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公开(公告)号：CN110382751A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880012928.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开涉及硅基熔融组合物，其用于形成碳化硅单晶的溶液生长技术中，并且由包含硅、第一金属(M1)、钪(Sc)和铝(Al)的下式1表示：SiaMlbSccAld(式1)，在式1中a大于0.4且小于0.8，b大于0.2且小于0.6，c大于0.01且小于0.1，以及d大于0.01且小于0.1。
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公开(公告)号：CN110914485A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201980003601.9
申请日：2019-05-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，包含硅(Si)、钇(Y)和铁(Fe)，并且以式1表示。在式1中，a等于或大于0.4且等于或小于0.8，b等于或大于0.2且等于或小于0.3，以及c等于或大于0.1且等于或小于0.2。[式1]SiaYbFec。
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公开(公告)号：CN110494599A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880021421.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，并且以式1表示，所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld，在式1中，a为0.4至0.9，b+c为0.1至0.6，c/(b+c)为0.05至0.95，以及d为0.01至0.1。
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公开(公告)号：CN111051267B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201880052372.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C04B35/584 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B103/40
Abstract: 本发明涉及用于制备氮化硅烧结体的流延成型浆料组合物。本发明的流延成型浆料组合物表现出适合于流延成型的粘度，因此能够容易地控制所制备的生片的面积和厚度，从而制备具有电路板的厚度的大面积氮化硅烧结体，而无需后处理过程例如研磨等。此外，根据本发明，可以通过简化的过程使用低成本的原料来制备氮化硅烧结体，从而确保制备过程的效率和经济可行性。
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公开(公告)号：CN108884592B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201780017884.3
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物被用于形成碳化硅单晶的溶液生长法，并且由包含硅(Si)、第一金属M1、第二金属M2和第三金属M3的式1表示，其中第一金属M1是选自镍(Ni)和锰(Mn)中的一者或更多者，第二金属M2是选自钪(Sc)和钛(Ti)中的一者或更多者，以及第三金属M3是选自铝(Al)和镓(Ga)中的一者或更多者：SiaM1bM2cM3d (式1)其中a为0.3至0.8，b为0.1至0.5，c为0.01至0.3，d为0.01至0.2，并且a+b+c+d为1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924814A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048915.7
申请日：2016-10-25
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C30B9/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
Abstract: 本发明涉及通过溶液法形成SiC单晶的基于硅的熔融组合物，所述组合物包含硅、碳、和金属，所述金属对于由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)满足0.70≤Csisol≤1.510：Csisol＝A-B+μ1-μ2式(1)，其中在上述式中，A是包含金属和碳的硅晶格中的包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A)；B是包含金属原子的硅晶格中的包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B)；μ1是作为常数值的-5.422，其是通过具有金刚石晶体结构的硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子的数目而获得的化学势；并且μ2是作为常数值的-9.097，其是通过具有金刚石晶体结构的碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子的数目而获得的化学势。
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公开(公告)号：CN107683520A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201680031312.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅的熔融组合物以用于通过溶液法形成SiC单晶，所述组合物包含硅、碳和由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)小于-0.37的金属：式(1)，其中在上述式(1)中，A为在包含金属和碳的硅晶格中包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A)，B为在包含金属的硅晶格中包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B)，μ1为作为通过将金刚石晶体结构中硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子数获得的化学势的常数-5.422，μ2为作为通过将金刚石晶体结构中碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子数获得的化学势的常数-9.097。
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公开(公告)号：CN107924814B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201680048915.7
申请日：2016-10-25
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及通过溶液法形成SiC单晶的基于硅的熔融组合物，所述组合物包含硅、碳、和金属，所述金属对于由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)满足0.70≤Csisol≤1.510：Csisol＝A‑B+μ1‑μ2式(1)，其中在上述式中，A是包含金属和碳的硅晶格中的包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A)；B是包含金属原子的硅晶格中的包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B)；μ1是作为常数值的‑5.422，其是通过具有金刚石晶体结构的硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子的数目而获得的化学势；并且μ2是作为常数值的‑9.097，其是通过具有金刚石晶体结构的碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子的数目而获得的化学势。
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公开(公告)号：CN110494599B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880021421.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，并且以式1表示，所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld，在式1中，a为0.4至0.9，b+c为0.1至0.6，c/(b+c)为0.05至0.95，以及d为0.01至0.1。
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公开(公告)号：CN110382751B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880012928.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开涉及硅基熔融组合物，其用于形成碳化硅单晶的溶液生长技术中，并且由包含硅、第一金属(M1)、钪(Sc)和铝(Al)的下式1表示：SiaMlbSccAld(式1)，在式1中a大于0.4且小于0.8，b大于0.2且小于0.6，c大于0.01且小于0.1，以及d大于0.01且小于0.1。
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