-
公开(公告)号：CN119571470A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510031097.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 晶澳(无锡)光伏科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种坩埚旋转装置及单晶炉，其中，坩埚旋转装置用于单晶炉，包括：旋转轴主体，旋转轴主体的内部形成有沿其轴向延伸的空腔，旋转轴主体的轴向一端开口，另一端封闭且与单晶炉的坩埚连接；导流环，导流环沿旋转轴主体的轴向延伸且至少部分同轴设置在旋转轴主体内部的空腔中，导流环的外壁与空腔的内壁之间形成外腔体，导流环的内部形成内腔体，外腔体与内腔体靠近坩埚的一端彼此连通，外腔体与内腔体靠近坩埚的一端彼此连通，外腔体与内腔体远离坩埚的一端彼此独立并且其中一个为进风口且另一个为出风口；风扇，风扇与外腔体或内腔体远离坩埚的一端连通。本申请的坩埚旋转装置，结构简单，操作方便，安全性和可靠性高，成本低。
-
公开(公告)号：CN119571441A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411569342.5
申请日：2024-11-05
Applicant: 西安超码科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种含有热解碳过渡涂层的一体化碳/碳复合材料坩埚，属于单晶硅用热场部件技术领域。所述坩埚包括碳/碳复合材料坩埚本体、玻璃炭涂层、热解碳过渡涂层以及氧化钇涂层，玻璃炭涂层不仅与碳/碳复合材料坩埚本体的结合效果好还能阻止碳的逸出；热解碳过渡涂层不仅与玻璃炭涂层的热膨胀系数相近还与氧化钇涂层结合效果良好；氧化钇涂层具备优异的热稳定性、优异的抗硅侵蚀能力且能确保在拉制单晶过程中熔融硅的纯度；碳/碳复合材料坩埚本体是由喷淋树脂的纯网胎针刺铺层制成的碳纤维预制体经过致密形成的，其内表面为整体呈近各向同性的网胎，既能保证坩埚整体力学强度，又能确保与后续功能性涂层的良好结合效果。
-
公开(公告)号：CN119571438A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411785625.3
申请日：2024-12-06
Applicant: 嘉兴坤博新能源装备制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶炉副炉室结构，包括炉筒，所述炉筒的外侧设有外筒，所述炉筒和外筒之间设有水冷空间，所述水冷空间内设有螺旋状的隔水板，所述隔水板的内侧与炉筒的外壁连接，所述隔水板的外侧与外筒的内壁连接，所述水冷空间被隔水板隔离成螺旋水道，隔水板内部设有空腔结构，所述空腔结构被挡板隔离成若干个相互隔离的冷却水道，所述冷却水道呈螺旋状，每个冷却水道的两端均设有水嘴，本发明通过在隔水板的内部设置独立的冷却水道，不同位置的隔水板可以通过冷却水道控制冷却效果，使副炉室的热场温度分布更加稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN119553374A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411608211.3
申请日：2024-11-12
Applicant: 洛阳杰芯电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对不同应用需求定制化的单晶硅热处理的方法，涉及单晶硅热处理技术领域，包括，确定单晶硅应用领域和具体需求，明确单晶硅材料热处理后的性能指标；根据单晶硅的性能指标，对单晶硅进行热处理；对完成热处理的单晶硅进行质量检测与评估。本发明通过单晶硅的应用领域，确定各领域对单晶硅的性能需求，实现了对不同应用需求的精准识别，基于深度学习算法，建立单晶硅热处理参数与材料性能之间的关系模型，实现了对热处理参数的智能优化，提高了热处理参数优化效率和准确性，通过实时监测温度、气氛和表面变化等参数，及时调整热处理参数，确保热处理过程始终处于最佳状态。
-
公开(公告)号：CN119553352A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411625119.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 天合光能股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种提拉单晶硅方法、单晶硅棒、单晶硅片和太阳能电池，上述方法包括建立表征同炉单晶硅棒样品的头部电阻率、尾部电阻率、头部少子寿命、尾部少子寿命、等径长度、留埚率之间的对应关系的第一模型；建立表征单晶硅片的平均电阻率、平均少子寿命与电池转换效率之间的对应关系的第二模型；单晶硅片由单晶硅棒样品制备；平均电阻率与头部电阻率、尾部电阻率和等径长度对应；平均少子寿命与头部少子寿命、尾部少子寿命和等径长度对应；根据第一模型和第二模型确定电池转换效率为目标效率时的参数；参数包括待制的单晶硅棒的头部电阻率和留埚率中的至少一个；根据参数拉制单晶硅棒。
