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公开(公告)号：CN110382751A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880012928.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开涉及硅基熔融组合物，其用于形成碳化硅单晶的溶液生长技术中，并且由包含硅、第一金属(M1)、钪(Sc)和铝(Al)的下式1表示：SiaMlbSccAld(式1)，在式1中a大于0.4且小于0.8，b大于0.2且小于0.6，c大于0.01且小于0.1，以及d大于0.01且小于0.1。
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公开(公告)号：CN110494599A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880021421.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，并且以式1表示，所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld，在式1中，a为0.4至0.9，b+c为0.1至0.6，c/(b+c)为0.05至0.95，以及d为0.01至0.1。
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公开(公告)号：CN110494599B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880021421.9
申请日：2018-11-01
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，并且以式1表示，所述基于硅的熔融组合物包含硅(Si)、铬(Cr)、钒(V)和铝(Al)。[式1]SiaCrbVcAld，在式1中，a为0.4至0.9，b+c为0.1至0.6，c/(b+c)为0.05至0.95，以及d为0.01至0.1。
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公开(公告)号：CN110382751B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201880012928.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开涉及硅基熔融组合物，其用于形成碳化硅单晶的溶液生长技术中，并且由包含硅、第一金属(M1)、钪(Sc)和铝(Al)的下式1表示：SiaMlbSccAld(式1)，在式1中a大于0.4且小于0.8，b大于0.2且小于0.6，c大于0.01且小于0.1，以及d大于0.01且小于0.1。
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