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公开(公告)号：CN118493241A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310113530.6
申请日：2023-02-14
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
发明人： 段晴晴
IPC分类号： B24B37/015 , B24B37/34 , B24B55/02 , B24B49/14
摘要： 本发明提供一种晶圆温度控制系统，所述控制系统包括：晶圆研磨装置、控制模块、调节模块及监测模块；晶圆研磨装置包括具有气路的研磨头，在进行化学机械研磨的过程中，通过于气路内通入冷却气体来调节晶圆温度；监测模块用于实时量测晶圆的温度，并将产生的温度信号发送给控制模块；控制模块接收所述温度信号后，根据温度信号产生用于调节冷却气体的流速及通入时长的调节信号，并将调节信号发送给调节模块；调节模块根据接收的调节信号来调节通入气路的冷却气体的流速及通入时长以实现对晶圆温度的调节。通过本发明解决了以现有的降低晶圆温度的方法无法达到较好的降温效果而导致晶圆研磨精度受到影响的问题。
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公开(公告)号：CN118305720B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410732630.1
申请日：2024-06-07
申请人： 名正(浙江)电子装备有限公司 , 安徽名正电子装备有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/015 , B24B49/00
摘要： 本申请提供了一种基于多参数的晶圆片研磨控制方法及系统，涉及半导体加工技术领域，该方法包括：当前置盘面距离波动曲线和距离预测波动曲线的相似系数大于或等于系数阈值，根据研磨设备型号、晶圆片型号、研磨控制参数和环境温度，通过预测模块生成后置温度波动预测曲线，进而得到后置盘面距离预测波动曲线；对后置盘面距离预测波动曲线进行方差评价和众数评价，生成第一和第二适应度参数对研磨控制参数进行寻优。通过本申请可以解决由于无法准确监测研磨过程中上下盘形变化值，导致无法及时对研磨控制参数进行针对性优化校正，影响研磨设备的运行稳定性和研磨精度的技术问题，可以提高上下盘形变化监测的准确性和效率，达到高精度研磨的效果。
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公开(公告)号：CN115284161B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210778782.6
申请日：2022-07-04
申请人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
发明人： 陈奎
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/015 , B24B37/34 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种降低晶圆TTV的磨片加工方法，包括以下步骤：S1.研磨加工机台热机处理；S2.定盘通过PLC控制器做间歇转动，激光位移传感器对停止的定盘做平坦度测量；测量后，定盘继续转动；S3.各个激光位移传感器将测量数据传入PLC控制器；S4.数据比较：先将采集的数据进行平均值计算，再将数据的平均值与预设值进行比较，当数据的平均值≥预设值，重复步骤S1～S3；S5.当数据的平均值＜预设值，进入下一步；S6.在载体内放入待研磨晶圆，研磨液温度控制在20～24℃；S7.进行晶圆研磨。本发明采用激光位移传感器及PLC控制器，能快速测量并进行平坦度计算，节省了手动频繁操作的工序，检测速度快，提升了加工的效率。
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公开(公告)号：CN117124229A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211491638.0
申请日：2022-11-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B37/015 , B24B55/02 , B24B55/06 , B24B57/02 , B24B55/00 , H05F3/02
摘要： 一种化学机械抛光组件，包括化学机械抛光系统、流体源和流体递送导管，所述流体递送导管用于将流体从所述流体源输送到所述化学机械抛光系统中。所述抛光系统具有支撑抛光垫的压板、支撑基板并使所述基板与所述抛光垫接触的载体头、和引起压板与所述载体头之间的相对运动的马达。所述流体递送导管包括：导电线，所述导电线延伸穿过所述导管的内部以使静电放电流向接地；以及导线提取配件，所述导线提取配件覆盖并密封所述导电线穿过所述流体递送导管的壁的位置。
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公开(公告)号：CN116394155A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310342661.1
