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公开(公告)号：CN1095231C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN97193298.0
申请日：1997-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/20 , H01S5/2022 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层，并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者，一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层；并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。
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公开(公告)号：CN1202026A
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN98101875.0
申请日：1998-05-20
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 沢野博之
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0615 , H01S5/065 , H01S5/0658 , H01S5/321 , H01S5/3218 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 一种自激脉冲半导体激光器件具有包括一对金属覆层部分的金属覆层和夹在该对金属覆层部分之间的饱和吸收层和缓冲层。用于缓冲层的半导体材料具有在饱和吸收层和用于与缓冲层接触的金属覆层的半导体材料的价带能之间的中间价带能,从而减小在价带能图中形成的尖峰。空穴平稳注入有源层,从而以高成品率以自激脉冲方式产生激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109087978A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810575825.4
申请日：2018-06-06
Applicant: 日本奥兰若株式会社
IPC: H01L33/30 , H01L31/0304 , H01S5/323 , G02F1/015
CPC classification number: H01S5/3218 , H01L31/03046 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01S5/0014 , H01S5/0208 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3403 , H01S5/343 , H01S5/34306 , H01S5/3432 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/04 , H01L33/305 , G02F1/015 , H01L31/03042 , H01S5/323
Abstract: 本发明涉及一种光半导体元件、光组件以及光模块，通过降低掺杂剂原料的供给不均，从而以低成本制造。所述光半导体元件具备：InP基板、配置于InP基板的上方的活性层、配置于活性层的下方的第一导电型半导体层以及配置于活性层的上方的第二导电型包覆层，第二导电型包覆层包含1或多层第二导电型In1-xAlxP层，在1或多层第二导电型In1-xAlxP层的各层中，Al组成x为相当于第二导电型掺杂剂的掺杂浓度的值以上，将第二导电型包覆层整体的总层厚设为临界层厚，第二导电型包覆层整体的平均应变量的绝对值为通过Matthews的关系式求得的临界应变量的绝对值以下。
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公开(公告)号：CN1146091C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n-型GaAS制成的基底(201)，活性层(204)，和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命，借此即能获得稳定的自持脉动。结果，能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1118119C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98101875.0
申请日：1998-05-20
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 沢野博之
IPC: H01S5/30
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0615 , H01S5/065 , H01S5/0658 , H01S5/321 , H01S5/3218 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 一种自激脉冲半导体激光器件具有包括一对金属覆层部分的金属覆层和夹在该对金属覆层部分之间的饱和吸收层和缓冲层。用于缓冲层的半导体材料具有在饱和吸收层和用于与缓冲层接触的金属覆层的半导体材料的价带能之间的中间价带能，从而减小在价带能图中形成的尖峰。空穴平稳注入有源层，从而以高成品率以自激脉冲方式产生激光。
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公开(公告)号：CN1214806A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN97193298.0
申请日：1997-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/06216 , H01S5/0658 , H01S5/20 , H01S5/2022 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层,并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者,一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层;并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。
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公开(公告)号：CN1179860A
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n－型GaAS制成的基底(201),活性层(204),和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命,借此即能获得稳定的自持脉动。结果,能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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