-
公开(公告)号：CN119553351A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311130108.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 北京北方华创真空技术有限公司
Abstract: 本申请涉及单晶硅棒生产设备的技术领域，尤其是涉及一种晶棒稳定装置以及使用该装置的单晶炉。一方面本申请涉及一种晶棒稳定装置，包括抵持机构和驱动机构；抵持机构包括支撑座以及与支撑座铰接的摆臂；所述摆臂设置有多个，多个摆臂之间留有供晶棒穿过的空间；驱动机构用于驱动多个摆臂同步转动并与晶棒抵接。另一方面本申请涉及一种单晶炉，包括炉体；还包括晶棒稳定装置；晶棒稳定装置设置在炉体内，并且支撑座与炉体固定连接。晶棒稳定装置可直接安装在单晶炉内，晶棒在生产中穿过多个摆臂之间。当晶棒出现晃动时，驱动缸通过驱动环带动多个摆臂同步转动，从而对晶棒施加稳定力，从而保证晶棒的稳定性。
-
公开(公告)号：CN119542117A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411173843.1
申请日：2024-08-26
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
Abstract: 本公开的技术总体涉及半导体器件领域。更具体地，半导体结构、系统及其制造方法，包括通过使沉积的硅层与卤化物反应物反应形成的表面改性的硅层。该系统包括一个或多个反应室，其被构造和布置成保持衬底；硅前体容器，其被构造和布置成容纳和蒸发硅前体；卤化物反应物容器，其被构造和布置成容纳和蒸发卤化物反应物；排气源；以及控制器；其中，控制器配置为控制所述硅前体和所述卤化物反应物流入所述反应室，从而在所述衬底上形成表面改性的硅层。
-
公开(公告)号：CN119530971A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411708395.0
申请日：2024-11-26
Applicant: 晶科能源股份有限公司 , 青海晶科能源有限公司
Abstract: 本公开提供了一种单晶硅的生长控制方法以及单晶硅的生长控制装置。该单晶硅的生长控制方法包括以下步骤：在单晶硅棒的提拉过程中，获取单晶硅棒的实时提拉速度v，并获取单晶硅棒的固液生长界面处的实时温度梯度G。计算实时提拉速度v与实时温度梯度G的实时比值。以及，比较实时比值与预设比值范围，根据比较结果调节实时提拉速度v和/或调节实时温度梯度G，以使得实时比值位于预设比值范围内。该单晶硅的生长控制方法实现了单晶硅在生长过程中的原位反馈控制，适用于多种不同的单晶炉以及拉晶工艺。并且还能够节约探索时间和材料消耗量。
-
公开(公告)号：CN119530963A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510066544.6
申请日：2025-01-16
Applicant: 浙江求是创芯半导体设备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅外延生长膜厚均匀性的工艺优化方法，包括依次进行的确定基础条件、设计实验方案、计算敏感度、非线性规划求解、实验验证，最终可以得到工艺优化组，对实际工艺进行优化。本发明所述工艺优化方法结合了DOE的实验设计思路，通过确定工艺变量并分别设计i组（i≥3）不同的实验工艺参数，可以优化实验测试组数，有效降低了实验的晶圆和机台消耗，有效的降低了实验次数，并实现了最佳均匀性的预测。
-
公开(公告)号：CN119530956A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411711275.6
申请日：2024-11-27
Applicant: 安徽易芯半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体长晶炉熔料阶段的全熔自动判定方法，涉及半导体长晶炉技术领域，包括以下步骤：预先通过工业相机采集晶体熔料原始图像，并标定全熔检测感兴趣区域作为检测图像，对检测图像进行遮盖重锤区域作为目标图像；对目标图像进行转灰度图。本发明减少人工干预，在熔料阶段，无需人工时刻观察判断材料是否全熔，节省了人力成本和时间，使操作人员可以将更多精力投入到其他关键环节的监控和操作中，从而提高整体生产效率；而且缩短熔料周期，全熔判定能够快速、准确地识别材料的熔化状态，一旦判定全熔，可立即进入下一生产环节，减少了因人工判断延迟或不准确而导致的熔料时间延长，有助于缩短整个生产周期，提高产能。
