公开(公告)号：CN109285924A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811502280.0

申请日：2018-12-10

Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司

Inventor： 吴化胜 ,  赵帅 ,  刘亚柱 ,  张洪波 ,  张丽 ,  唐驰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明提出一种半导体芯片的制造方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成外延结构，其中，所述外延结构包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述电流阻挡层上；形成第一电极于所述电流扩展层上，以及形成第二电极于所述外延结构的第二半导体层上；其中，形成所述电流扩展层的步骤，包括：进行清洗步骤，对沉积后的所述电流扩展层进行清洗；进行退火步骤，对清洗后的所述电流扩展层进行退火，通过本发明能够对芯片制造工艺进行创新，能够保证在芯片面积不变的情况下提升芯片的亮度，同时本发明工艺简单稳定，可操作性强，能够在半导体行业推广应用。

公开(公告)号：CN109216514A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810831578.X

申请日：2018-07-26

Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 葛永晖 ,  郭炳磊 ,  王群 ,  吕蒙普 ,  胡加辉 ,  李鹏

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/26 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/26 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，三维成核层包括至少一个叠层结构，叠层结构包括氮化镓层和设置在氮化镓层上的氮化钪铝层。本发明通过采用氮化钪铝层和氮化镓层一起形成三维成核层，氮化钪铝层和氮化镓层配合，可以有效缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，大大优化外延片底层的晶体质量，进而提高有源层的晶体质量，有利于电子和空穴进行复合发光，提高LED的内量子效率。

公开(公告)号：CN109103302A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810630341.5

申请日：2018-06-19

Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 郭炳磊 ,  王群 ,  葛永晖 ,  吕蒙普 ,  李鹏

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片，属于半导体技术领域。制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和电子阻挡层；对电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，降低电子阻挡层的电阻率；采用化学气相沉积技术在电子阻挡层上生长P型半导体层。本发明通过对电子阻挡层的表面进行伽马射线辐照，有利于电子阻挡层的各组分均匀掺杂在电子阻挡层中，提高电子阻挡层中元素掺杂的均匀性和有效性，保证外延片生长质量的一致性和均匀性，减少和释放蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的缺陷和应力，从而降低电子阻挡层的电阻率，提高电子阻挡层的载流子迁移率，最终改善LED的发光效率。

公开(公告)号：CN109065675A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810650541.7

申请日：2018-06-22

Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 程丁 ,  韦春余 ,  周飚 ,  胡加辉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铝镓，所述电子阻挡层的材料采用P型掺杂的铝铟镓氮层。本发明通过将低温P型层的材料改为P型掺杂的氮化铝镓，利用铝组分的势垒较高，将低温P型层的势垒高度提升，同时电子阻挡层的材料改为P型掺杂的铝铟镓氮层，利用铟组分的势垒较低，将电子阻挡层的势垒高度降低，最终提高了LED的发光效率。

公开(公告)号：CN108831980A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810595145.9

申请日：2011-08-31

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 陈世益 ,  许嘉良 ,  徐子杰 ,  巫汉敏 ,  许晏铭 ,  黄建富 ,  陈昭兴 ,  姚久琳 ,  刘欣茂 ,  钟健凯

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发光元件包含︰一支持基板、一第一发光元件与一第二发光元件位于该支持基板之上、以及一金属线位于该支持基板上且电连接该第一发光元件与该第二发光元件。其中该第一发光元件包含一透明层位于该支持基板上、及一第一发光叠层位于该透明层上，且该金属线直接接触该透明层。该第一发光叠层具有一第一宽度，该透明层具有一第二宽度不同于该第一宽度。

公开(公告)号：CN108682719A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810373165.1

申请日：2018-04-24

Applicant: 河源市众拓光电科技有限公司

Inventor： 李国强

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明公开了一种多量子阱层，由x个InGaN量子阱层与(x+1)个GaN量子垒层交替层叠组成，x≥1；InGaN量子阱层的In组分所占摩尔比例为10％‑20％；第1个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为5×1017‑1×1019cm‑3，第2个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为第1个GaN量子垒层的硅掺杂浓度的y倍，第i个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为第1个GaN量子垒层硅掺杂浓度的yi‑1倍，0.5＜y＜1，1＜i≤x，第(x+1)个GaN量子垒层的硅掺杂浓度为0。本发明还公开了LED外延结构及其制备方法。本发明的多量子阱层具有渐变硅掺杂量子垒，在不使材料质量进一步恶化的前提下，能够增大量子阱内电子浓度以及调控量子阱内发光区域，从而提升LED的发光强度并改善发光波长均匀性。

公开(公告)号：CN108630790A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810510882.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 谷怀民 ,  袁瑞

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明具体涉及一种基于AlGaN的深紫外LED，从下至上依次包括衬底、N型层、第一阻挡层、量子阱有源区、插入层、第二阻挡层、P型层，还包括从N型层引出的n型欧姆电极以及从P型层引出的p型欧姆电极。由于量子阱有源区两侧设置有两个阻挡层，对载流子具有强的量子限制效应，能够有效抑制空穴溢出有源区，也能阻挡电子漏流，进而也提高了载流子在有源区的复合效率。另外，插入层的设置也能够极大提高第二阻挡层阻挡电子漏流的能力。

公开(公告)号：CN108615797A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810400045.6

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  韩涛 ,  张荣 ,  陶涛 ,  谢自力 ,  周玉刚 ,  修向前 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  郑有炓

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/105 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。

公开(公告)号：CN108389946A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810324277.8

申请日：2014-10-13

Applicant: 世迈克琉明有限公司

Inventor： 全水根 ,  晋根模

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。

公开(公告)号：CN108365064A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810249953.X

申请日：2018-03-26

Applicant: 郭秀丽

Inventor： 郭秀丽

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46

Abstract: 本申请提供了一种多量子阱发光二极管及其制备方法，多量子阱有源层包括由下至上依次生长的多个周期的阱层和垒层交替叠置，其中所述阱层由InGaN材料形成，垒层进一步包括第一GaN层、P型AlGaN层、第二GaN层构成的周期结构，第1-4层垒层包括一个上述周期结构，第5-8层垒层包括两个上述周期结构，第9至最后的垒层包括三个上述周期结构，本发明提供的垒层结构有效地降低电子溢出，提高空穴注入及传输效率，避免生长缺陷，有效地提高量子阱量子效率，从而提高发光二极管发光效率。