公开(公告)号：CN110494599B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201880021421.9

申请日：2018-11-01

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金浈桓 ,  李虎林 ,  郑粲烨 ,  高正旼 ,  朴满植

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  C30B15/36

Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，并且以式1表示，所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld，在式1中，a为0.4至0.9，b+c为0.1至0.6，c/(b+c)为0.05至0.95，以及d为0.01至0.1。

公开(公告)号：CN110914485B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201980003601.9

申请日：2019-05-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李虎林 ,  金浈桓 ,  郑粲烨 ,  高正旼

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/36 ,  C30B15/14

Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，包含硅(Si)、钇(Y)和铁(Fe)，并且以式1表示。在式1中，a等于或大于0.4且等于或小于0.8，b等于或大于0.2且等于或小于0.3，以及c等于或大于0.1且等于或小于0.2。[式1] SiaYbFec

公开(公告)号：CN110914485A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201980003601.9

申请日：2019-05-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李虎林 ,  金浈桓 ,  郑粲烨 ,  高正旼

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/36 ,  C30B15/14

Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，包含硅(Si)、钇(Y)和铁(Fe)，并且以式1表示。在式1中，a等于或大于0.4且等于或小于0.8，b等于或大于0.2且等于或小于0.3，以及c等于或大于0.1且等于或小于0.2。[式1]SiaYbFec。

公开(公告)号：CN110494599A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880021421.9

申请日：2018-11-01

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金浈桓 ,  李虎林 ,  郑粲烨 ,  高正旼 ,  朴满植

IPC: C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  C30B15/36

Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，并且以式1表示，所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld，在式1中，a为0.4至0.9，b+c为0.1至0.6，c/(b+c)为0.05至0.95，以及d为0.01至0.1。