公开(公告)号：CN100452582C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200410057538.2

申请日：2004-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 牧田幸治 ,  足立秀人

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2222

Abstract: 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。

公开(公告)号：CN101276990A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086910.0

申请日：2008-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  竹内邦生 ,  德永诚一

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。

公开(公告)号：CN101276990B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200810086910.0

申请日：2008-03-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  竹内邦生 ,  德永诚一

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。

公开(公告)号：CN100364192C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200480002108.9

申请日：2004-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III-V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III-V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III-V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III-V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III-V族化合物半导体成长的工序(D)。

公开(公告)号：CN1736009A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200480002108.9

申请日：2004-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC: H01S5/323

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序(D)。

公开(公告)号：CN107278346A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201680005692.6

申请日：2016-02-19

Applicant: HRL实验室有限责任公司

Inventor： K·塞严 ,  奥列格·M·埃菲莫夫 ,  帕米拉·R·帕特森 ,  安德雷·基谢廖夫

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/06 ,  H01S5/068 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/187 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0604 ,  H01S3/109 ,  H01S3/2383 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06821 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/141 ,  H01S5/142 ,  H01S5/187 ,  H01S5/2013 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4006 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/166 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/2216

Abstract: 一种芯片级紫外线激光源，包括位于衬底上的多个激光器元件，每个激光器元件包括：后腔镜、锥形增益介质、外耦合器、非线性晶体，其在前端面耦合到所述外耦合器，其中所述前端面具有第一涂层，所述第一涂层对所述激光器元件的基本波长具有抗反射性(AR)，并且对紫外线波长具有高反射性(HR)，并且其中所述非线性晶体的出射面具有第二涂层，所述第二涂层对所述激光器元件的基本波长具有高反射性(HR)，对紫外线波长具有抗反射性(AR)；耦合至所述外耦合器的光电探测器；耦合至所述光电探测器并耦合至所述后腔镜的调相器；和所述衬底上的主激光二极管，其耦合至每个激光器元件的所述调相器。每个激光器元件发射紫外线波束并且频率和相位锁定至所述主激光二极管。

公开(公告)号：CN105896310A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510204789.7

申请日：2015-04-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小林隆二 ,  小林正英

IPC: H01S5/223 ,  H01S5/343 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/0602 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/22 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3407

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。改善半导体激光器的特性。在具有n型包层、有源层以及p型包层的半导体激光器中，提供电流阻挡层。例如，电流阻挡层部分地布置在p型包层和有源层之间，以及在p型包层与有源层的重叠区中。因此，在p型包层与有源层的重叠区的电流狭窄区中，布置电流阻挡层，由此抑制注入有源层的一部分中的电流。这致使形成饱和吸收区，其致使半导体激光器的光输出的强度差异。这可实现自脉动。

公开(公告)号：CN101359806B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810131165.7

申请日：2008-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  佐藤智也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。

公开(公告)号：CN1326300C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN01117441.2

申请日：2001-04-28

Applicant: 朗迅科技公司

Inventor： 詹姆斯·N·贝拉基恩 ,  菲德里克·卡帕索 ,  阿尔弗雷德·Y·乔 ,  克莱尔·F·格玛彻 ,  阿尔伯特·L·哈彻森 ,  罗伯托·佩拉 ,  德伯拉·L·斯夫克

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/34

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/065 ,  H01S5/0657 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3402

Abstract: 形成了一种自锁模(SML)中红外(5和8μm)量子级联激光器，它包括较薄的介电绝缘层(即厚度小于0.5微米)-其上叠置有一个高光学损耗(即吸收)层，并具有较长(大约3.5mm)的光波导。从测量的光谱和相应的干涉图以及用快速量子井红外光检测器探测的光电流的rf谱，获得了锁模的证据。从这些数据推断出大约3皮秒的脉冲宽度估计值。

公开(公告)号：CN1244973C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN03120052.4

申请日：2003-02-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 八木哲哉 ,  吉田保明

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

Abstract: 半导体激光器件，具有：第一电极；设置在所述第一电极上的第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一包覆层；位于所述第一包覆层上的有源层；位于所述有源层上的与第一导电类型不同的第二导电类型的第二包覆层；绝缘体层；部分设置于所述绝缘体层上的与所述第二包覆层的第一部分电气连接的第二电极，其特征在于，第一和第二包覆层由AlGaInP制成，其中绝缘体层覆盖第二包覆层的第二部分但不覆盖第二包覆层的第一部分，第二包覆层的第一部分比第二部分厚，且位于两个所述第二包覆层的第二部分之间，所述绝缘体层具有导热率和厚度，所述绝缘体层的层厚倒数与导热率之积小于4×108W/(m2·K)。