公开(公告)号：CN107369752B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610893212.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 卢东宝 ,  徐子涵

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/06 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，其半导体发光装置，包括发光二极管芯片以及配置于发光二极管芯片上的电极，电极至少包括一银合金(Ag1‑xYx)电镀层，其中Y包含以任意权重百分比与Ag形成完全固溶的金属，且X在0.02至0.15之范围内。上述半导体发光装置的制造方法也被提出。本发明发光二极管芯片中的银合金电镀层有助于改善银合金电镀层与焊线之间的接触阻抗，进而提升发光二极管芯片的发光效率。

公开(公告)号：CN109686822A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810657741.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 博尔博公司

Inventor： 张剑平 ,  高英 ,  周瓴

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  H01L33/025

Abstract: 一种用于发光器件或者光电探测器的空穴供给和p-接触结构包括p型III族氮化物结构以及在其上形成的空穴供给和p-接触层，所述空穴供给和p-接触层由含Al的III族氮化物制成，并且处于双轴面内张应力应变下，所述空穴供给和p-接触层的厚度在0.6-10nm的范围内，并且所述p型III族氮化物结构形成在发光器件或者光电探测器的有源区上。还提供了一种具有空穴供给和p-接触结构的发光器件和光电探测器。

公开(公告)号：CN108389938A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201710063966.3

申请日：2017-02-03

Applicant: 山东浪潮华光光电子股份有限公司

Inventor： 李晓明 ,  王建华 ,  闫宝华 ,  刘琦 ,  徐现刚

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

Abstract: 一种GaAs基LED芯片的无光刻制备方法，包括以下步骤：（1）在GaAs衬底上生长外延层；（2）制备排列有电极孔洞的贴片；（3）将步骤（2）制备的贴片贴在步骤（1）制备的GaAs基LED外延层上；（4）在贴片上通过蒸镀进行Au膜沉积，电极孔洞处的Au膜与外延层接触形成P电极；（5）将贴片取下并进行退火处理，得到P电极；（6）对GaAs衬底减薄及生长N电极。该方法通过设计具有电极孔洞的贴片，将该贴片与GaAs基LED外延片贴在一起制备P电极，无需光刻直接进行电极蒸镀得到P电极，避免了现有技术中光刻制备GaAs基LED芯片的P电极因化学腐蚀或光刻胶造成的电极大小波动问题，避免了光电参数波动，提高了生产效率，流程简便，适合规模化生产。

公开(公告)号：CN105470363B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201610006429.0

申请日：2011-02-16

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 丁焕熙 ,  李尚烈 ,  文智炯 ,  宋俊午 ,  崔光基

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  F21K9/23 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了发光器件和发光器件封装。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。

公开(公告)号：CN108198926A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810093125.1

申请日：2018-01-31

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 李树强 ,  陈芳 ,  郭醒 ,  吴小明 ,  王光绪 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本发明采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本发明具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。

公开(公告)号：CN104781305B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201380058242.X

申请日：2013-11-26

Applicant: 麻省理工学院

Inventor： 朴慧成 ,  张世勋 ,  孔敬 ,  S.格拉德卡克

IPC: C08G61/12 ,  H01L51/44 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022483 ,  B82Y10/00 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/91 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/40 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/4233 ,  H01L51/4266 ,  H01L51/442 ,  H01L2031/0344 ,  H01L2251/305 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种透明电极，其可以包括，在基板上的石墨烯片，配置在该石墨烯片上的含导电聚合物的层，和许多的半导体纳米线如ZnO纳米线，所述纳米线配置在含导电聚合物的层上。

公开(公告)号：CN107731971A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711005692.9

申请日：2017-10-24

Applicant: 江门市奥伦德光电有限公司 ,  五邑大学

Inventor： 杨为家 ,  吴质朴 ,  何畏 ,  陈强

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L33/40 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/26 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/005 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片及其制备方法，芯片包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层、Al单晶金属薄膜层、p－GaN薄膜层、i－AlN薄膜层、n－ZnO层薄膜和单晶光子晶体薄膜层，采用p型GaN/n型ZnO异质结构，具有热稳定性高、化学稳定性好、技术成熟等优点，采用光子晶体取代ITO发展垂直结构的LED芯片，简化了芯片结构和芯片制程工序，有利于提高LED器件的出光效率，改善器件内部电流分布均匀性，光电性能优异，有利于制备低成本、大功率光电器件。

公开(公告)号：CN104854260B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201380063125.2

申请日：2013-11-14

Applicant: 德国艾托特克公司

Inventor： 安德烈亚斯·沃尔特

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/16 ,  C23C18/44 ,  C23C18/54

CPC classification number: H01L33/62 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/44 ,  C23C18/54 ,  H01L33/005 ,  H01L33/40 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种在贵金属电极上制造可线接合和可焊接表面的方法。所述贵金属电极是通过在60℃到90℃下无电电镀来沉积钯或钯合金层的晶种层而被活化。接着，将中间层沉积到所述晶种层上，然后将可线接合和/或可焊接表面处理层沉积到所述中间层上。这一方法尤其适用于生产光电子装置，如发光二极管LED。

公开(公告)号：CN103390720B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310163563.8

申请日：2013-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金维植

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L24/05 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种发光器件，其包括：支撑衬底；形成在所述支撑衬底上的至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构；形成在所述衬底上并围绕所述至少一个发光叠层的壁单元；以及布置在所述至少一个发光叠层上方的波长变换层。

公开(公告)号：CN103811620B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201310542837.4

申请日：2013-11-05

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 王志贤 ,  张耀儒 ,  黄意雯 ,  刘国进

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开一种发光元件及其发光阵列。该发光元件包含：一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及多个反射部彼此分离地形成在多个的第一接触部中。