479A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280015845.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山木晓 ,  八木圭太 ,  纳齐格塔·查汗 ,  中村显

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明关于计算研磨率相对于在将使用于半导体元件的制造的晶片、基板、面板等的工件按压于研磨垫的压力变化的响应性的技术。在本方法中，通过模拟来计算表示研磨头(7)响应压力室内的单位压力的变化而变化的从工件施加于研磨垫(2)的按压压力的分布的按压压力响应性形貌图，在压力室内维持规定压力的状态下，将工件按压于研磨垫而研磨工件，制作表示研磨后的工件的研磨率的分布的研磨率形貌图，并基于按压压力响应性形貌图、规定压力及研磨率形貌图来制作研磨率响应性形貌图。

公开(公告)号：CN117177839A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029035.0

申请日：2022-01-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 椛泽雅志 ,  佐佐木俊光 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B37/015

Abstract: 本发明关于一种一边将晶片等的基板按压于研磨垫的研磨面，一边研磨该基板的研磨方法及研磨装置，特别关于一边基于膜厚测定器的测定值调整研磨负重，一边研磨基板的研磨方法及研磨装置。在研磨方法中，使用垫温度调整装置(5)将研磨垫(3)的研磨面(3a)的温度调整至规定温度，并基于设于研磨垫(3)的膜厚测定器(7)的测定值，一边控制将基板(W)按压于研磨面(3a)的研磨负重，一边研磨基板(W)。

公开(公告)号：CN115147690A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210383534.1

申请日：2022-03-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 纳齐格塔·查汗 ,  八木圭太 ,  中村显 ,  卡维德·罗赫特

IPC: G06V10/80 ,  G06V10/774 ,  G06V10/764 ,  G06V10/74 ,  G06N20/00 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种膜厚推定模型的创建方法、膜厚推定方法及存储介质，该模型能够降低来自晶片等工件的反射光的谱图的偏差的影响，并决定准确的膜厚。本方法包括下述的工序：决定分别表示来自具有膜的样本的反射光的多个样本谱图的特征的多个样本特征量，通过计算出所述多个样本谱图中的每一个与代表谱图之间的相似度而取得多个相似度，使用训练数据执行机器学习来创建膜厚推定模型，该训练数据包含所述多个样本特征量、所述多个相似度以及与所述多个样本谱图分别对应的多个膜厚。