公开(公告)号：CN107492478B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610407507.8

申请日：2016-06-12

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 王军 ,  董博宇 ,  郭冰亮 ,  耿玉洁 ,  马怀超

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明揭示一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程，各溅射流程包括步骤：将基板载入腔室内并放置于承载底座上；将遮蔽盘移至靶材与基板之间；在腔室内通入惰性气体以对靶材进行表面修饰工艺；进行预溅射，以对靶材的表面进行预处理；将遮蔽盘从靶材与基板之间移开，并利用靶材对基板进行主溅射，在基板上形成薄膜；将基板移出腔室；并且，对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数，且N为大于0之正整数。本发明的半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法，能够改善成膜质量，提升成膜厚度均匀性。

公开(公告)号：CN107546110B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710811339.3

申请日：2017-09-11

申请人： 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)

发明人： 张康 ,  李婷 ,  孙铭泽

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/538

CPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/02 ,  H01L23/538

摘要： 本发明提供了一种钨化学机械平坦化的后清洗方法及晶圆，本发明钨化学机械平坦化的后清洗方法工艺简单，采用特定分步清洗、刷洗、冲洗和甩干操作，清洗效果好，能够有效降低CMP后清洗工艺过程中对于Wplug的氧化及电化学腐蚀，避免造成更严重的钨塞的碟形凹陷(W recess)缺陷，还能够优化晶圆表面Zeta电势,降低晶圆在CMP后被再次沾污的风险。

公开(公告)号：CN108884592A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017884.3

申请日：2017-08-22

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 郑粲烨 ,  李虎林 ,  金敬勋 ,  高正旼

IPC分类号： C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  C30B19/04

CPC分类号： C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

摘要： 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物被用于形成碳化硅单晶的溶液生长法，并且由包含硅(Si)、第一金属M1、第二金属M2和第三金属M3的式1表示，其中第一金属M1是选自镍(Ni)和锰(Mn)中的一者或更多者，第二金属M2是选自钪(Sc)和钛(Ti)中的一者或更多者，以及第三金属M3是选自铝(Al)和镓(Ga)中的一者或更多者：SiaM1bM2cM3d (式1)其中a为0.3至0.8，b为0.1至0.5，c为0.01至0.3，d为0.01至0.2，并且a+b+c+d为1。

公开(公告)号：CN108475618A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680061926.9

申请日：2016-09-05

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 柳次英 ,  诸成泰 ,  崔圭鎭 ,  金濬 ,  郑奉周 ,  朴庆锡 ,  金龙基 ,  金哉佑

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67757 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明包括：套管组合件，其具有内部空间，所述内部空间用于处理形成于其中的衬底，所述衬底是通过层压多个层压板组装；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述套管组合件的所述内部空间中；气体供应单元，其安装在所述套管组合件的一侧，以用于将处理气体供应到所述内部空间中的所述多个衬底中的每一个；以及排气单元，其连接到所述套管组合件以排出供应到所述内部空间的所述处理气体。本发明可以通过诱导层流而将均一量的所述处理气体提供到所述衬底的上表面。

公开(公告)号：CN108369893A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680068455.4

申请日：2016-08-03

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀勉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205

摘要： 一种碳化硅单晶衬底包括第一主表面和取向平面。取向平面在 方向上延伸。第一主表面包括从第一主表面的外周延伸至多5mm的端部区域。在垂直于第一主表面的方向上，与取向平面连续的端部区域的翘曲量不大于3μm。

公开(公告)号：CN108364854A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810141928.X

申请日：2018-02-11

申请人： 无锡先导智能装备股份有限公司

发明人： 周昕

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67703 ,  H01L21/02 ,  H01L21/673

摘要： 本发明公开了光伏扩散或者退火工序中石英舟退舟后装卸硅片的方法，所述方法包括：步骤1、装卸机械手从石英舟上分两次抓取处理后的硅片卸在空的花篮组内，花篮组移出装卸区；步骤2、下一组花篮携带未处理的硅片移进装卸区，装卸机械手先从花篮组内分两次抓取未处理的硅片装载在石英舟空出的区域，再从石英舟上分两次抓取处理后的硅片装载在花篮组内；花篮组移出装卸区；步骤3、重复步骤2直到石英舟上所有的处理后的硅片卸完，并且装满未处理的硅片。本发明通过合理的流程设置和时序安排，利用装卸机械手装卸速度快的特点，能够大量减少装卸机械手的等待时间，提高了在退舟后的石英舟上卸下处理后的硅片、装载未处理的硅片的装卸效率。

公开(公告)号：CN108352299A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680065212.5

申请日：2016-10-04

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 徐东源 ,  金宪度 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种基板处理设备及废气处理方法。在根据本发明的基板处理设备和废气处理方法中，废气分解模块可以分解从处理室排出的源气体以分解源气体的配体。此外，配体和配体已被分解的源气体通过与分别供给的O2、N2O或O3反应，可以处于稳定状态，然后可以变为包含与它们混合的反应气体的混合气体。随后，混合气体可以流入到排气泵中并且可以排出。可替换地，配体和源气体可以与反应气体混合并且可以排出。因此，配体和配体已被分解的源气体可能不与反应气体或者在排气泵中产生的热反应，并且因此，流入到排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不沉积在排气泵的内表面上。此外，堆积在排气泵中的配体已被分解的源气体和配体不会爆炸。

公开(公告)号：CN108352295A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680061579.X

申请日：2016-08-19

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 千珉镐 ,  刘真赫 ,  黄喆周

IPC分类号： H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

摘要： 根据本发明实施例的基板处理装置可以包括：处理腔室；基板支撑部，安装在所述处理腔室中以支撑多个基板，所述基板支撑部沿一定方向旋转；腔室盖，覆盖所述处理腔室的顶部以与所述基板支撑部相对；以及气体分配单元，安装在腔室盖中以在空间上分离不同的第一气体和第二气体并将在空间上分离的所述第一气体和所述第二气体分配到所述多个基板。所述基板支撑部可以包括：第一盘，被设置成可旋转；以及至少一个第二盘，设置在所述第一盘上，以根据所述第一盘的旋转而围绕所述第一盘的中心旋转和绕转，所述多个基板设置在所述至少一个第二盘上。

公开(公告)号：CN108352294A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680061569.6

申请日：2016-09-05

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 柳次英 ,  诸成泰 ,  崔圭鎭 ,  金濬 ,  郑奉周 ,  朴庆锡 ,  金龙基 ,  金哉佑

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

摘要： 本发明包含：限定内部空间的套管组合件，在所述内部空间中处理衬底且堆叠及组装各自具有喷射部分及排气口的多个堆叠主体；衬底固持器，其用于以多级方式将多个衬底支撑在所述内部空间中；供应管线，其连接到所述多个堆叠主体中的任一个的所述喷射部分以便供应处理气体；以及排气管线，其连接到所述多个排气口的任一个以便排放所述处理气体。本发明诱导所述处理气体的层流并可均一地供应所述处理气体到所述衬底的上表面。

公开(公告)号：CN105632896B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201610061764.0

申请日：2016-01-28

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 蔡良毅

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括设置基底；在基底上设置栅极，在栅极上设置栅极绝缘层，在栅极绝缘层上设置半导体层，在半导体层上分别设置源极和漏极，在源极和漏极上设置钝化层，在钝化层上设置像素电极。其中，所述栅极绝缘层由多孔的SiO2形成。