在抛光垫中使用沟槽的晶片边缘不对称校正

    公开(公告)号:CN114901427B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202080087342.5

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 化学机械抛光系统包括:压板,用以保持抛光垫;载体头,用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面;以及控制器。抛光垫具有抛光控制沟槽。载体通过第一致动器而可跨抛光垫横向移动,并且通过第二致动器而可旋转。控制器使载体头的横向振动与载体头的旋转同步,使得在载体头的多个连续振动上,使得当基板的边缘部分的第一角度幅面在围绕载体头的旋转轴线的方位角位置处时,第一角度幅面覆盖抛光表面,并且当基板的边缘部分的第二角度幅面在方位角位置处时,第二角度幅面覆盖抛光控制沟槽。

    化学机械研磨的温度控制

    公开(公告)号:CN111149196B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN201880063359.X

    申请日:2018-11-13

    Abstract: 一种化学机械研磨系统,包括支撑件、承载头、原位监控系统、温度控制系统及控制器,所述支撑件固持研磨垫,所述承载头在研磨工艺期间将基板抵靠所述研磨垫固持,所述原位监控系统经配置产生表示所述基板上的材料量的信号,所述温度控制系统控制所述研磨工艺的温度,所述控制器耦接到所述原位监控系统和所述温度控制系统。控制器经配置使温度控制系统响应所述信号而改变所述研磨工艺的温度。

    用于CMP温度控制的装置及方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118636051A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410877460.6

    申请日:2020-02-19

    Abstract: 一种化学机械抛光装置,包括:平台,用以保持抛光垫;载具,用以在抛光工艺期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面;和温度控制系统,所述温度控制系统包括流体介质的源和一个或多个开口,所述一个或多个开口定位在平台之上并与抛光垫分开,且配置用于使流体介质流至抛光垫上,以加热或冷却抛光垫。

    在抛光垫中使用沟槽的晶片边缘不对称校正

    公开(公告)号:CN114901427A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202080087342.5

    申请日:2020-11-19

    Abstract: 化学机械抛光系统包括:压板,用以保持抛光垫;载体头,用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面;以及控制器。抛光垫具有抛光控制沟槽。载体通过第一致动器而可跨抛光垫横向移动,并且通过第二致动器而可旋转。控制器使载体头的横向振动与载体头的旋转同步,使得在载体头的多个连续振动上,使得当基板的边缘部分的第一角度幅面在围绕载体头的旋转轴线的方位角位置处时,第一角度幅面覆盖抛光表面,并且当基板的边缘部分的第二角度幅面在方位角位置处时,第二角度幅面覆盖抛光控制沟槽。

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