公开(公告)号：CN104300055B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201310300955.4

申请日：2013-07-17

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 廖文禄 ,  徐建中 ,  张耀儒 ,  陈世益 ,  许嘉良

IPC: H01L33/10

Abstract: 一种发光元件，包含一发光迭层，包含一主动层；以及一非氧化物绝缘层，位于发光迭层之下，其中非氧化物绝缘层的折射率小于1.4。

公开(公告)号：CN108133998A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711419544.1

申请日：2013-11-05

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 王志贤 ,  张耀儒 ,  黄意雯 ,  刘国进

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含:一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在该发光结构上；多个反射部彼此分离地形成在该发光结构上，且该多个反射部包含一第一反射部及一第二反射部相邻于该第一反射部，其中，该发光结构直接接触于该多个第一接触部及该多个反射部；以及一第二接触部位于该多个第一接触部及该多个反射部上；其中，该第一反射部具有一表面朝向该第二反射部，该表面直接接触于该第二接触部。

公开(公告)号：CN104300055A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310300955.4

申请日：2013-07-17

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 廖文禄 ,  徐建中 ,  张耀儒 ,  陈世益 ,  许嘉良

IPC: H01L33/10

CPC classification number: H01L33/10

Abstract: 一种发光元件，包含一发光迭层，包含一主动层；以及一非氧化物绝缘层，位于发光迭层之下，其中非氧化物绝缘层的折射率小于1.4。

公开(公告)号：CN110265517A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910304082.1

申请日：2013-07-17

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 廖文禄 ,  徐建中 ,  张耀儒 ,  陈世益 ,  许嘉良

IPC: H01L33/10

Abstract: 一种发光元件，包含一发光迭层，包含一发光层，且该发光层具有一第一宽度；以及透明导电结构，位于该发光迭层上且包含氧化铟钨(IWO)；其中，从该发光元件的剖面看，该发光层具有一第一宽度，该透明导电结构具有大于该第一宽度的一第二宽度。

公开(公告)号：CN104576870A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310500242.2

申请日：2013-10-22

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 廖文禄 ,  郑鸿达 ,  张耀儒 ,  陈世益 ,  许嘉良

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开一发光元件，包含：一发光叠层，至少包含一活性层；一透明绝缘层位于发光叠层之上，透明绝缘层具有一边缘；及一电极区，包含一第一电极位于透明绝缘层之上，且第一电极具有一边缘；其中第一电极远离透明绝缘层的表面的表面积小于透明绝缘层远离发光叠层的表面的表面积，且透明绝缘层的折射率介于1至3.4之间，穿透率(T%)大于80%。

公开(公告)号：CN103811620A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310542837.4

申请日：2013-11-05

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 王志贤 ,  张耀儒 ,  黄意雯 ,  刘国进

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/156 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开一种发光元件及其发光阵列。该发光元件包含：一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及多个反射部彼此分离地形成在多个的第一接触部中。

公开(公告)号：CN116031355A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211309755.0

申请日：2022-10-25

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 张耀儒 ,  萧翊 ,  郭胜丰 ,  廖伟筑 ,  李世昌

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及包含其的半导体组件，其中该半导体元件包括一外延结构，包含一几何中心、一第一表面及一第二表面相对于第一表面；一电极垫，位于第一表面；及一接触区，位于第二表面，且包含一第一组及一第二组；其中，该第一组包含多个互相分离且呈环状排列的第一接触部，该第二组包含多个互相分离且呈环状排列的第二接触部，各第一接触部与该几何中心之间具有一第一距离，各第二接触部与该几何中心之间具有一第二距离大于该第一距离。

公开(公告)号：CN110265517B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201910304082.1

申请日：2013-07-17

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 廖文禄 ,  徐建中 ,  张耀儒 ,  陈世益 ,  许嘉良

IPC: H01L33/10

Abstract: 一种发光元件，包含：基板；发光迭层位于该基板上且具有下表面及主动层；绝缘层，位于该发光迭层与该基板之间且与该下表面直接接触；孔隙，穿过该绝缘层以暴露该下表面；以及反射结构，位于该基板与该绝缘层之间且与该绝缘层直接接合；其中，该绝缘层的折射率小于该导电氧化层的折射率。

公开(公告)号：CN111952422A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010361876.4

申请日：2020-04-30

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 张耀儒 ,  廖文禄 ,  张永富 ,  张翔 ,  陈孟扬 ,  胖韵馨 ,  萧翊

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包括基底、半导体结构及导电反射结构。基底具有一第一侧以及相对于第一侧的一第二侧。半导体结构位于基底的第一侧。导电反射结构位于基底的第二侧。导电反射结构包括一金属氧化结构以及一金属结构。金属氧化结构位于金属结构与基底之间。金属氧化结构直接接触第二侧的表面。

公开(公告)号：CN104576870B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201310500242.2

申请日：2013-10-22

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 廖文禄 ,  郑鸿达 ,  张耀儒 ,  陈世益 ,  许嘉良

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明公开一发光元件，包含：一发光叠层，至少包含一活性层；一透明绝缘层位于发光叠层之上，透明绝缘层具有一边缘；及一电极区，包含一第一电极位于透明绝缘层之上，且第一电极具有一边缘；其中第一电极远离透明绝缘层的表面的表面积小于透明绝缘层远离发光叠层的表面的表面积，且透明绝缘层的折射率介于1至3.4之间，穿透率(T%)大于80%。