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公开(公告)号：CN114797403B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210476139.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科林·约翰·迪金森
Abstract: 本公开内容的实施例涉及用于将存在于半导体制造工艺的流出物中的F‑气体减量的系统及技术。在一个实施例中，提供了一种用于等离子体减量系统的水及氧输送系统。水及氧输送系统包含壳体，所述壳体包括底板及多个侧壁，所述底板及多个侧壁界定封围区域。水及氧输送系统进一步包含圆柱状水箱，圆柱状水箱安置于底板上，其中圆柱状水箱的纵轴平行于由底板界定的平面，且水箱的长度是圆柱状水箱的直径的1.5倍或更大。水及氧输送系统进一步包含流量控制系统，流量控制系统安置于壳体内的圆柱状水箱的上方。
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公开(公告)号：CN105026612B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201480009144.1
申请日：2014-03-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 本文提供用于保护基板处理系统的前级管线的内壁的方法和设备。在一些实施方式中，用于在基板处理系统的前级管线中处理废气的设备包括气体套管发生器，所述气体套管发生器包括：主体，所述主体具有设置成穿过所述主体的中心开口；气室，所述气室设置在所述主体内并且围绕所述中心开口；入口，所述入口耦接至所述气室；和环状体，所述环状体在第一端耦接至所述气室并且在与所述第一端相对的第二端处形成环形出口，其中所述环形出口与所述中心开口同心并且通向所述中心开口。所述气体套管发生器可以设置在前级管线等离子体减量系统的上游，以提供气体套管至基板处理系统的前级管线。
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公开(公告)号：CN102640255B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080055155.5
申请日：2010-12-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B01D53/32 , B01D53/92 , B01D2258/0216 , B01D2259/122 , B01D2259/80 , B01D2259/818 , C23C16/4412
Abstract: 本文提供用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的方法和设备。在一些实施例中，一种用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的设备包括：等离子体源，联接至处理腔室的前级管路；反应物源，联接至等离子体源的上游的前级管路；和前级管路气体注入套组，联接至前级管路以可控制地将气体输送至前级管路，其中，前级管路注入套组包括：压力调节器，用以设定前级管路气体输送压力设定点；和第一压力计，经联接以监测前级管路的上游的气体的输送压力。
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公开(公告)号：CN109155233B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201780029921.2
申请日：2017-03-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科林·约翰·迪金森
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 于此披露的实施方式包括等离子体减量工艺，其从处理腔室取出流出物并藉由将水蒸气反应物注入到前级管线或等离子体源中而将流出物与放置在前级管线中的等离子体源内的水蒸气反应物反应。存在于流出物中的材料以及水蒸气反应物藉由等离子体源而激发，将材料转化成藉由典型的水洗涤减量技术而易于洗涤的气体物种(诸如HF)。相对于水蒸气注入，将含氧气体周期性地注入到前级管线或等离子体源中，以减少或避免固体颗粒的产生。减量工艺具有带有最小化固体颗粒产生的良好的破坏移除效率(DRE)。
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公开(公告)号：CN106062925B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580012315.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106029217A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009058.5
申请日：2015-02-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科林·约翰·迪金森
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/4405 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , Y02C20/30
Abstract: 本公开内容涉及处理真空处理系统排放气体的方法和装置。此外，也公开了保养前级等离子体反应器子系统的方法和装置。在一些实施方式中，用于处理真空处理系统前级中排放气体的装置包括耦接于处理腔室前级的等离子体源、耦接于所述等离子体源的处理剂源、以及下游收集器以冷却排放流及收集排放流中的粒子。在一些实施方式中，多个前级等离子体反应器子系统与真空处理系统一起使用，并且一个前级等离子体反应器子系统能够被隔离及进行保养(例如清洁)，同时另一个前级等离子体反应器子系统中的排放气体处理仍持续，并且所述真空处理系统中的处理持续。
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公开(公告)号：CN105762097A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610238166.6
申请日：2010-12-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B01D53/32 , B01D53/92 , B01D2258/0216 , B01D2259/122 , B01D2259/80 , B01D2259/818 , C23C16/4412 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本文提供用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的方法和设备。在一些实施例中，一种用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的设备包括：等离子体源，联接至处理腔室的前级管路；反应物源，联接至等离子体源的上游的前级管路；和前级管路气体注入套组，联接至前级管路以可控制地将气体输送至前级管路，其中，前级管路注入套组包括：压力调节器，用以设定前级管路气体输送压力设定点；和第一压力计，经联接以监测前级管路的上游的气体的输送压力。
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公开(公告)号：CN118891392A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380025295.5
申请日：2023-03-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丁克什·胡德利·索曼纳 , 阿拉·莫拉迪亚 , 科林·约翰·迪金森 , 曼朱纳特·苏班纳
Abstract: 本文提供用于处理腔室的热屏蔽组件的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室的热屏蔽组件包括：第一屏蔽件，该第一屏蔽件包括圆形板；第二屏蔽件，该第二屏蔽件耦接至该第一屏蔽件且与该第一屏蔽件呈平行配置，其中该第二屏蔽件具有大于该第一屏蔽件的外径的外径，且该第二屏蔽件包括中心开口，该中心开口具有小于该第一屏蔽件的外径的直径；及第三屏蔽件，该第三屏蔽件耦接至该第二屏蔽件且与该第二屏蔽件呈平行配置，其中该第三屏蔽件的外径大于该第二屏蔽件的该中心开口的该直径。
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公开(公告)号：CN110291611B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201880011021.X
申请日：2018-01-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 科林·约翰·迪金森
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施例涉及用于将存在于半导体制造工艺的流出物中的F‑气体减量的系统及技术。在一个实施例中，提供了一种用于等离子体减量系统的水及氧输送系统。水及氧输送系统包含壳体，所述壳体包括底板及多个侧壁，所述底板及多个侧壁界定封围区域。水及氧输送系统进一步包含圆柱状水箱，圆柱状水箱安置于底板上，其中圆柱状水箱的纵轴平行于由底板界定的平面，且水箱的长度是圆柱状水箱的直径的1.5倍或更大。水及氧输送系统进一步包含流量控制系统，流量控制系统安置于壳体内的圆柱状水箱的上方。
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公开(公告)号：CN106030755B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580003949.X
申请日：2015-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明描述一种等离子体减量工艺以用于减少来自处理腔室的含有化合物的流出物。等离子体减量工艺取用来自处理腔室(例如，沉积腔室)的气态前级管道流出物，并使该流出物在位于前级管线路径上的等离子体腔室内进行反应。该等离子体使流出物中的化合物解离，而将该流出物转化成较良性的化合物。减量剂可帮助减少所述化合物。该减量工艺可为挥发减量工艺或凝结减量工艺。代表性的挥发减量剂包括，例如，CH4、H2O、H2、NF3、SF6、F2、HCl、HF、Cl2及HBr。代表性的凝结减量剂包括，例如，H2、H2O、O2、N2、O3、CO、CO2、NH3、N2O、CH4及上述的组合物。
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