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公开(公告)号：CN1095231C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN97193298.0
申请日：1997-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/20 , H01S5/2022 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层，并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者，一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层；并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。
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公开(公告)号：CN1123064C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN99801765.5
申请日：1999-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C23C14/228 , C23C14/0036 , C23C14/357 , C23C14/564 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31604 , H01L21/31662 , H01L21/31691 , H01S5/028
Abstract: 利用电子回旋共振(ECR)等离子体法，让已被等离子体化的反应气体和遭到已被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶(23)的原子或者分子在试样(21)的表面起反应，而在试样(21)的表面上淀积薄膜(27)，这时，先利用已被等离子体化的反应气体对固体靶(23)的表面进行清洗，再淀积出该薄膜(27)。
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公开(公告)号：CN1214806A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN97193298.0
申请日：1997-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/20 , H01S5/2022 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层,并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者,一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层;并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。
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公开(公告)号：CN1201559A
公开(公告)日：1998-12-09
申请号：CN96197975.5
申请日：1996-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S3/1118 , H01S5/0601 , H01S5/0615 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347
Abstract: 在一n型GaAS基底701上分别形成一n型GaAS缓冲层702,n型AlGaInP包层703,由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性,且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1179860A
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n－型GaAS制成的基底(201),活性层(204),和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命,借此即能获得稳定的自持脉动。结果,能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1585219A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057538.2
申请日：2004-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2216 , H01S5/2222
Abstract: 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。
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公开(公告)号：CN1129218C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN97190228.3
申请日：1997-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S3/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0658
Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由In GaAs P形成。
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公开(公告)号：CN1117419C
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN96197975.5
申请日：1996-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S3/1118 , H01S5/0601 , H01S5/0615 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347
Abstract: 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN1426139A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02148189.X
申请日：1997-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0202 , H01S5/0658
Abstract: 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层的厚度是60至100埃。
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公开(公告)号：CN100375350C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
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