公开(公告)号：CN106460228A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021973.6

申请日：2015-03-03

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  伊藤忠塑料株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 森勇介 ,  吉村政志 ,  今出完 ,  伊势村雅士 ,  冈山芳央

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B29/406 ,  B28D5/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3013 ,  H01S2304/06

Abstract: 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。

公开(公告)号：CN103003961A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180021530.9

申请日：2011-05-02

Applicant: 波士顿大学理事会

Inventor： 廖翊韬 ,  T·D·穆斯塔克斯

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成，提高了辐射性再结合的效率，并增大了使用该方法制成的光电器件，尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV LED设计和性能的若干改进，以与过量Ga生长方法一起使用。以该方法制成的器件可以用于水净化、表面消毒、通信、数据存储和取回。

公开(公告)号：CN101558187B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200780046465.9

申请日：2007-12-10

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 山崎史郎 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/208 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625

Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。

公开(公告)号：CN101466877B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200780022035.3

申请日：2007-05-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉田浩司

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/182 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02625 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/24488

Abstract: 一种固相片生长基体(100)设置有主面(1)和包围所述主面(1)的侧面(2A，2B)。所述主面(1)被周缘槽(10A)划分为周缘槽(10A)外侧的周边部(12)和周缘槽(10A)内侧的内侧部(11)。在周边部(12)的侧面(2A)上，形成与周缘槽(10A)分离的狭缝槽(20)。

公开(公告)号：CN102137959A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980134165.5

申请日：2009-08-28

Applicant: 国立大学法人广岛大学

Inventor： 东清一郎 ,  木庭直浩

IPC: C30B29/06 ,  C01B33/02 ,  C30B28/06 ,  H01L21/208 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1892 ,  C01B33/02 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供能够在基板上的期望位置制造晶体的晶体制造装置。弹簧(2)具有固定在支架(1)上的一端和连接至磁性体(3)的另一端。所述磁性体(3)具有连接至所述弹簧的一端和连接至活塞(6)的另一端。线圈(4)围绕磁性体(3)缠绕并且在电源回路(5)和接地节点(GND)之间电连接。活塞(6)具有插入圆筒(7)的直线构件(61)。圆筒(7)具有中空柱形和在底面(7B)上的小孔(71)。所述圆筒(7)保持硅熔体(13)。基板(11)由XY平台(12)支持以相对于所述圆筒(7)的所述小孔(71)。所述电源回路(5)传送脉冲状电流通过线圈(4)以朝上下方向(DR1)移动所述活塞(6)。结果，液滴(14)以初始速度为1.02m/s从所述小孔(71)向所述基板(11)排出。

公开(公告)号：CN101447542A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178828.0

申请日：2008-12-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  吉田浩章

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/32 ,  C30B19/02 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供了适用于发光器件中的可用的第III族氮化物晶体衬底、包括所述衬底的发光器件和制造所述发光器件的方法。第III族氮化物晶体衬底具有表面积不小于10cm2的主面，在主面的除了从其外周到距离该外周5mm范围内的外周边缘区域之外的主要区域中，总位错密度是1×104cm－2至3×106cm－2，并且螺旋位错密度对所述总位错密度的比率是0.5以上。

公开(公告)号：CN1898778A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038996.X

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勳 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: H01L21/208 ,  C30B11/06 ,  C30B19/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。

公开(公告)号：CN1610138A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086095.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勋 ,  塚本和芳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/02 ,  Y10S438/94 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。

公开(公告)号：CN103857835B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280041389.3

申请日：2012-08-24

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  大谷升 ,  牛尾昌史 ,  安达步 ,  野上晓

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: H01L21/02664 ,  C30B19/04 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法，包括：碳层形成工序、贯穿孔形成工序、馈源层形成工序和外延层形成工序。在碳层形成工序中，在由多晶SiC构成的基板（70）的表面形成碳层71）。在贯穿孔形成工序中，在形成在基板（70）的碳层（71）形成贯穿孔（71c）。在馈源层形成工序中，在碳层（71）的表面形成Si层（72）和3C－SiC多晶层（73）。在外延层形成工序中，通过对基板（70）进行加热，在通过贯穿孔（71c）露出的基板（70）的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H－SiC单晶层。

公开(公告)号：CN104040039B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201380005328.6

申请日：2013-01-10

Applicant: 国立大学法人大阪大学

Inventor： 森勇介 ,  今出完 ,  吉村政志 ,  平尾美帆子 ,  今西正幸

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。