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公开(公告)号：CN107851547B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680043524.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括用于消除半导体工艺中所产生的化合物的等离子体源、消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，等离子体源包括介电管和围绕所述管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，且至少一个匝被短接。选择性地短接线圈天线的一个或多个匝帮助减少了线圈天线的电感，而允许向线圈天线供应覆盖更多处理容积的更高的功率。供应至线圈天线的更高功率和更大的处理容积带来了改良的DRE。
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公开(公告)号：CN107851547A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043524.6
申请日：2016-05-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所公开的实施方式包括用于消除半导体工艺中所产生的化合物的等离子体源、消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，等离子体源包括介电管和围绕所述管的线圈天线。线圈天线包括多个匝，且至少一个匝被短接。选择性地短接线圈天线的一个或多个匝帮助减少了线圈天线的电感，而允许向线圈天线供应覆盖更多处理容积的更高的功率。供应至线圈天线的更高功率和更大的处理容积带来了改良的DRE。
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公开(公告)号：CN108140551A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058670.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/5096 , H01J37/32899 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201
Abstract: 本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。
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公开(公告)号：CN106030755B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580003949.X
申请日：2015-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明描述一种等离子体减量工艺以用于减少来自处理腔室的含有化合物的流出物。等离子体减量工艺取用来自处理腔室(例如，沉积腔室)的气态前级管道流出物，并使该流出物在位于前级管线路径上的等离子体腔室内进行反应。该等离子体使流出物中的化合物解离，而将该流出物转化成较良性的化合物。减量剂可帮助减少所述化合物。该减量工艺可为挥发减量工艺或凝结减量工艺。代表性的挥发减量剂包括，例如，CH4、H2O、H2、NF3、SF6、F2、HCl、HF、Cl2及HBr。代表性的凝结减量剂包括，例如，H2、H2O、O2、N2、O3、CO、CO2、NH3、N2O、CH4及上述的组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106030755A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580003949.X
申请日：2015-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明描述一种等离子体减量工艺以用于减少来自处理腔室的含有化合物的流出物。等离子体减量工艺取用来自处理腔室(例如，沉积腔室)的气态前级管道流出物，并使该流出物在位于前级管线路径上的等离子体腔室内进行反应。该等离子体使流出物中的化合物解离，而将该流出物转化成较良性的化合物。减量剂可帮助减少所述化合物。该减量工艺可为挥发减量工艺或凝结减量工艺。代表性的挥发减量剂包括，例如，CH4、H2O、H2、NF3、SF6、F2、HCl、HF、Cl2及HBr。代表性的凝结减量剂包括，例如，H2、H2O、O2、N2、O3、CO、CO2、NH3、N2O、CH4及上述的组合物。
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公开(公告)号：CN101358338B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810131215.1
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/54
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4584 , Y10T279/11
Abstract: 本发明提供一种轴对称和均匀热分布的真空吸附加热器。在一些实施例中，一种真空吸盘包括：主体，具有用于在其上支撑衬底的支撑表面；多个轴对称布置的沟槽，形成于所述支撑表面中，所述沟槽中的至少一些相交；以及穿过所述主体并在所述沟槽内形成的多个吸附孔，所述吸附孔用于在操作期间将所述沟槽流体耦合到真空源，其中，所述吸附孔布置在所述沟槽的非相交部分中。
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公开(公告)号：CN102892922A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201080065504.1
申请日：2010-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安纳马莱·拉克师马纳 , 方俊 , 唐建设 , 达斯廷·W·霍 , 福兰斯马尔·斯楚弥特 , 艾伦·曹 , 汤姆·周 , 布赖恩·西-元·施赫 , 哈里·K·波奈卡恩提 , 克里斯·埃博斯帕希尔 , 原铮
IPC: C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/45514 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供用于在形成太阳能电池期间沉积非晶和微晶硅膜的装置和方法。在一个实施例中，提供方法和装置以产生氢自由基并将氢自由基直接引导至处理室的处理区域中以与含硅前驱体反应而在衬底上进行膜沉积。在一个实施例中，氢自由基由远程等离子体源产生并被直接引导经过视线路径到达处理区域中，以使得氢自由基在到达处理区域之前的能量损失最小化。
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公开(公告)号：CN101358338A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810131215.1
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/54
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4584 , Y10T279/11
Abstract: 本发明提供一种轴对称和均匀热分布的真空吸附加热器。在一些实施例中，一种真空吸盘包括：主体，具有用于在其上支撑衬底的支撑表面；多个轴对称布置的沟槽，形成于所述支撑表面中，所述沟槽中的至少一些相交；以及穿过所述主体并在所述沟槽内形成的多个吸附孔，所述吸附孔用于在操作期间将所述沟槽流体耦合到真空源，其中，所述吸附孔布置在所述沟槽的非相交部分中。
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公开(公告)号：CN1860252A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480028115.6
申请日：2004-09-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔蒂克·扎纳克拉曼 , 尼汀·尹格勒 , 原铮 , 史蒂文·詹努拉克斯
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/45565
Abstract: 一种气体分配喷头(1501)被设计成允许在宽的喷头与晶片间距(Y)的范围内沉积均匀厚度的膜。根据本发明的实施例，为了增加流动阻力，减少通往面板的孔入口(1501a)的数量、宽度和/或深度，从而提高了面板上游压力。这提高的上游气流压力反过来减少流经喷头中心部分的气体速度相对与边缘部分的变化，从而确保在晶片的边缘或中心部分沉积的膜厚度的均匀性。
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