申请日：2023-03-31
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
IPC分类号： B24B37/12 , B24B41/047 , B24B37/015 , B24B37/32 , B24B55/02
摘要： 本公开涉及抛光头、最终抛光设备和最终抛光方法，该抛光头包括：保持模块，其具有相反的第一表面和第二表面，并且用于将待抛光的硅片保持在第一表面处；以及控温环，其设置在保持模块的第二表面处且设置成当硅片被保持在第一表面处时控温环的中心轴线与硅片的中心轴线重合，以用于通过在控温环中通入控温流体来使得在抛光过程中硅片的边缘的温度能够低于硅片的中央的温度。通过本公开的抛光头、最终抛光设备和最终抛光方法，实现了对硅片表面平坦度的改善。
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公开(公告)号：CN116141187A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211088982.5
申请日：2022-09-07
申请人： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC分类号： B24B37/015 , B24B55/02 , B24B57/02
摘要： 本发明涉及晶圆研磨技术领域。一种晶圆研磨加工过程中研磨液温度控制装置及方法，包括如下步骤：步骤一，在研磨桶上连接冷却水温控系统，冷却水温控系统与研磨桶的进水口、出水口导通；步骤二，在研磨桶通往研磨加工机台的给液管上安装有温度传感器，温度传感器根据研磨液中温度变化，反馈给冷却水温控系统；步骤三，冷却水温控系统根据温度传感器的反馈控制冷却水温度和流量，对研磨桶里的研磨液进行温度管控。
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公开(公告)号：CN115922570A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310021974.7
申请日：2023-01-07
申请人： 鲜明洪
发明人： 鲜明洪
IPC分类号： B24B57/02 , B24B55/03 , B24B37/015
摘要： 本发明提出了一种抛光液循环处理设备，涉及电化学抛光液处理技术领域。包括机箱，机箱内设有用于对抛光液过滤的过滤组件，机箱内设有用于对抛光液消泡的消泡组件，机箱内设有用于对抛光液浓度调节的调节组件。本技术方案设置的抛光液循环处理设备将以往对抛光液的过滤、消泡以及浓度调节等步骤进行整合，集中设置于一台设置内，节约操作流程以及使用占地；本设备在使用时，设置的过滤组件、消泡组件以及调节组件可同时工作，其操作不相互影响，不互相干扰，实现抛光液的过滤除杂、消泡以及浓度调节；还可实现抛光液或切削液的浓度监测及温度监测功能，保证本设备在对抛光液或切削液进行处理时保证本设备正常运行。
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公开(公告)号：CN115922534A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210873890.1
申请日：2022-07-25
申请人： 华海清科股份有限公司
IPC分类号： B24B29/02 , B24B37/015 , B24B37/27 , B24B37/34 , B24B37/20
摘要： 本发明公开了一种具有温度调节功能的抛光转台和化学机械抛光设备，其中，抛光转台包括：旋转组件；抛光盘，其连接在所述旋转组件上，并用于在其上覆盖抛光垫；温度调整元件，其与所述抛光盘连接，用于调节所述抛光垫的温度；流体介质通道，其设置于所述温度调整元件的下方，以进行散热或供热。本发明利用温度调整元件对抛光垫进行温度调节，同时流体介质通道配合作业。
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公开(公告)号：CN115870873A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211342190.6
申请日：2022-10-31
申请人： 长治市龙晨科技有限公司
摘要： 本发明涉及氧化镓单晶片加工技术领域，公开了一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺，实现方法包括以下步骤：S1、将氧化镓单晶片粘贴在陶瓷盘上；S2、控制气缸压力，并依次进行为粗抛光、精抛光和CMP抛光；S3、对抛光垫的表面进行修整，并对温度进行监测。本发明依次采用粗抛光、精抛光和CMP抛光的抛光工序，且控制氧化镓单晶片抛光垫的材料、抛光液的黏度、抛光液的PH值、抛光盘的转速、抛光头的转速、抛光温度、抛光速率、抛光压力以及抛光量，可以有效地提高氧化镓单晶片的平整度，降低氧化镓单晶片的粗糙度，同时具有较高的去除速率，减少单晶片总厚度磨损少，对单晶片的表面层和亚表面层损伤小，实现高质量抛光。
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