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公开(公告)号：CN115313147A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210915066.8
申请日：2018-05-09
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一半导体叠层，其包含一第一反射结构、一第二反射结构以及一位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中共振腔区域包含一第一表面、一于第一表面的第二表面以及一位于第一表面以及第二表面的侧壁，相较于第二反射结构，第一表面较接近第一反射结构；一与第一反射结构电连接的第一电极；以及一与第二反射结构电连接的第二电极，其中第二电极包含一电极垫部位以及一自电极垫部位延伸的侧部位；其中第一电极以及第二电极的电极垫部位位于第一表面上，且第二电极的侧部位覆盖共振腔区域的侧壁。
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公开(公告)号：CN103811620B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201310542837.4
申请日：2013-11-05
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开一种发光元件及其发光阵列。该发光元件包含：一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及多个反射部彼此分离地形成在多个的第一接触部中。
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公开(公告)号：CN103811620A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310542837.4
申请日：2013-11-05
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开一种发光元件及其发光阵列。该发光元件包含：一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在发光结构上；以及多个反射部彼此分离地形成在多个的第一接触部中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107171180A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710130811.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01S5/187 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0283 , H01S5/0286 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18322 , H01S5/18344 , H01S5/1835 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/343 , H01S5/423 , H01S2301/18 , H01S5/125 , H01L33/0045 , H01L33/10 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开一种发光元件。发光元件可发出一辐射且包含：一基板；一位于基板上的外延结构，外延结构依序包含一第一分布布拉格反射镜(distributed Bragg reflector，DBR)、一发光叠层、一第二分布布拉格反射镜以及一接触层；一电极；一介于接触层以及电极之间的电流阻挡层；一形成于电流阻挡层中的第一开口；以及一形成于电极中以及位于第一开口之中的第二开口，其中发光元件于第二分布布拉格反射镜叠层之中，缺乏一氧化层以及缺乏一离子注入层。
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公开(公告)号：CN108879319B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810436344.5
申请日：2018-05-09
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体元件，其包含︰基板；半导体叠层，位于基板上且包含第一反射结构、第二反射结构以及位于第一反射结构以及第二反射结构之间的共振腔区域，其中半导体叠层包含第一表面以及相对于第一表面的第二表面；凹槽，形成于半导体叠层内；第一电极，位于第一表面且与第一反射结构电连接；第二电极，位于第一表面且与第二反射结构电连接；以及导电层，填入该凹槽内；其中，共振腔区域可发射一辐射，且辐射自基板逸散至该半导体元件之外。
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公开(公告)号：CN108133998A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711419544.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 晶元光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开一种发光元件，其包含:一发光结构；多个第一接触部彼此分离地形成在该发光结构上；多个反射部彼此分离地形成在该发光结构上，且该多个反射部包含一第一反射部及一第二反射部相邻于该第一反射部，其中，该发光结构直接接触于该多个第一接触部及该多个反射部；以及一第二接触部位于该多个第一接触部及该多个反射部上；其中，该第一反射部具有一表面朝向该第二反射部，该表面直接接触于该第二接触部。
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公开(公告)号：CN118712879A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411005409.2
申请日：2017-03-07
Applicant: 晶元光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种发光元件。发光元件包含：基板；位于基板上的外延结构，外延结构包含第一部分具有多个第一辐射发射区域以及第二部分具有多个第二辐射发射区域；电极位于外延结构上且具有多个第一开口对应于多个第一辐射发射区域及多个第二开口对应于多个第二辐射发射区域，其中在操作下，多个第一辐射发射区域及多个第二辐射发射区域是同时发光，且流经各该第一辐射发射区域的第一电流小于流经各第二辐射发射区域的第二电流；其中，多个第一辐射发射区域的数量大于多个第二辐射发射区域的数量。
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